公开(公告)号：CN1914733A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200580003381.8

申请日：2005-09-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 菅野勉 ,  小田川明弘 ,  杉田康成 ,  酒井章裕 ,  足立秀明

IPC: H01L27/10 ,  G11C13/02

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/31 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供一种即使在还原气氛下进行热处理时，电阻变化能力的降低也被抑制的变电阻元件和使用其的非易失性存储器。具体地说，本发明提供的非易失性存储器(1)由具有以化学式RMCoO3(其中：R代表稀土类元素、M代表碱土类元素)表示的钙钛矿结构的氧化物半导体构成的材料层，和与所述材料层电连接的作为两个电极的第一电极和第二电极构成，同时，(2)具有变电阻元件晶体管，所述变电阻元件与晶体管电连接。

公开(公告)号：CN1898798A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200580001365.5

申请日：2005-09-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小田川明弘 ,  杉田康成 ,  菅野勉 ,  酒井章裕 ,  足立秀明

IPC: H01L27/10 ,  H01L49/00 ,  H01L45/00 ,  H01L29/66

CPC classification number: G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供一种具有与现有技术元件不同的结构，电阻变化特性优良的电阻变化元件。其存在电阻值不同的两种以上的状态，通过施加规定电压或者电流，可以从在上述两种以上的状态中选择的一种状态向另一种状态变化的电阻变化元件，其中，包括上部电极和下部电极以及由上述双方电极夹持的电阻变化层的多层构造体被配置在基板上，电阻变化层具有尖晶石结构，上述下部电极的上述电阻变化层的表面被氧化。这种电阻变化元件可在400℃以下的制造过程中制造。

公开(公告)号：CN1223998C

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN01137453.5

申请日：2001-11-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平本雅祥 ,  松川望 ,  小田川明弘 ,  足立秀明 ,  饭岛贤二 ,  榊间博 ,  杉田康成

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/52

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3916 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/324 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295

Abstract: 一种磁致电阻元件，包括磁性衬底；磁性层；和位于磁性衬底和磁性层之间的非磁性层。

公开(公告)号：CN1190856C

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN01122062.7

申请日：2001-05-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小田川明弘 ,  足立秀明 ,  平本雅祥 ,  松川望 ,  榊间博

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/02 ,  G11C11/14 ,  G11B5/127 ,  G11B5/31

CPC classification number: H01L27/222 ,  B82Y10/00 ,  H01L43/10 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/1107

Abstract: 本发明的元件含有具有以式L2(A1-zRz)2An-1MnO3n+3+x表示的组成，结晶构造内具有(L-O)2层的层状钙钛矿型氧化物、和夹持着层状钙钛矿型氧化物并与该氧化物连接形成的一对强磁性体，通过上述(L-O)2层施加偏磁，实现了磁阻隧道效应。其中A表示从Ca、Sr和Ba中选出的至少1种碱土类元素、L表示从Bi、Tl和Pb中选出的至少1种元素、M表示从Ti、V、Cu、Ru、Ni、Mn、Co、Fe和Cr中选出的至少1种元素、R表示稀土类元素，n为1，2或3，X，Z分别为-1≤x≤1，0≤z≤1中的值。

公开(公告)号：CN1353414A

公开(公告)日：2002-06-12

申请号：CN01137453.5

申请日：2001-11-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平本雅祥 ,  松川望 ,  小田川明弘 ,  足立秀明 ,  饭岛贤二 ,  榊间博 ,  杉田康成

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/52

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3916 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/324 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295

Abstract: 一种磁致电阻元件,包括磁性衬底;磁性层;和位于磁性衬底和磁性层之间的非磁性层。

公开(公告)号：CN1346155A

公开(公告)日：2002-04-24

申请号：CN01119632.7

申请日：2001-03-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小田川明弘 ,  榊间博 ,  森田清之

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L27/224 ,  G11C11/16

Abstract: 磁阻元件由2个阻性元件串联连接而成,至少一个是用磁阻元件。两个均为磁阻元件时,可相互独立地控制磁阻,因第1磁阻元件的非磁性体是电绝缘体、第2磁阻元件的非磁性体是导电体,使第2磁阻元件作为偏压控制元件动作,而进行第1磁阻元件的特性控制,并控制施加到存储元件上的电压。另外,将另一个用可变电阻元件构成时,可抑制来自非选择的存储元件的偏压,提高存储元件的选择性。