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公开(公告)号：CN1934500A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580008475.4
申请日：2005-03-15
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08L101/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091 , C08G75/00 , C09D181/00 , C09D181/02 , H01L21/0276
Abstract: 本发明提供一种防反射膜和用于形成防反射膜的组合物，所述的防反射膜，防反射光的效果高，不发生与光致抗蚀剂的混合，能够在使用F2受激准分子激光(波长157nm)或ArF受激准分子激光(波长193nm)等短波长的光的光刻工艺中使用。本发明的用于形成防反射膜的组合物，其特征在于，包含固体成分和溶剂，硫原子在该固体成分中所占的比例为5～40质量％。上述固体成分包含具有至少5质量％的硫原子的聚合物等。
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公开(公告)号：CN1257435C
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN02807941.8
申请日：2002-04-10
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027 , C09D201/02 , C09D5/00 , C09D179/04 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/0276 , C08G18/791 , C08G73/0655 , C09D179/04 , G03F7/091
Abstract: 本发明涉及一种在制造半导体器件的光刻工艺中使用的形成防反射膜的组合物，其三聚氰酸或三聚氰酸衍生物或含有三聚氰酸或三聚氰酸衍生物衍生的结构单元的树脂作为组分。该结构单元优选用下式(1)表示，可包含在树脂的主链、侧链以及主链和侧链双方上。由本发明的形成防反射膜的组合物得到的光刻用防反射膜，防反射膜效果高，与抗蚀剂层不发生混合，可得到优异的抗蚀剂图案，并具有比抗蚀剂更大的干蚀刻选择性。
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公开(公告)号：CN1751271A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200480004773.1
申请日：2004-02-20
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027 , C08L33/14
CPC classification number: G03F7/094 , G03F7/038 , Y10S430/109 , Y10S430/128
Abstract: 本发明提供一种光刻用形成填隙材料的组合物，其在双镶嵌工艺中使用、用于形成平坦化性、填充性优异的填隙材料。具体的说是一种形成填隙材料的组合物，其特征在于，该组合物用于半导体器件的制造中，所述半导体器件的制造是通过在具有用高度/直径表示的纵横比为大于等于1的孔的半导体基板上被覆光致抗蚀剂，并利用光刻工艺在半导体基板上转印图像的方法进行的，该组合物含有聚合物、交联剂和溶剂。
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公开(公告)号：CN1668982A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN03816991.6
申请日：2003-07-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091 , H01L21/0276 , Y10S430/151
Abstract: 本发明提供一种包含由羟基烷基和烷氧基烷基取代的尿素化合物以及优选含有吸光性化合物和/或吸光性树脂的形成防反射膜的组合物、采用该组合物的半导体装置防反射膜的形成方法，以及采用该组合物的半导体装置的制造方法。本发明的组合物相对半导体装置制造中使用的波长的光具有良好的光吸收性，因此，具有较高的防反射光效果，此外具有比光致抗蚀剂层更大的干蚀刻速度。
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公开(公告)号：CN1545645A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN02816299.4
申请日：2002-08-13
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供防反射效果高，不发生与抗蚀剂层的混合，可得到优异的抗蚀剂图案，与抗蚀剂相比具有大的干蚀刻速度，具有比现有技术更宽的聚焦深度容限和高的分辨率的光刻用防反射膜。具体地，是在制造半导体装置的光刻工艺中使用的含有具有内酯结构的树脂的形成防反射膜的组合物。上述树脂，是在主链或与主链连接的侧链上导入了γ－内酯结构或δ－内酯结构的树脂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112625535A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011478711.1
申请日：2014-06-09
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C09D143/02 , C09D5/16 , C08F230/02 , C08F220/34
Abstract: 本发明提供具有抑制生物物质附着的能力的涂覆膜和离子络合材料、它们的制造方法、通过将特定的单体混合物聚合而得到的共聚物、具有特定的组成的涂覆膜形成用组合物、作为用于形成该膜的涂覆膜形成用组合物的原料使用的含有共聚物的清漆的制造方法、以及用于形成涂覆膜的溶胶。尤其是，提供通过包括以下工序的方法得到的涂覆膜：将涂覆膜形成用组合物涂布于基体的工序，以及于－200℃～200℃的温度进行干燥的工序，所述涂覆膜形成用组合物包含下述共聚物和溶剂，所述共聚物包含：包含式(a)表示的有机基团的重复单元和包含式(b)表示的有机基团的重复单元(式中，Ua1、Ua2、Ub1、Ub2及Ub3、以及An－如本说明书及权利要求书中所定义的那样)。
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公开(公告)号：CN105308137B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201480032648.5
申请日：2014-06-09
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C09D201/02 , B05D5/00 , B05D7/24 , B32B27/00 , C08F230/02 , C08L43/02 , C08L101/02 , C09D5/16 , C09D143/02
Abstract: 本发明提供具有抑制生物物质附着的能力的涂覆膜、该涂覆膜的制造方法、通过将特定的单体混合物聚合而得到的共聚物、具有特定的组成的涂覆膜形成用组合物、作为用于形成该膜的涂覆膜形成用组合物的原料使用的含有共聚物的清漆的制造方法、以及用于形成涂覆膜的溶胶。尤其是，提供通过包括以下工序的方法得到的涂覆膜：将涂覆膜形成用组合物涂布于基体的工序，以及于－200℃～200℃的温度进行干燥的工序，所述涂覆膜形成用组合物包含下述共聚物和溶剂，所述共聚物包含：包含式(a)表示的有机基团的重复单元和包含式(b)表示的有机基团的重复单元(式中，Ua1、Ua2、Ub1、Ub2及Ub3、以及An－如本说明书及权利要求书中所定义的那样)。或
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公开(公告)号：CN107430343B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201680018426.7
申请日：2016-03-18
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本申请的课题在于提供一种用于形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，所述光刻用抗蚀剂下层膜在半导体装置制造的光刻工艺中，不仅能够作为减轻对半导体基板上所形成的光致抗蚀剂层的曝光照射光从基板的反射的下层防反射膜来使用，而且特别适合作为用于将具有凹凸的半导体基板平坦地埋入的平坦化膜来使用。作为解决本发明课题的手段为一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：(A)分子内具有环状脂肪族骨架、1个以上环氧基以及光吸收部位的脂环式环氧化合物，(B)热产酸剂以及(C)溶剂。
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公开(公告)号：CN103838086B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201410113858.9
申请日：2005-09-27
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种防反射膜，其显示很高的防反射效果、不与光致抗蚀剂发生混合、可以形成在下部没有大的卷边形状的光致抗蚀剂图形、可以在使用了ArF准分子激光和F2准分子激光等的照射光的光刻工序中使用；还提供用于形成该防反射膜的形成防反射膜的组合物。本发明通过提供下述形成防反射膜的组合物而解决了上述课题，即，一种形成防反射膜的组合物，含有下述反应生成物，即，由具有2个或3个2,3－环氧丙基的异氰脲酸化合物与苯甲酸化合物进行反应而获得的反应生成物。
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公开(公告)号：CN103229101B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201180056901.7
申请日：2011-11-21
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: G02B1/041 , G03F7/0005 , G03F7/0233 , G03F7/40 , C08L35/00
Abstract: 本发明的课题是提供微透镜用感光性树脂组合物。作为解决本发明课题的方法是含有(A)成分、(B)成分和溶剂的微透镜用感光性树脂组合物。(A)成分：具有下述式(1)所示的马来酰亚胺结构单元和下述式(2)所示的重复结构单元的共聚物，(B)成分：感光剂，(上述式(2)中，R0表示氢原子或甲基，R1表示单键或碳原子数1～5的亚烷基，R2表示具有热交联性的1价有机基团。其中，上述式(2)所示的重复结构单元中R0彼此可以互不相同)。
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