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公开(公告)号：CN108183103A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201810124228.X
申请日：2015-11-16
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H01L27/088 , H01L27/146 , H01L29/78 , H01L49/02 , H04N5/355 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378 , H01L21/8234
CPC classification number: H04N5/3559 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/14612 , H01L27/14656 , H01L27/14689 , H01L28/40 , H01L29/78 , H04N5/357 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/37452 , H04N5/378
Abstract: 本发明的一个课题在于提供一种对进一步发展产业、实现更放心更安全的社会作出大的贡献的光传感器的信号读出方法和摄像装置的信号读出方法。本发明的一个解决方法是一种光传感器，该光传感器具有受光元件、用于蓄积电荷的蓄积电容、以及用于将通过输入到所述受光元件的光所产生的电荷传送到所述蓄积电容的传送开关，在该光传感器中，所述蓄积电容是浮动扩散电容和横向溢出蓄积电容，所述传送开关是非LDD/MOS晶体管，且该传送开关的漏极区域中的杂质浓度为少50％的浓度的非LDD/MOS晶体管。
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公开(公告)号：CN106796173A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580046756.2
申请日：2015-02-23
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: G01N21/27
Abstract: 本发明提供一种能够通过简单的方法以不破坏的方式准确且迅速地测定规定的化学成分的直至极微量范围的浓度的浓度测定方法，以及能够准确、迅速且实时地测定被测定对象中的化学成分的直至纳米级的极微量浓度范围的浓度、并具备在各种形态和方式中能够被具体化的万能性的浓度测定方法。利用分时法向被测定对象分别照射针对被测定对象而言的光吸收率不同的第一波长的光和第二波长的光，由共通的光接收传感器接收通过各波长的光的该照射而以光学的方式从被测定对象通过的各波长的光，形成与该光接收相应地从所述光接收传感器输出的与第一波长的光相关的信号和与第二波长的光相关的信号的差动信号，根据该差动信号导出被测定对象中的化学成分的浓度。
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公开(公告)号：CN106687800A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201580046757.7
申请日：2015-08-24
Applicant: 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供一种能够通过简单的方法以不破坏的方式准确且迅速地测定规定的化学成分的直至极微量范围的浓度的浓度测定方法以及能够准确、迅速且实时地测定被测定对象中的化学成分的直至纳米级的极微量浓度范围的浓度、并具备在各种形态和方式中能够被具体化的万能性的浓度测定方法。利用分时法向被测定对象分别照射针对被测定对象而言的光吸收率不同的第一波长的光和第二波长的光，由共通的光接收传感器接收通过各波长的光的该照射而以光学的方式从被测定对象通过的各波长的光，形成与该光接收相应地从所述光接收传感器输出的与第一波长的光相关的信号和与第二波长的光相关的信号的差动信号，根据该差动信号导出被测定对象中的化学成分的浓度。
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公开(公告)号：CN103988494B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201280061037.4
申请日：2012-12-12
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 奥林巴斯株式会社
Inventor： 须川成利
CPC classification number: H04N5/3742 , H04N5/363 , H04N5/37457
Abstract: 本发明提供一种能够除去像素的复位噪声的固体摄像装置。固体摄像装置(1)具有：像素(2)，其在行列方向上被排列，具有对通过传输单元从光电荷转换元件传输的信号电荷进行电压转换的电荷电压转换端子和对电荷电压转换端子的电压进行复位的第一复位单元；第一信号布线(8)，其连接各列的像素(2)；第一扫描单元，其择一地选择行；以及恒定电流电路元件(11)，其向第一信号布线(8)供给恒定电流，固体摄像装置(1)进行：在由第一扫描单元选择的行中，将由第一复位单元电荷复位的电压转换端子的复位电压读出并保存到由恒定电流电路元件(11)供给恒定电流的第一信号布线(8)中后进行输出的动作；以及将通过传输单元从光电荷转换单元传输了信号电荷的电荷电压转换端子的电压读出并保存到由恒定电流电路元件(11)供给恒定电流的第一信号布线(8)中后进行输出的动作。
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公开(公告)号：CN102057666A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980121963.4
申请日：2009-06-10
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 株式会社岛津制作所
CPC classification number: H04N5/335 , H01L27/14643 , H04N5/355 , H04N5/378
Abstract: 对在像素区域(2a、2b)中呈二维状进行排列的每个像素(10)设置像素输出线(14)，在延伸至存储区域(3a、3b)的像素输出线(14)上连接存储单元(20)。存储单元(20)具备写入侧晶体管(21)、读出侧晶体管(22)、以及保持104帧信号的存储部(24)。所有像素同时执行光电荷蓄积，将通过光电荷的蓄积而生成的信号输出到像素输出线(14)。在存储单元(20)中，通过接通写入侧晶体管(21)并在每次曝光中使不同的存储部(24)的取样晶体管顺次导通来将信号顺序地保持到各电容器中，在突发拍摄结束之后将所有像素信号依次读出。由于不像CCD那样对所有栅极负载一齐进行驱动，因此抑制了功耗并能够进行高速驱动，从而较于以往能够进行高速的突发拍摄。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102057483A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980121220.7
申请日：2009-05-22
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 财团法人国际科学振兴财团
CPC classification number: H05K1/0218 , H01L23/66 , H01L2223/6616 , H01L2223/6627 , H01L2223/6688 , H01L2924/0002 , H01L2924/19032 , H01L2924/3011 , H05K1/025 , H05K1/0265 , H05K3/4652 , H05K2201/0191 , H05K2201/0352 , H05K2201/0715 , H05K2201/096 , H05K2201/09618 , H05K2201/09727 , H05K2201/09972 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种多层配线基板。多层配线基板(100)具有：第一配线区域(101)，其中配线(103a)和绝缘层(104a，104b)交替地层叠；以及第二配线区域(102)，其中相对于第一配线区域(101)的绝缘层的厚度H1，绝缘层(104)的厚度H2是2倍以上，并且相对于配线宽度W1，配线(103b)的宽度W2为2倍以上。第一配线区域(101)和第二配线区域(102)被一体地形成在同一基板上。
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公开(公告)号：CN101796822A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200880105558.9
申请日：2008-09-04
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 株式会社岛津制作所
IPC: H04N5/335 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/35527 , H04N5/37452 , H04N5/378
Abstract: 本发明提供一种固体摄像元件，在半导体基板上分开设置二维阵列状排列了包括光电二极管的像素(10)的像素区域(2a)、配置了保持连续摄影帧数份的在各像素中生成的信号的存储部的存储区域(3a)。所有像素同时执行光电荷蓄积，并使通过光电荷的蓄积而生成的信号通过分别独立的像素输出线(14)来并行输出。而且，在连接在一根像素输出线上的多个存储部中，通过在每次曝光时按顺序使不同存储部的采样晶体管导通来依次在各存储部的电容中保持信号，在结束连续摄影之后依次读取所有像素信号。由于不像CCD那样一齐驱动所有栅极负载，因此能抑制耗电且能进行高速驱动。另外，由于分开了存储区域和像素区域，因此也能防止因过剩的光电荷的流入而引起信号的劣化。由此，能进行比以往更高速的连续摄影同时能提高摄影图像的品质。
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公开(公告)号：CN100525401C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200580018434.3
申请日：2005-04-12
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H04N5/335 , H01L27/146
Abstract: 提供维持高灵敏度、高S/N比的同时能实现宽动态范围的固体摄像装置和光传感器、维持高灵敏度、高S/N比的同时能实现宽动态范围的固体摄像装置的动作方法。把接收光并且产生、积蓄光电荷的光电二极管PD、积蓄从光电二极管溢出的光电荷的积蓄电容元件Cs经由转送晶体管Tr1连接的结构的像素集成为阵列状。这里，积蓄电容元件Cs采用在从光电二极管PD的积蓄期间内以给定的期间比率设定的积蓄电容元件积蓄期间TCS中，积蓄从光电二极管PD溢出的光电荷。
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公开(公告)号：CN101164334A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200680008769.1
申请日：2006-04-06
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H04N5/335 , H01L27/146 , H01L31/10
CPC classification number: H04N5/35572 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14656 , H04N5/3559 , H04N5/374 , H04N5/37452
Abstract: 本发明提供一种光传感器、固体摄像装置和固体摄像装置的动作方法。在具有接收光并且生成光电荷的光电二极管、和传送光电荷的传送晶体管(或溢流门)的光传感器、固体摄像装置等光设备中，具有经由所述传送晶体管或溢流门将在存储动作时从所述光电二极管溢出的光电荷存储在多个存储电容元件中的结构，由此，能取得维持高灵敏度、高S/N比，并且动态范围宽的光设备。
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公开(公告)号：CN109804466B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201680089904.3
申请日：2016-10-07
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H01L27/146 , H01L21/336 , H01L29/78 , H04N25/44 , H04N25/57
Abstract: 本发明的课题之一在于提供一种对于工业的进一步发展、实现更放心更安全的社会作出较大贡献的光传感器、固体摄像装置以及它们的信号读出方法。本发明的解决方案之一是一种光传感器，具有受光元件、蓄积电荷的蓄积电容以及用于将通过输入到所述受光元件的光所产生的电荷传送到所述蓄积电容的传送开关，在该光传感器中，所述蓄积电容为浮动扩散电容和横向溢出蓄积电容，所述传送开关为LDD/MOS晶体管，并且使其漏极区域中的杂质浓度成为特定的浓度。
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