公开(公告)号：CN102040201A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010532909.3

申请日：2010-11-05

Applicant: 新疆大学

Inventor： 吴荣 ,  姜楠楠 ,  简基康 ,  潘东 ,  李锦 ,  孙言飞

IPC: C01B19/04 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种溶剂热可控制备ZnSe和ZnTe纳米材料的方法，是通过以下工艺过程实现的：将分析纯的Se源或Te源放入聚四氟乙烯内衬，加入乙醇胺溶剂使溶液体积占聚四氟乙烯内衬总体积的80％。磁搅拌数分钟，再加入分析纯的Zn源，磁搅拌均匀后密封反应釜，置于200℃烘箱中反应24小时，反应完成后清洗得到产物。本发明成功地用简单溶剂热方法在温和的条件下，通过改变Se源或Te源，首次在同一体系中一步可控合成具有闪锌矿或纤锌矿结构的ZnSe和ZnTe纳米材料。本发明的特点是：方法简单，成本低，产率高，产物均匀性好，可控性好，对环境危害小，易于推广且适合大规模生产。

公开(公告)号：CN101851781A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010137608.0

申请日：2010-04-01

Applicant: 新疆大学

Inventor： 简基康 ,  李海兵 ,  吴荣 ,  孙言飞 ,  李锦

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种无催化剂辅助化学气相沉积法生长III-V族半导体化合物AlN单晶纳米带和纳米分支结构的方法，是通过以下工艺过程实现的：将0.2g纯度为99.99％的Al粉放入陶瓷舟中，并将经过用酒精和去离子水超声清洗的多晶Al2O3基片作为衬底扣置于源的正上方5mm处，将陶瓷舟置于管式炉的正中央区域。密闭好容器后开始抽真空，当刚玉管系统真空度达到1×10-2帕时将流量为200cm3/min(sccm)的氩气通入系统中。接着，对系统进行加热，当炉温达到1400℃时通入流量为30sccm的氨气，保持一小时。最后，停止加热系统当温度下降至800℃时关掉氨气，在氩气的保护气氛下自然冷却到室温。本发明制备出的纳米带和纳米分支结构为单晶态的AlN。本发明所得的氮化铝纳米带和纳米分支结构具有形貌较均匀、沉积面积较大的特点；本发明不使用任何催化剂，方法简单，易于推广。