公开(公告)号：CN105990375B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201610137306.0

申请日：2016-03-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·里欧班端 ,  李宁 ,  D·K·萨达纳

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/14 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L27/144 ,  G02B6/00 ,  G02B6/12004 ,  G02B2006/12078 ,  G02B2006/12121 ,  G02B2006/12123 ,  H01L21/84 ,  H01L25/167 ,  H01L25/50 ,  H01L27/092 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1852 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/32316

Abstract: 一种用于将光电子器件和硅器件形成在单个芯片上的方法。该方法可以包括：在单个芯片的第一区域和第二区域中形成硅衬底；将锗层形成在至少第一区域中的衬底之上；将光电子器件形成在第一区域中的锗层上，光电子器件具有顶部熔覆层、底部熔覆层以及有源区域，底部熔覆层处在半导体层上，有源区域邻近波导并且处在底部熔覆层上，顶部熔覆层处在有源区域上；以及将硅器件形成在第二区域中的硅层上。

公开(公告)号：CN103426726B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310195201.7

申请日：2013-05-23

Applicant: 国际商业机器公司 ,  阿卜杜勒阿齐兹国王科技城

Inventor： S·W·比德尔 ,  K·E·福格尔 ,  P·A·劳罗 ,  李宁 ,  D·K·萨达那 ,  I·阿尔霍默迪

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/304 ,  B81C99/008 ,  H01L21/02002

Abstract: 本发明涉及使用应力源层部分的剥脱方法。提供了一种使用位于基础衬底的最上表面上的一部分但不是全部上的至少一个应力源层部分剥脱基础衬底的局部区域的方法。该方法包括提供具有均匀厚度和跨过整个基础衬底的平面最上表面的基础衬底。在基础衬底的最上表面的至少一部分但不是全部上形成具有形状的至少一个应力源层部分。执行剥脱，其从基础衬底去除材料层部分，并提供剩余的基础衬底部分。材料层部分具有至少一个应力源层部分的形状，而剩余的基础衬底部分具有位于其中的至少一个开口，该开口与至少一个应力源层的形状相关。

公开(公告)号：CN103426726A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310195201.7

申请日：2013-05-23

Applicant: 国际商业机器公司 ,  阿卜杜勒阿齐兹国王科技城

Inventor： S·W·比德尔 ,  K·E·福格尔 ,  P·A·劳罗 ,  李宁 ,  D·K·萨达那 ,  I·阿尔霍默迪

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/304 ,  B81C99/008 ,  H01L21/02002

Abstract: 本发明涉及使用应力源层部分的剥脱方法。提供了一种使用位于基础衬底的最上表面上的一部分但不是全部上的至少一个应力源层部分剥脱基础衬底的局部区域的方法。该方法包括提供具有均匀厚度和跨过整个基础衬底的平面最上表面的基础衬底。在基础衬底的最上表面的至少一部分但不是全部上形成具有形状的至少一个应力源层部分。执行剥脱，其从基础衬底去除材料层部分，并提供剩余的基础衬底部分。材料层部分具有至少一个应力源层部分的形状，而剩余的基础衬底部分具有位于其中的至少一个开口，该开口与至少一个应力源层的形状相关。