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公开(公告)号：CN107535033A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680021458.2
申请日：2016-04-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L51/52 , H01L51/5218 , H01L51/5271 , H05B33/06 , H05B33/22 , H05B33/28
Abstract: 本发明的一个方式的有机电致发光装置具备：基材；设置在上述基材上的薄膜晶体管；平坦化层，该平坦化层设置在上述薄膜晶体管上，且具有在与上述基材相反的一侧开口的接触孔；至少沿着上述接触孔的表面设置的反射层；填充层，该填充层隔着上述反射层被填充在上述接触孔的内侧，且具有透光性；和形成在上述平坦化层和上述接触孔上的有机EL元件。
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公开(公告)号：CN107533825A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680019830.6
申请日：2016-03-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09G3/3233 , G09G3/20 , G09G3/3291 , H01L51/50
Abstract: 本发明提供能够不产生显示品质降低或异常动作地进行监视处理的、包括互相独立的两个移位寄存器的显示装置。该显示装置包括：写入控制用移位寄存器，其包括多个第一单元电路(30)，该第一单元电路(30)包括第一升压电路(320)和第一输出节点重置电路(330)；和监视控制用移位寄存器，其包括多个第二单元电路(40)，该第二单元电路(40)包括第二升压电路(420)和第二输出节点重置电路(430)。使第一升压电路(320)的电流驱动能力比第二升压电路(420)的电流驱动能力大，并使第二输出节点重置电路(430)的电流驱动能力比第一输出节点重置电路(330)的电流驱动能力大。
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公开(公告)号：CN105247603B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201480030113.4
申请日：2014-06-20
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0819 , G09G2310/0291 , G09G2320/0233 , G09G2320/029 , G09G2320/041 , G09G2320/045 , G09G2320/0626 , G09G2330/021
Abstract: 本发明提供能够抑制电路规模的增大并且补偿电路元件的劣化的显示装置(特别是能够同时补偿驱动晶体管的劣化和发光元件的劣化这两者的显示装置)。监视行的1水平扫描期间(THm)包括：进行在监视行检测TFT特性和OLED特性的准备的检测准备期间(Ta)；进行用于检测TFT特性的电流测定的TFT特性检测期间(Tb)；进行用于检测OLED特性的电流测定的OLED特性检测期间(Tc)；和进行在监视行使有机EL元件发光的准备的发光准备期间(Td)。数据线不仅作为传送用于使各像素电路内的有机EL元件以所需的亮度发光的信号的信号线使用，还用作特性检测用的信号线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106663743A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580044906.6
申请日：2015-08-17
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L51/5016 , C09K11/06 , H01L51/0067 , H01L51/50 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L51/56
Abstract: 有机EL元件(10)在第一电极(2)与第二电极(4)之间至少具备：含有至少1种TADF材料作为主体材料的至少1层的激子生成层(33)；和含有至少1种荧光发光材料的至少1层的荧光发光层(34)。
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公开(公告)号：CN104380368B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201380033460.8
申请日：2013-07-24
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G09G3/3258 , G09G3/3233 , G09G3/3266 , G09G5/02 , G09G5/18 , G09G2300/0426 , G09G2300/0819 , G09G2300/0852 , G09G2300/0861 , G09G2310/0262 , G09G2320/043
Abstract: 提供削减了发射驱动器的电路规模的有机EL显示装置。发射驱动器(50)包括与各发射线对应设置的导通控制晶体管(T1e)和关断控制晶体管(T2e)。第i行导通控制晶体管(T1e)，其栅极端子和漏极端子与第i+1行扫描线(Si+1)连接，其源极端子与第i行发射线(EMi)连接。第i行关断控制晶体管(T2e)，其栅极端子与第i－1行扫描线(Si－1)连接，其漏极端子与第i行发射线(EMi)连接，其源极端子与低电平逻辑电源线(VSS)连接。
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公开(公告)号：CN105659311A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201480057667.3
申请日：2014-07-22
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G09G3/2022 , G09G3/2003 , G09G3/3233 , G09G3/3258 , G09G3/3266 , G09G2300/0443 , G09G2300/0452 , G09G2300/0804 , G09G2310/0235 , G09G2310/0286 , G09G2310/0289 , G09G2310/0291 , G09G2310/061 , G09G2310/08 , G09G2320/064 , G09G2330/021
Abstract: 使具有由电流驱动的自发光型显示元件的显示装置的边框尺寸比以往小。在发射驱动器(400)与发射线(EM)(第一发射线～第三发射线(EM1～EM3))之间，设置有对从发射驱动器(400)输出的发光使能信号(GGem)向发射线(EM)的供给进行控制的晶体管(Tem1～Tem3)。在这样的结构中，基于被供给至晶体管(Tem1～Tem3)的选择信号(SEL1～SEL3)，在各子帧，晶体管(Tem1～Tem3)中的1个成为导通状态，并且在1帧期间中，晶体管(Tem1～Tem3)分别成为导通状态各1次。
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公开(公告)号：CN105144274A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480022852.9
申请日：2014-03-04
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G09G3/30 , G09G3/3241 , G09G3/3266 , G09G2300/0426 , G09G2310/0202 , G09G2310/0251 , G09G2310/0275 , G09G2320/0285 , G09G2320/045 , G09G2330/021 , G09G2330/027 , G09G2330/028 , G09G2330/12
Abstract: 数据线驱动电路(120)对像素电路(11)内的驱动晶体管(T1)的栅极-源极间供给与检测用电压和基准电压(Vref)相应的电压，对通过驱动晶体管(T1)输出到像素电路(11)的外部的驱动电流进行检测。阈值电压修正存储器(142)按每个像素电路(11)存储表示驱动晶体管T1的阈值电压的数据。显示控制电路(100)基于阈值电压修正存储器(142)中存储的数据，控制基准电压(Vref)。由此，即使驱动晶体管的阈值电压变化，也能够以高精度检测驱动电流。阈值电压修正存储器(142)按每个像素电路(11)存储表示驱动晶体管(T1)的阈值电压与基准电压(Vref)之差的数据。
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