公开(公告)号：CN102881789A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210374452.7

申请日：2012-07-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 笔田麻佑子 ,  驹田聪 ,  海原竜

IPC: H01L33/06

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/04 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0033

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件及其制造方法，该氮化物半导体发光元件包括：第一导电型氮化物半导体层、设置在第一导电型氮化物半导体层上的超晶格层、设置在超晶格层上的活性层、设置在活性层上的第二导电型氮化物半导体层。超晶格层的平均载流子浓度高于活性层的平均载流子浓度。

公开(公告)号：CN101330121B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200810125316.8

申请日：2008-06-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小河淳 ,  驹田聪 ,  高冈宏树 ,  中津弘志

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光装置的制造方法，在包括夹置于衬底(101)上的n型氮化物半导体层(103、104)和p型氮化物半导体层(106至108)之间的氮化物半导体有源层(105)的氮化物半导体发光装置的制造方法中，n型层、有源层和p型层的至少任何之一包括多层膜结构，并且表面活性剂材料在包括在多层膜结构中的层的晶体生长之前、期间或者之后提供到晶体生长表面。

公开(公告)号：CN102468389A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110349704.6

申请日：2011-11-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 驹田聪

IPC: H01L33/32 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L33/305 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/305 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04

Abstract: 提供一种氮化物半导体发光元件，其包括：在基板上形成的n型氮化物半导体层、在该n型氮化物半导体层上形成的发光层、以及在该发光层上形成的p型氮化物半导体层；n型氮化物半导体层为一层或两层以上层叠而成的结构；构成n型氮化物半导体层的至少一层含有作为n型掺杂剂的Si和Sn，并且含有作为等电子掺杂剂的In。

公开(公告)号：CN101188264B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200710188680.4

申请日：2007-11-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 驹田聪

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/32

Abstract: 在具有n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间的有源层的氮化物半导体发光器件中，有源层具有多量子阱结构，其包括交替堆叠的多个InxGa1-xN(0＜x≤1)量子阱层和多个InyGa1-yN(0≤y＜1)势垒层；且势垒层的至少一个具有超晶格结构，其中周期性地堆叠具有互不相同的In组成比例的多个势垒子层。

公开(公告)号：CN102005523A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010271331.0

申请日：2010-09-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 驹田聪

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/24 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L33/325

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体元件及其制造方法及半导体层的制造方法。氮化物半导体层通过在氮化硅层上堆叠具有相对于氮化硅层的表面倾斜的表面的第一氮化物半导体层，然后在第一氮化物半导体层上堆叠第二氮化物半导体层来制造，氮化物半导体元件和氮化物半导体发光元件的每个都包括氮化物半导体层。

公开(公告)号：CN101188263B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200710188675.3

申请日：2007-11-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 驹田聪

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01L33/14

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光器件的制造方法，包括步骤：在基板上依次沉积第一n型氮化物半导体层、发光层、p型氮化物半导体层和含铟的p型氮化物半导体隧道结层；在所述基板的温度最高高于沉积所述p型氮化物半导体隧道结层时的基板的温度150℃时，在所述p型氮化物半导体隧道结层上沉积氮化物半导体蒸发减少层，所述氮化物半导体蒸发减少层具有大于所述p型氮化物半导体隧道结层的带隙；和在所述基板的温度高于沉积所述氮化物半导体蒸发减少层时的基板温度时，在所述氮化物蒸发减少层上沉积第二n型氮化物半导体层。

公开(公告)号：CN101276991B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200810090009.0

申请日：2008-03-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 驹田聪 ,  小河淳 ,  高冈宏树

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  C23C16/18 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明提供一种制造氮化物半导体发光器件的方法，该方法包括下述步骤：在生长所述活性层之前使表面活性剂材料与所述n型氮化物半导体层的表面或未掺杂氮化物半导体层的表面接触接触，或者在生长所述活性层的过程中或生长所述活性层之后使表面活性剂材料与已生长的晶体表面接触。该制造方法可获得具有较高发光效率的氮化物半导体发光器件。

公开(公告)号：CN101330121A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810125316.8

申请日：2008-06-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小河淳 ,  驹田聪 ,  高冈宏树 ,  中津弘志

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光装置的制造方法，在包括夹置于衬底(101)上的n型氮化物半导体层(103、104)和p型氮化物半导体层(106至108)之间的氮化物半导体有源层(105)的氮化物半导体发光装置的制造方法中，n型层、有源层和p型层的至少任何之一包括多层膜结构，并且表面活性剂材料在包括在多层膜结构中的层的晶体生长之前、期间或者之后提供到晶体生长表面。

公开(公告)号：CN101188262A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710169305.5

申请日：2007-11-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 驹田聪

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光器件，所述器件包括衬底，以及形成在所述衬底上的第一n型氮化物半导体层、发光层、第一p型氮化物半导体层、第二p型氮化物半导体层、p型氮化物半导体隧道结层、n型氮化物半导体隧道结层和第二n型氮化物半导体层，所述p型氮化物半导体隧道结层和所述n型氮化物半导体隧道结层形成了隧道结，并且所述p型氮化物半导体隧道结层具有比所述第二p型氮化物半导体层的铟含量比率更高的铟含量比率。所述p型氮化物半导体隧道结层和所述n型氮化物半导体隧道结层中的至少一个包括铝。