公开(公告)号：CN1668982A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN03816991.6

申请日：2003-07-11

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 岸冈高广 ,  荒濑慎哉 ,  水沢贤一 ,  中山圭介

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  H01L21/0276 ,  Y10S430/151

Abstract: 本发明提供一种包含由羟基烷基和烷氧基烷基取代的尿素化合物以及优选含有吸光性化合物和/或吸光性树脂的形成防反射膜的组合物、采用该组合物的半导体装置防反射膜的形成方法，以及采用该组合物的半导体装置的制造方法。本发明的组合物相对半导体装置制造中使用的波长的光具有良好的光吸收性，因此，具有较高的防反射光效果，此外具有比光致抗蚀剂层更大的干蚀刻速度。

公开(公告)号：CN100514188C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN03816991.6

申请日：2003-07-11

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 岸冈高广 ,  荒濑慎哉 ,  水沢贤一 ,  中山圭介

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  H01L21/0276 ,  Y10S430/151

Abstract: 本发明提供一种包含由羟基烷基和烷氧基烷基取代的尿素化合物以及优选含有吸光性化合物和/或吸光性树脂的形成防反射膜的组合物、采用该组合物的半导体装置防反射膜的形成方法，以及采用该组合物的半导体装置的制造方法。本发明的组合物相对半导体装置制造中使用的波长的光具有良好的光吸收性，因此，具有较高的防反射光效果，此外具有比光致抗蚀剂层更大的干蚀刻速度。

公开(公告)号：CN1723418A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200380105388.1

申请日：2003-10-08

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 岸冈高广 ,  水沢贤一 ,  榎本智之 ,  坂本力丸 ,  中山圭介 ,  河村保夫

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种形成防反射膜的组合物，其用于对在半导体器件的制造中使用的波长的光显示良好的光吸收性，具有很高的防反射光效果，与光致抗蚀剂层相比较具有较大的蚀刻速度有机防反射膜。具体地，本发明提供一种形成防反射膜的组合物，其特征在于，含有具有羟基烷基结构作为氮原子上的取代基的三嗪三酮化合物、低聚物化合物或高分子化合物。

公开(公告)号：CN100547487C

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200380105388.1

申请日：2003-10-08

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 岸冈高广 ,  水沢贤一 ,  榎本智之 ,  坂本力丸 ,  中山圭介 ,  河村保夫

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种形成防反射膜的组合物，其用于对在半导体器件的制造中使用的波长的光显示良好的光吸收性，具有很高的防反射光效果，与光致抗蚀剂层相比较具有较大的蚀刻速度有机防反射膜。具体地，本发明提供一种形成防反射膜的组合物，其特征在于，含有具有羟基烷基结构作为氮原子上的取代基的三嗪三酮化合物、低聚物化合物或高分子化合物。