-
公开(公告)号：CN107425814B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201710665486.4
申请日：2017-08-07
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于补偿寄生电容的宽带Doherty功率放大器，包括等分威尔金森功分器、载波功率放大器支路、峰值功率放大器支路以及负载调制网络，其中，载波功率放大器支路包括依次串接的载波功率放大器输入匹配电路、载波功率放大器、载波功率放大器输出匹配电路，并在载波功率放大器输出端并联第一微带线Z1；峰值功率放大器支路包括相位延迟线、峰值功率放大器输入匹配电路、峰值功率放大器以及峰值功率放大器输出匹配电路，并在峰值功率放大器输出端并联第二微带线Z2。相对于现有技术，本发明通过在主辅支路晶体管的输出端分别加上一段短路微带线，从而抑制了寄生电容对于放大器的饱和效率和带宽所造成的影响，提高了Doherty功放的带宽性能和效率。
-
公开(公告)号：CN111785531A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010532084.9
申请日：2020-06-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管/细菌纤维素气凝胶材料的制备方法及超级电容器，包括以下步骤：步骤S1，得到细菌纤维素；步骤S2，制备碳纳米管/细菌纤维素水凝胶复合材料，经过冷冻干燥后，得到碳纳米管/细菌纤维素气凝胶材料。采用本发明的技术方案，细菌纤维素作为碳纳米管的支撑骨架，与传统碳纳米管气凝胶材料结构脆且易散架相比，新型碳纳米管气凝胶材料具有很好的结构稳定性。该技术方案可以提供一种具有很好结构稳定性的新型碳纳米管气凝胶材料的制备方法。
-
公开(公告)号：CN111106509A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911348093.6
申请日：2019-12-24
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本说明书实施例公开了一种激光散热装置及其制备方法和固体激光器，该装置包括：衬底；位于所述衬底一表面的光学高反层，其中，所述光学高反层具有全反射结构；位于所述光学高反层之上的传热层，所述传热层包含多个呈阵列式排布的传热单元，相邻传热单元之间形成传热通道，每个所述传热单元之上设置有支撑单元；所述传热层通过所述多个传热单元将固体激光器产生的热量传导出去，同时，通过阵列式排布形成的传热通道将固体激光器产生的热量扩散出去。从而，有效提升散热效果，提高激光反射率，从整体上提升激光器件的性能。
-
公开(公告)号：CN111106204A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911259202.7
申请日：2019-12-10
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/112 , H01L31/113 , H01L31/101 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种基于Ⅲ-Ⅴ族半导体高电子迁移率晶体管的日盲紫外探测器及制作方法，探测器包括漏极、源极、第一半导体层、第二半导体层、位于第一和第二半导体界面处的二维电子气、衬底及缓冲层、TiO2悬浮栅极以及Ti金属层，其中，第一半导体层的下表面设置第二半导体层；第二半导体层的下方设置衬底及缓冲层；TiO2悬浮栅极位于第一半导体层的上表面，且处于所述源极和漏极之间；源极和漏极位于第一半导体层的上表面的两侧；源极和漏极与第一半导体形成欧姆接触；第一半导体层和第二半导体层之间形成异质结沟道，并由于极化作用产生高密度的二维电子气。本发明的紫外探测器具有高灵敏度的紫外探测性能，响应快、制作方法简单、稳定性好。
-
公开(公告)号：CN110212180A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910426850.0
申请日：2019-05-22
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/052 , H01M4/136 , H01M4/1397 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种硫化锂自支撑碳球/碳纳米纤维复合材料的制备方法和锂硫电池，包括以下步骤：步骤S1，制备硫酸锂/葡萄糖/细菌纤维素水凝胶复合材料；步骤S2，将硫酸锂/葡萄糖/细菌纤维素水凝胶复合材料中的葡萄糖转化为碳球，使硫酸锂更好地被碳材料包覆，减缓聚硫锂的扩散，细菌纤维素转化成碳纳米纤维，从而形成一种碳球/碳纳米纤维的气凝胶复合材料。采用本发明的技术方案，无需添加粘连剂，碳化后直接自支撑形成电极；同时能够构造出碳球结构和碳纳米纤维网状结构，并且结构中的硫化锂纳米颗粒被有效包覆，能够增加电极中的电子导电性，提高电极中电子的传输效率，抑制“穿梭效应”，从而提高锂硫电池的性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106411266B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201610888848.1
申请日：2016-10-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于改进负载调制网络拓展带宽的Doherty功率放大器及其实现方法，等分威尔金森功分器用于将输入功率进行等分后分别输出给主功率放大电路和辅助功率放大电路，主功率放大电路的输出端接70.7欧四分之一波长阻抗变换器T1，辅助功率放大电路的输出端接70.7欧四分之一波长阻抗变换器T3，合路后将功率输出给负载，合路输出端并接四分之一波长短接线T2。相对于现有技术，本发明通过改进传统Doherty功率放大器的负载调制网络同时在输出端并联四分之一波长短接线方案，减小了负载调制网络的阻抗变换比，有效地抑制负载阻抗随频率的漂移，极大地拓宽了Doherty功率放大器的工作带宽。
-
公开(公告)号：CN106411267B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201610889946.7
申请日：2016-10-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种宽带三路Doherty功率放大器及其实现方法，其中，三路等分功分器用于将输入功率进行等分后分别输出给载波功率放大电路、第一峰值功率放大电路和第二峰值功率放大电路，载波功率放大电路的输出端接86.6欧四分之一波长阻抗变换器T1，并与第一峰值功率放大电路和第二峰值功率放大电路的输出端相连接合路将功率输出给负载。相对于现有技术，本发明通过改进传统三路Doherty功率放大器的负载调制网络，减小了负载调制网络的阻抗变换比且缩小了Doherty功率放大器的尺寸，同时将峰值支路的补偿线加入到峰值输出匹配电路中，减小整体峰值输出匹配电路的品质因数，极大地拓宽了三路Doherty功率放大器的工作带宽。
-
公开(公告)号：CN109037063A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810689962.0
申请日：2018-06-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L35/34 , H01L35/32
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L35/28 , H01L35/325
Abstract: 本发明公开了一种具有温差发电机构的III‑VHEMT器件的制备方法，现有的GaN器件在工作过程中会产生大量的热，使沟道温度上升，从而使器件的导通电阻增大，使器件的输出电流下降，造成能源浪费的问题。由于器件的能量密度高，所以沟道过热，现有的器件采用的解决策略是将这些热量用散热器发散掉。而本发明在器件中引入了温差发电机构，回收了现有器件沟道中被浪费的能量，提高了器件的效率，减小了能量的损失，具有节约能源的优势。
-
公开(公告)号：CN107453713A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710563660.4
申请日：2017-07-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种改善栅源寄生效应的功率放大器，包括输入匹配电路、栅源寄生补偿电路、输出匹配电路和偏置电路，其中，栅源寄生补偿电路用于补偿GaN HEMT自身的栅源寄生效应，使得栅源寄生效应对电路的影响达到最小。相对于现有技术，本发明通过改善GaN HEMT栅源寄生效应的方法来设计功率放大器，减少由于栅源寄生效应产生的输入谐波对于功率放大器的影响，提高整体电路的输出功率和效率。
-
公开(公告)号：CN105977294A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610294235.5
申请日：2016-05-06
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/205
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/0684 , H01L29/2003 , H01L29/205
Abstract: 本发明提供一种新型常关型III‑V异质结场效应晶体管，包括衬底材料层、第二半导体层、介质模板层、漏电极、源电极、第一介质层，第二介质层和栅电极，第二半导体层和第一半导体层本体结合在一起形成异质结沟道，介质模板层设置在第一半导体层本体上并等间隔形成n个窗口，第一半导体层本体沿n个窗口生长形成n个凸起部分；凸起部分使第一半导体层超出临界厚度从而在凸起部分的投影区域形成二维电子气2DEG。相对于现有技术，本发明利用特殊设计的势垒层获得不连续的沟道，并且栅电极将源、漏电极之间的沟道完全覆盖，从而实现对沟道二维电子气的完全控制，能够避免器件的“电流崩塌”效应；同时该器件可以同时获得较高的击穿电压和截止频率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
113
records
(took 0.031 seconds)
