公开(公告)号：CN111741933A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN201980013923.1

申请日：2019-02-04

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 铃木良太

IPC: C03C3/091 ,  C03B17/06

Abstract: 本发明的玻璃板的特征在于，作为玻璃组成，以质量％计含有SiO2 50～75％、Al2O 30～25％、B2O3 0～25％、Li2O 0～8％、Na2O 5～25％、K2O 0～5％、MgO+CaO+SrO+BaO+ZnO 0～20％，软化点为745℃以下。

公开(公告)号：CN111285603A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201911238186.3

申请日：2019-12-05

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 铃木良太

IPC: C03C3/093 ,  C03B17/06 ,  C03B23/023 ,  C03C17/30 ,  C03C17/06 ,  G01D11/00 ,  G01D11/26

Abstract: 本发明的玻璃的特征在于，作为玻璃组成，以摩尔％计含有SiO2 40～70％、Al2O 30～20％、B2O3 0～15％、Li2O 0～15％、Na2O 8.6～25％、K2O 0～1％、CaO 2～15％、ZnO 1.5～15％，软化点为720℃以下。

公开(公告)号：CN111033687A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201880054592.1

申请日：2018-06-28

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 铃木良太

IPC: H01L21/02 ,  C03C23/00

Abstract: 本发明的支承玻璃基板是用于支承加工基板的支承玻璃基板，其特征在于，在支承玻璃基板的表面具备以点作为结构单元的信息识别部，并且从点扩展的裂纹在表面方向的平均长度为350μm以下。

公开(公告)号：CN108290774A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680068744.4

申请日：2016-12-07

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 铃木良太 ,  村田哲哉 ,  藤井美红

IPC: C03C10/14 ,  H01L21/683 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L21/683 ,  H01L23/12

Abstract: 本发明的支承玻璃基板是用于支承加工基板的支承结晶化玻璃基板，其特征在于，30～380℃的温度范围内的平均线热膨胀系数超过70×10-7/℃且为195×10-7/℃以下。

公开(公告)号：CN107074618A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580057730.8

申请日：2015-11-13

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 铃木良太 ,  高桥能弘

IPC: C03C3/083 ,  C03B17/00 ,  C03C3/085 ,  C03C3/087 ,  C03C3/091 ,  C03C3/093 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的技术课题通过开创难以产生加工基板的尺寸变化的支承基板和使用其的层叠体，有助于半导体封装体的高密度安装。本发明提供一种支承玻璃基板，其特征在于，在20～200℃的温度范围中的平均线性热膨胀系数超过110×10－7/℃且为160×10－7/℃以下。

公开(公告)号：CN106103369A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201580014823.2

申请日：2015-03-11

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 池田光 ,  铃木良太

IPC: C03C3/091 ,  C03C3/093 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68757 ,  H01L21/568 ,  H01L21/67103 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/3511

Abstract: 一种支承玻璃基板，其在20～200℃的温度范围内的平均线性热膨胀系数为66×10－7/℃以上且81×10－7/℃以下。

公开(公告)号：CN102176412B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201110006524.8

申请日：2008-10-28

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 马屋原芳夫 ,  铃木良太 ,  西川欣克 ,  池边胜 ,  森弘树 ,  长谷川义德

IPC: H01L21/22 ,  C03C12/00

CPC classification number: C03B19/06 ,  C03C3/064 ,  C03C3/091 ,  C03C10/0054 ,  C03C12/00 ,  Y02P40/57

Abstract: 本发明提供一种耐热性高且B2O3挥发量多的掺杂剂源，并且提供一种材质均匀、在每次使用时挥发的硼的量稳定、且廉价的半导体用硼掺杂材料。该掺杂剂源含有SiO2为20～50摩尔％、Al2O3为30～60摩尔％(其中不包括30摩尔％)、B2O3为10～40摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，或者，该掺杂剂源由包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体构成，该硼成分挥发层含有SiO2为30～60摩尔％、Al2O3为10～30摩尔％、B2O3为15～50摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，该耐热层含有SiO2为8～30摩尔％、Al2O3为50～85摩尔％、B2O3为5～20摩尔％、RO(R是碱土金属)为0.5～7摩尔％的组成。该半导体用硼掺杂材料的制造方法包括：使含有含硼结晶性玻璃粉末的原料粉末浆料化的工序；使得到的浆料成型，得到生片的工序；和对生片进行烧结的工序。

公开(公告)号：CN102176412A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN201110006524.8

申请日：2008-10-28

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 马屋原芳夫 ,  铃木良太 ,  西川欣克 ,  池边胜 ,  森弘树 ,  长谷川义德

IPC: H01L21/22 ,  C03C12/00

CPC classification number: C03B19/06 ,  C03C3/064 ,  C03C3/091 ,  C03C10/0054 ,  C03C12/00 ,  Y02P40/57

Abstract: 本发明提供一种耐热性高且B2O3挥发量多的掺杂剂源，并且提供一种材质均匀、在每次使用时挥发的硼的量稳定、且廉价的半导体用硼掺杂材料。该掺杂剂源含有SiO2为20～50摩尔％、Al2O3为30～60摩尔％(其中不包括30摩尔％)、B2O3为10～40摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，或者，该掺杂剂源由包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体构成，该硼成分挥发层含有SiO2为30～60摩尔％、Al2O3为10～30摩尔％、B2O3为15～50摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，该耐热层含有SiO2为8～30摩尔％、Al2O3为50～85摩尔％、B2O3为5～20摩尔％、RO(R是碱土金属)为0.5～7摩尔％的组成。该半导体用硼掺杂材料的制造方法包括：使含有含硼结晶性玻璃粉末的原料粉末浆料化的工序；使得到的浆料成型，得到生片的工序；和对生片进行烧结的工序。

公开(公告)号：CN101636819A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200880008599.6

申请日：2008-10-28

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 马屋原芳夫 ,  铃木良太 ,  西川欣克 ,  池边胜 ,  森弘树 ,  长谷川义德

IPC: H01L21/223

CPC classification number: H01L21/2225

Abstract: 本发明提供一种耐热性高且B 2 O 3 挥发量多的掺杂剂源，并且提供一种材质均匀、在每次使用时挥发的硼的量稳定、且廉价的半导体用硼掺杂材料。该掺杂剂源含有SiO 2 为20～50摩尔％、Al 2 O 3 为30～60摩尔％(其中不包括30摩尔％)、B 2 O 3 为10～40摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，或者，该掺杂剂源由包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体构成，该硼成分挥发层含有SiO 2 为30～60摩尔％、Al 2 O 3 为10～30摩尔％、B 2 O 3 为15～50摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，该耐热层含有SiO 2 为8～30摩尔％、Al 2 O 3 为50～85摩尔％、B 2 O 3 为5～20摩尔％、RO(R是碱土金属)为0.5～7摩尔％的组成。该半导体用硼掺杂材料的制造方法包括：使含有含硼结晶性玻璃粉末的原料粉末浆料化的工序；使得到的浆料成型，得到生片的工序；和对生片进行烧结的工序。