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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116811447A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202311081736.1
申请日：2023-08-25
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及视觉定位技术领域，公开了一种基板纠偏和定位方法及相关设备，该基板纠偏和定位方法：通过获取基板偏转的基准角度以及目标位置，在基板实际纠偏和定位中，获取实时的基板偏转的实际角度和基板的实际位置，根据基准角度和实际角度的角度偏差控制转台对基板进行纠偏，根据目标位置和实际位置的位置偏差控制工作台对基板进行定位，解决了由于现有对多相机无共同视野进行标定的方法成本较高，标定过程复杂，计算繁琐的基板纠偏问题，通过本申请设置的基板纠偏和定位方法，不但可以满足基板纠偏微米级精度，而且相较于利用三维立体坐标系标定更加简单和高效。
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公开(公告)号：CN116619907A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310910197.1
申请日：2023-07-24
Applicant: 季华实验室
IPC: B41J2/045
Abstract: 本申请属于控制喷头驱动波形数据的技术领域，公开了一种喷头驱动波形数据优化方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取喷墨打印系统的喷墨打印参数，构建与喷墨打印参数对应的喷墨质量评估模型，根据喷墨打印参数和喷墨质量评估模型，建立采集函数，基于采集函数，对喷墨质量评估模型进行优化，得到最优喷墨质量评估模型，从最优喷墨质量评估模型对应的最优喷墨打印参数中提取得到最优喷头驱动波形数据，通过构建最优喷墨质量评估模型，对喷头驱动波形数据进行优化，提高了喷头驱动波形数据的优化效率。
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公开(公告)号：CN115635780A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211370051.4
申请日：2022-11-03
Applicant: 季华实验室
IPC: B41J29/393 , B41J3/44
Abstract: 本发明属于喷墨打印技术领域，公开了一种喷墨打印系统及方法。控制模块根据当前打印任务的打印分辨率确定目标旋转角度，控制旋转模块旋转；图像采集模块获取当前基板图像；FPGA图像处理模块通过多条并行处理线利用连通域算法从当前基板图像中并行提取打印槽的边缘轮廓，利用最小二乘法进行拟合以确定参考直线，根据参考直线与安装水平线确定当前旋转角度；控制模块在当前旋转角度与目标旋转角度一致时，控制旋转模块停止、控制喷头执行当前打印任务。通过上述方式，控制旋转模块进行旋转，使喷头与打印基板之间产生夹角，以完成分辨率多变的打印任务，并利用低延迟的并行连通域检测实现实时定位，满足了在打印过程中视觉定位的实时需求。
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公开(公告)号：CN115451638A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211201566.1
申请日：2022-09-29
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请公开了一种制冷控制方法、装置、设备及可读存储介质，该方法包括步骤：获取基板上的目标区域的第一温度值；若第一温度值大于第一预设阈值，则输出制冷指令至半导体制冷装置；制冷指令用于控制半导体制冷片启用制冷功能，并控制制冷压缩机启用液冷功能，制冷功能用于降低目标区域的温度，液冷功能用于半导体制冷片热端散热，以保证半导体制冷片的制冷效果；在半导体制冷装置启动后，获取目标区域的第二温度值；基于第二温度值的大小，输出调整指令至半导体制冷装置；调整指令用于调整半导体制冷片的制冷功率，并维持制冷压缩机功率不变，以控制半导体制冷装置的制冷效果。
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公开(公告)号：CN114441149A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210371679.X
申请日：2022-04-11
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提出的一种微米发光二极管检测系统及检测方法，属于发光二极管检测领域，其中，系统包括第一光发生模块，用于发出第一光信号至多个待测微米发光二极管，以使多个待测微米发光二极管生成第二光信号；高光谱相机，所高光谱相机用于采集第二光信号，获得光谱成像帧，光谱成像帧中包括多个待测微米发光二极管的光谱数据；控制模块，与高光谱相机连接，用于基于光谱成像帧，从多个待测微米发光二极管中确定出缺陷微米发光二极管，其中，多个待测微米发光二极管，在接收到第一光信号中的光能后，激发自身以生成第二光信号。本发明实现同时准确对多个微米发光二极管进行检测，提高了在生产中对微米发光二极管的检测效率。
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