薄膜形成方法及薄膜形成装置

    公开(公告)号:CN101622374A

    公开(公告)日:2010-01-06

    申请号:CN200880006087.6

    申请日:2008-02-22

    CPC classification number: C23C14/34 H01J37/32743 H01J37/32752 H01J37/34

    Abstract: 在利用反应性溅镀法形成规定的薄膜时,以能够在整个处理基板表面上形成大致均匀的膜厚分布以及大致均匀的比电阻值等膜质的形态构成溅镀装置。在等间隔并列设置了相同数量的阴极靶31a~31h的多个溅镀室11a、11b之间,将处理基板S传送到与各阴极靶相向的位置,通过给该处理基板所在的溅镀室内的各阴极靶提供电力,使各阴极靶发生溅射,在处理基板表面上层叠出相同或不同的薄膜。此时,在彼此连续的溅镀室之间以使处理基板表面与各阴极靶彼此间的区域相向的位置错位的形态改变处理基板的停止位置。

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