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公开(公告)号:CN117995321A
公开(公告)日:2024-05-07
申请号:CN202410051060.X
申请日:2024-01-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00 , G06F30/27 , G06F18/243 , G06N20/20 , G06N20/10 , G06F113/26 , G06F119/08 , G06F111/08
Abstract: 本发明公开了一种人工蜂群优化机器学习方法设计的马氏体时效钢及方法,步骤如下:数据收集、多尺度数据融合、人工蜂群优化机器学习模型建立、PSO粒子群算法反向寻优、筛选成分工艺进行实验验证,该方法设计的马氏体时效钢屈服强度为800~2800MPa,抗拉强度为900~2900MPa,伸长率为16%以下,面缩率为80%以下,硬度为30~60Hv。本发明主要解决了目前国内外超高强马氏体时效钢的强韧化设计周期长、成本高、目标性能难以兼顾的问题,基于热力学、第一性原理计算和机器学习的整合设计方法则能够大大减小试验次数和时间,对材料的屈服强度、抗拉强度、面缩率、伸长率及硬度进行了全方位预测,能够有效提高生产效率和产品性能。
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公开(公告)号:CN117371368A
公开(公告)日:2024-01-09
申请号:CN202311393066.7
申请日:2023-10-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/33 , G06F30/337
Abstract: 本发明的一种面向FLASH阵列的器件仿真方法,涉及一种半导体器件仿真方法。目的是为了克服FLASH存储器阵列中FLASH存储单元仿真难以准确评估不同位置FLASH存储单元的电性能的问题,具体步骤如下:一、在FLASH阵列的漏端和源端分别施加电压Vd施加电压Vs,计算得到该FLASH阵列中待仿真的FLASH存储单元的漏端电压和源端电压;二、向待仿真的FLASH存储单元的漏端和源端分别施加漏端电压和源端电压,计算待仿真的FLASH存储单元的电性能。
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公开(公告)号:CN115650233B
公开(公告)日:2023-12-01
申请号:CN202211350266.X
申请日:2022-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/921
Abstract: 一种基于气液界面作用的超薄MXenes膜的制备方法,本发明属于纳米材料技术领域。本发明要解决现有MXenes薄膜的制备方法,或存在无法制备纳米级别薄膜,或存在无法获得纯净的纳米级别薄膜的问题。方法:一、MXenes湿膜的制备;二、超薄MXenes膜的制备。本发明用于基于气液界面的超薄MXenes膜的制备。
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公开(公告)号:CN117116671A
公开(公告)日:2023-11-24
申请号:CN202311103130.3
申请日:2023-08-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01G11/86 , H01G11/30 , C01B32/921
Abstract: 本发明涉及储能技术领域,特别是涉及一种基于聚沉自组装的MXene薄膜的制备方法、产品及应用。本发明基于聚沉自组装的MXene薄膜的制备方法,包括以下步骤:将MXene的前驱体加入到刻蚀剂中进行刻蚀,之后离心、清洗,得到Ti3C2TX沉淀;用去离子水稀释所述Ti3C2TX沉淀后超声得到少层Ti3C2TX纳米片悬浊液;向所述少层Ti3C2TX纳米片悬浊液中加入一价阳离子溶液,搅拌,得到絮状沉淀;将所述絮状沉淀进行抽滤、冻干得到所述基于聚沉自组装的MXene薄膜。本发明方法通过聚沉自组装的方式在MXene中引入孔洞,并使之形成三维大孔的结构,这种方法不仅可以阻碍纳米片的重堆积,还可以极大地提高活性表面积。
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公开(公告)号:CN113300566B
公开(公告)日:2023-07-07
申请号:CN202110656591.8
申请日:2021-06-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H02K41/03
Abstract: 模块化横向磁通永磁同步直线电机,属于永磁电机领域,本发明为解决现有横向磁通永磁同步直线电机永磁体利用率低、永磁体和电枢漏磁大、功率因数低的问题。本发明包括初级和次级,初级设置于次级外部;初级包括初级电枢,初级电枢为m相,各相沿轴向均匀分布且依次间隔2iτ±2τ/m,i=0,1,2,…;每相包括k个电枢单元,且k个电枢单元沿圆周方向均布;k个电枢单元中绕组通过串联或者并联构成一相绕组;每个电枢单元由h个沿轴向方向均匀分布的U型电枢模块构成,相邻U型电枢模块的绕组反向串联,且每相中相邻U型电枢模块中心的轴向距离为τ。
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公开(公告)号:CN114598230A
公开(公告)日:2022-06-07
申请号:CN202210208896.7
申请日:2022-03-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H02P25/022 , H02P25/22 , H02P23/00 , H02P23/04 , H02P29/028 , H02P29/40
Abstract: 考虑开路下二四次转矩波动的五相永磁电机容错电流计算方法,属于多相永磁电机领域,本发明为改善反电势包含三、五次谐波的五相永磁电机在开路故障下的转矩性能,使电机具备开路故障下平稳运行的能力。本发明方法在发生开路故障时仅调整非开路相电流相位,抑制故障后转矩中和反电势基波、三次谐波和五次谐波相关的2、4次转矩波动成分,以维持低转矩波动特性,进而实现平稳容错运行。开路故障分为一相绕组开路故障和逆变器开关管开路故障两种类型,限定条件为不约束零序电流,本发明在保证电机转矩输出能力的前提下,有效的降低了五相电机发生一相绕组开路故障和逆变器开关管开路故障时容错运行的转矩波动。
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公开(公告)号:CN113141356A
公开(公告)日:2021-07-20
申请号:CN202110402092.6
申请日:2021-04-14
Applicant: 国网山东省电力公司淄博供电公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司 , 哈尔滨工业大学(威海)
Inventor: 张朋丰 , 田川 , 王勇 , 姚宁 , 刘新 , 王文婷 , 王昭璇 , 王强 , 李磊 , 管荑 , 马强 , 刘勇 , 张辰 , 商涛 , 刘晶 , 刘琳 , 翟健 , 胡晓敏 , 马海涛 , 朱丽瑾 , 杨旭
Abstract: 本发明属于云计算领域,提供了一种云计算平台下微隔离装置及方法。其中,该装置包括管理中心和Agent探针模块;所述Agent探针模块安装在云计算平台中各个服务器上,用于监控相应服务器上的流量和行为以及巡检相应服务器的安全,并将监控信息及巡检信息上传至管理中心进行存储;所述管理中心,用于配置监控信息及巡检信息的访问规则并下发至各个服务器的Agent探针模块中;所述Agent探针模块,还用于将当前访问信息与所述管理中心下发的访问规则进行匹配,若符合访问规则,则继续访问;否则,阻断当前连接。
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公开(公告)号:CN111733445B
公开(公告)日:2021-06-15
申请号:CN202010467308.2
申请日:2020-05-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种三元过渡金属氧化物的二维晶体材料及其制备方法,属于过渡金属氧化物光电子材料技术领域。本发明解决现有氧化物的二维材料制备方法制备三元过渡金属氧化物存在的问题。本发明采用水热辅助法和过饱和析出两步法以纯液相的方法析出二维KNbO2·xH2O二维晶体,通过控制过饱和度和生长时间,实现了KNbO2·xH2O二维晶体的厚度及横向尺寸可控生长,再通过简易的退火脱去结晶水,制备出了具有层状结构的KNbO2三元过渡金属氧化物的二维晶体材料。本申请进一步拓展了三元氧化物二维材料的制备方法,并且该方法有效避免传统水热法需要在密闭反应容器中固态原材料通过水热反应获得固态氧化物纳米材料。
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公开(公告)号:CN107942139B
公开(公告)日:2020-03-17
申请号:CN201711458895.3
申请日:2017-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R23/16
Abstract: 本发明公开一种电力谐波参数软件同步采样方法,包括如下步骤:a1:设置每周期采样点数N,N为每周期的采样点数;a2:测出前W个周期时间长度Xi,并存储,其中i=1、2…W;a3:根据测量的前W个周期时间长度,计算平滑系数α,并储存α值;a4:根据三次指数平滑模型,预测下一采样周期的时间长度;a5:根据公式Ts=T/N,计算出采样时间间隔,进行下一周期采样,储存采样值;a6:判断已采样周期数是否达到W个,若是,进入a7,若否,进入a8;a7:去掉最早一周期数据,加入最新一周期的采样值,通过离散傅里叶变换方法计算谐波参数,返回a8,a8:去掉最早一周期数据,通过过零点检测,存储最新一周期的周期时间长度,返回a3。
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公开(公告)号:CN107070161B
公开(公告)日:2020-01-14
申请号:CN201710202892.7
申请日:2017-03-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H02K35/02
Abstract: 基于磁场调制原理的双动子双绕组平板型直线发电机,属于波浪发电用直线发电机领域,本发明为解决现有直驱式波浪发电系统发电品质较差的问题。本发明包括机壳、双绕组定子、永磁动子、调制动子、永磁动子输出端和调制动子输出端;双绕组定子以轴线平面为对称面对称固定在机壳的上下内表面上,双绕组定子内部设置有永磁动子,永磁动子与双绕组定子之间设置有调制动子;永磁动子的右端从机壳的右侧端盖伸出作为永磁动子输出端;调制动子是以轴线平面为对称面的对称结构;调制动子左侧从壳体伸出作为调制动子输出端;调制动子输出端和永磁动子输出端的轴线对称平面重合。
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