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公开(公告)号：CN109343642A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811462883.2
申请日：2018-12-03
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种带过温保护的非常规结构电压基准源，包括高精度迟滞过温保护检测电路、电源判决供给电路和非常规结构低温漂基准源产生电路。带过温保护的非常规结构电压基准源，利用结构的创新，在基准源的供电处引入过温保护的检测电路，通过高精度迟滞过温保护检测电路精确地控制基准源电路的工作状态，从而保护电路工作在正常的温度范围内，而在产生基准电压的过程中，采用了非常规的电路结构产生零温度系数的基准电压，即使同一个三极管即参与正温度系数的产生，也参与负温度系数的产生，并用一个稳压二极管进行补偿与调节，在保证过温保护特性的同时，也确保了基准源具备高性能。
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公开(公告)号：CN108774057A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201810719547.5
申请日：2018-07-03
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01F1/36
CPC classification number: C04B35/265 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B2235/3267 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , H01F1/344 , H01F1/36
Abstract: 本发明提供了一种用于LTCC环形器的NiCuZn旋磁铁氧体材料及其制备方法，属于磁性陶瓷材料制备领域。所述NiCuZn旋磁铁氧体材料由主料和二元复合掺杂构成，所述二元复合掺杂以MnO2和Bi2O3为原料，其中，MnO2的按照主料粉体质量的0.5wt％复合配置，Bi2O3的含量分别为所述主料粉体质量的0.0wt％，0.5wt％，1.0wt％，1.5wt％，2.0wt％，3.0wt％复合配置。同时，在制备用于LTCC环形器的NiCuZn旋磁铁氧体材料时采用新型烧结方法。本发明采用二元掺杂复合配置及新型烧结方法，进行旋磁性能调控制备的NiCuZn旋磁铁氧体材料，以解决在满足LTCC工艺之下，低温烧结中由于晶粒生长不充分，易出现多孔结构，导致密度低，空隙大，铁磁共振线宽高等技术难题。制备了很好旋磁性能的NiCuZn旋磁铁氧体材料，以广泛用于微波器件及微波电路系统中。
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公开(公告)号：CN108345344A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810384734.2
申请日：2018-04-26
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明涉及一种基于CMOS工艺的具有电阻补偿的带隙基准电路，属于模拟集成电路领域，具体涉及一种具有电阻补偿的带隙基准电路。本发明包括：带隙基准核心电路和补偿电流产生电路，其中补偿电流产生电路包括电流乘法器电路、IPTAT产生电路、IPTAT2产生电路、IPTAT4产生电路和Iout产生电路。本发明通过电路的巧妙转换，而无需采用多种工艺制造，在原理上使用类似电阻补偿方式进行补偿，但是实现并不需要真实电阻，从工艺的角度相比其他采用多种工艺的电阻补偿方式大大减少加工成本，解决了电阻对工艺的依赖性问题。并且本发明采用一种电阻方式进行补偿，大大提高了带隙基准的温度系数特性。
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公开(公告)号：CN108039885A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201810140080.9
申请日：2018-02-11
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H03K23/50
Abstract: 本发明公开了一种高速分频方法及具有占空比调节功能的高速分频器。分频器包括减法电路、反相电路、加法电路和调节电路。减法电路接收N位分频比信号和输入时钟信号并提供减法信号；反相电路接收所述减法信号并提供减反信号；加法电路接收所述减反信号和分频比信号的高(N‑1)位，其提供进位信号。在偶数分频情况下，该高速分频器可以获得占空比为50％的进位信号作为分频信号，避免了频率抖动；在奇数分频情况下，调节电路对进位信号补偿或调节，同样可以获得占空比为50％的分频信号。
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公开(公告)号：CN107070410A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710238977.0
申请日：2017-04-13
Applicant: 成都信息工程大学
CPC classification number: H03F1/0211 , H03F3/21 , H03F2203/21196
Abstract: 公开了一种动态电源放大器，包括放大电路、为放大电路提供正电源和负电源的电源提供装置以及控制电源提供装置的模式控制电路。动态放大器的正电源负电源可以随着输出信号而动态变化，减小了放大器输出晶体管的功率损耗，从而提高放大器的效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106374916A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201611038008.2
申请日：2016-11-23
Applicant: 成都信息工程大学
CPC classification number: H03L7/0814 , G11C7/222
Abstract: 本发明提出了一种时序控制全数字DLL控制电路、NAND FLash控制器控制方法，通过延迟锁定环实现对DQS进行90度延迟，送至NAND Flash控制器，保证从中间采样数据，完成数据精确地写入至存储器阵列和从阵列中读取数据；所述延迟锁定环由全数字电路构成，相比传统的模拟DLL电路，本发明的全数字具有功耗小，可移植性好，结构简单的优点，可实现90度、180度等多个相位延迟并具有自我调节能力，其中相位延迟的具体值可由应用层软件通过CPU写寄存器配置，采用增加或者减少延迟链中的延迟单元级数，来实现所配置的延迟度数，大大提高延迟锁定环的灵活性；通过配置多条延迟链，实现NAND Flash控制器对多个通道存储器NAND Flash颗粒读写访问操作时所需的时序延迟信号。
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公开(公告)号：CN208367105U
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201820482838.2
申请日：2018-04-04
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本实用新型提供了一种用电器在线监测设备，包括cs5460电量检测模块、电压电流互感模块、电源、量程切换电路、无线传输装置。本实用新型能够实时对电器进行在线监测，配合外部的单片机，特别是在0.005A-20A的超大量程上的应用，填补了国内电器状态检测及负荷分析于一体的空白。在此基础上，本实用新型能够为电力规划和调度人员提供了关键信息，实现智能化节电；同时用户可根据数据及时的了解电器安全隐患，在出现故障后可以准确的定位，在一定范围内也避免了电器长时间不必要开启，节约了电能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207896957U
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201820243607.6
申请日：2018-02-11
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H03K23/50
Abstract: 本实用新型公开了一种高速分频器，包括减法电路、反相电路和加法电路。减法电路接收N位分频比信号和输入时钟信号并提供减法信号；反相电路接收所述减法信号并提供减反信号；加法电路接收所述减反信号和分频比信号的高(N-1)位，其提供进位信号。在偶数分频情况下，该高速分频器可以获得占空比为50％的进位信号作为分频信号，避免了频率抖动；在奇数分频情况下，将进位信号进行补偿或调节，同样可以获得占空比为50％的分频信号。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207611302U
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201721919010.0
申请日：2017-12-29
Applicant: 成都信息工程大学 , 四川海创天芯科技有限公司 , 四川悠服科技有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 公开了一种模拟集成电路领域的高电源抑制比基准电压源，该基准电压源具有启动电路、基准单元和反馈电路，包括控制端、电源端、偏置端、基准提供端和接地端，其控制端接收控制信号VCON，其电源端耦接至外部电源VCC，其偏置端提供偏置电压VBA，其基准提供端提供一基准电压VREF。该基准电压源具有很高的电源抑制比。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207586786U
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201721894819.2
申请日：2017-12-29
Applicant: 成都信息工程大学 , 四川海创天芯科技有限公司 , 四川悠服科技有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 公开了一种模拟集成电路领域的高电源抑制比基准电流源，该基准电流源具有启动电路、基准单元和反馈电路，包括控制端、电源端、基准提供端和接地端，其控制端接收控制信号VCON，其电源端耦接至外部电源VCC，其基准提供端提供一与绝对温度成正比的PTAT电流。该基准电流源具有很高的电源抑制比。
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