公开(公告)号：CN101882621A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN201010186357.5

申请日：2010-05-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 李辉 ,  瞿敏妮 ,  仇志军 ,  吴东平 ,  张世理

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239 ,  G11C13/02

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种碳纳米管网络结构存储器及制备方法。该存储器包括：以硅为衬底，衬底表面氧化形成二氧化硅绝缘层，在绝缘层上淀积源极、漏极两个电极，两个电极具有一定的间距，利用光刻胶在两个电极之间刻蚀一定长宽的窗口，窗口的长度为两电极间距，在此窗口中淀积一层碳纳米管形成碳纳米管网络通路，并与两端的电极形成接触。通过在衬底(背栅)施加正负电压来实现数据的存储与擦除，测量源极、漏极的电流来实现存储数据读出。该器件结构简单，易于制作与集成。

公开(公告)号：CN101777586A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN201010023067.9

申请日：2010-01-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  张世理 ,  葛亮 ,  仇志军

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66643 ,  H01L29/7839

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种混合结型源漏的场效应晶体管及其制备方法。该混合结型源漏场效应晶体管包括半导体衬底、栅极结构、侧墙、具有混合结的源区和漏区，所述混合结由肖特基结和PN结混合构成。同具有肖特基结的金属源漏场效应晶体管相比，本发明所述的场效应晶体管具有较低的漏电流特性，同时该种场效应晶体管的源漏串联电阻比PN结型源漏场效应晶体管的源漏串联电阻小。

公开(公告)号：CN101764058A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200910247379.5

申请日：2009-12-31

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  罗军 ,  朴颖华 ,  葛亮 ,  张世理 ,  仇志军

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，具体为一种形成超薄可控的金属硅化物的方法。该方法包括在硅衬底上沉积金属层，金属层向硅衬底扩散，除去硅衬底表面剩余金属，退火，形成金属硅化物薄层等步骤，沉积的金属包括镍、钴、钛或铂等。沉积金属时还可以掺入铂、钨或钼等。硅衬底中还可以掺入适量碳、氮或氧等。本发明可通过控制衬底温度，硅衬底的离子注入预处理，沉积、扩散和退火重复次数等手段控制金属硅化物最终厚度。本发明方法制备的金属硅化物层热稳定性高，且生长速度可控。本发明可以用来形成金属-半导体肖特基结，也可用于在高掺杂的半导体上形成金属和半导体之间的欧姆接触。