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公开(公告)号：CN116848594A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202280013406.6
申请日：2022-01-20
Applicant: 日本电气硝子株式会社
Inventor： 马屋原芳夫
IPC: H01B3/02
Abstract: 本发明提供一种在于20GHz以上的高频区域中具有低介电特性和高机械强度的层叠玻璃陶瓷电介质材料、烧结体及高频用电路部件。本发明的层叠玻璃陶瓷电介质材料的特征在于，具有至少依次层叠有外层、内层、外层而成的层叠结构，所述外层包含在测定温度25℃、频率28GHz的条件下测得的烧结后的相对介电常数为5.5以下的材料，并且所述内层包含烧结后的热膨胀系数比所述外层的烧结后的热膨胀系数高的材料。
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公开(公告)号：CN105579418B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201480051062.3
申请日：2014-09-05
Applicant: 日本电气硝子株式会社
Inventor： 马屋原芳夫
CPC classification number: C04B35/18 , B32B18/00 , C03C8/16 , C04B35/634 , C04B35/638 , C04B2235/3217 , C04B2235/3427 , C04B2235/365 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5463 , C04B2235/6025 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/343 , C04B2237/562 , H05K3/4629 , H05K2201/068 , H05K2201/096 , H05K2201/09709
Abstract: 本发明的陶瓷布线基板(1)具备陶瓷基板(10)和内部导体(20)。内部导体(20)配置于陶瓷基板(10)内。陶瓷基板(10)包含玻璃、第一陶瓷填料及第二陶瓷填料。第一陶瓷填料在‑40℃～+125℃的温度范围下的热膨胀系数低于第二陶瓷填料在‑40℃～+125℃的温度范围下的热膨胀系数。第二陶瓷填料的3点弯曲强度高于第一陶瓷填料的3点弯曲强度。
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公开(公告)号：CN101466812B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200780022029.8
申请日：2007-05-15
Applicant: 日本电气硝子株式会社
CPC classification number: C09K11/025 , C03C8/08 , C03C8/14 , C09K11/7734
Abstract: 本发明提供一种荧光体复合材料和将其烧制而得到的荧光体复合部件，上述荧光体复合材料能够以低温烧制，并且能够制成耐候性优异、即使长时间使用劣化也少的荧光体复合部件。本发明的荧光体复合材料是包括玻璃粉末和荧光体粉末的荧光体复合材料，其特征在于，上述玻璃粉末是SnO—P2O5—B2O3类玻璃。
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公开(公告)号：CN117222607A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202280032078.4
申请日：2022-03-24
Applicant: 日本电气硝子株式会社
Inventor： 马屋原芳夫
IPC: C04B35/14
Abstract: 本发明提供玻璃陶瓷电介质材料、烧结体及高频用电路部件，能够在1000℃以下的温度下进行烧成，而且在于20GHz以上的高频区域具有低介电特性和高热膨胀系数。本发明的玻璃陶瓷电介质材料的特征在于，含有结晶性玻璃粉末和α石英粉末，结晶性玻璃粉末的含量为50～90质量％，α石英粉末的含量为10～50质量％，并且，结晶性玻璃粉末以质量％计含有SiO240～60％、CaO 20～40％、MgO 15～30％、Al2O31～8％、CuO 0.05～1％作为玻璃组成。
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公开(公告)号：CN102834746B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201180018245.1
申请日：2011-04-05
Applicant: 日本电气硝子株式会社
Inventor： 马屋原芳夫
CPC classification number: G02B1/02 , C03C14/00 , C03C14/004 , C03C2214/04 , C03C2214/08 , F21V7/22 , G02B5/0284 , G02B5/08 , G02B5/0808
Abstract: 本发明的目的在于提供能够易于制造具有高光反射率的光反射基材的材料。本发明的光反射基材用材料，其特征在于，作为组成，含有Nb2O5结晶粉末和实质上不含CaO的玻璃粉末。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102668035A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080052777.2
申请日：2010-11-22
Applicant: 日本电气硝子株式会社
IPC: H01L21/223
CPC classification number: H01L21/2225 , C04B35/18 , C04B2237/062 , C04B2237/064 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , H01L21/223
Abstract: 本发明在于提供一种掺杂物源，其中，B2O3挥发量不易经时降低，长期具有良好的B2O3挥发能力。掺杂物源具有包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体，其中，以摩尔%表示，硼成分挥发层含有30～60%的SiO2、10～30%的Al2O3、15～50%的B2O3和2～15%的RO，耐热层含有8～40%的SiO2、40～85%的Al2O3、5～30%的B2O3和0.5～7%的RO，其中，R是碱土金属。叠层体的至少一侧的最外层由硼成分挥发层构成。叠层体还在叠层体内部包括硼成分挥发层。构成叠层体的至少一侧的最外层的硼成分挥发层中的B2O3的含有率比叠层体内部的硼成分挥发层中的B2O3的含有率低。
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公开(公告)号：CN101466812A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200780022029.8
申请日：2007-05-15
Applicant: 日本电气硝子株式会社
CPC classification number: C09K11/025 , C03C8/08 , C03C8/14 , C09K11/7734
Abstract: 本发明提供一种荧光体复合材料和将其烧制而得到的荧光体复合部件，上述荧光体复合材料能够以低温烧制，并且能够制成耐候性优异、即使长时间使用劣化也少的荧光体复合部件。本发明的荧光体复合材料是包括玻璃粉末和荧光体粉末的荧光体复合材料，其特征在于，上述玻璃粉末是SnO－P2O5－B2O3类玻璃。
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公开(公告)号：CN114206794B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202080056009.8
申请日：2020-06-19
Applicant: 日本电气硝子株式会社
Inventor： 马屋原芳夫
Abstract: 本发明的玻璃粉末的特征在于，在包含碱硼硅酸玻璃的玻璃粉末中，在玻璃组成中包含Li2O+Na2O+K2O 0.1～1.0摩尔％(其中不含1.0摩尔％)，摩尔比Li2O/(Li2O+Na2O+K2O)为0.35～0.65，摩尔比Na2O/(Li2O+Na2O+K2O)为0.25～0.55，摩尔比K2O/(Li2O+Na2O+K2O)为0.025～0.20，且25℃、16GHz下的相对介电常数为3.5～4.0，25℃、16GHz下的介质损耗角正切为0.0020以下。
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公开(公告)号：CN115724588A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211025439.0
申请日：2022-08-25
Applicant: 日本电气硝子株式会社
Inventor： 马屋原芳夫
IPC: C03C12/00 , C03C10/04 , C03C10/06 , C04B35/195 , C04B35/20
Abstract: 本发明提供用于制作烧结体和高频用电路部件的结晶性玻璃粉末和玻璃陶瓷电介质材料。该烧结体能够以1000℃以下的温度对导体Ag不变色地进行烧制并且在20GHz以上的高频区域具有低的介质损耗角正切和高的抗弯强度。本发明的结晶性玻璃粉末的特征在于：进行热处理时，作为主结晶，析出(CaxMg2－x)Si2O6结晶(0.6≤x≤0.9)和(CaySr1－y)(Al2Si2O8)结晶(0.1≤y≤0.2)。
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公开(公告)号：CN114206794A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080056009.8
申请日：2020-06-19
Applicant: 日本电气硝子株式会社
Inventor： 马屋原芳夫
Abstract: 本发明的玻璃粉末的特征在于，在包含碱硼硅酸玻璃的玻璃粉末中，在玻璃组成中包含Li2O+Na2O+K2O 0.1～1.0摩尔％(其中不含1.0摩尔％)，摩尔比Li2O/(Li2O+Na2O+K2O)为0.35～0.65，摩尔比Na2O/(Li2O+Na2O+K2O)为0.25～0.55，摩尔比K2O/(Li2O+Na2O+K2O)为0.025～0.20，且25℃、16GHz下的相对介电常数为3.5～4.0，25℃、16GHz下的介质损耗角正切为0.0020以下。
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