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公开(公告)号：CN110205597A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910628957.3
申请日：2019-07-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 多段式双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射方法，属于材料制造技术领域，本发明为解决现有双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射方法中正向脉冲对负向脉冲所产生的离子的推动加速作用效率低的问题。本发明维持真空室的真空度为0.1～5.5Pa，开启多段式双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射电源，对待镀样品进行薄膜沉积5～240min，多段式双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射电源将双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射电源的单负向脉冲拆分为两段，分别为负向1脉冲和负向2脉冲，在负向1脉冲后施加正向1脉冲，在负向2脉冲后施加正向2脉冲，在负向1脉冲和正向1脉冲之间施加负向1高脉冲，在负向2脉冲和正向2脉冲之间施加负向2高脉冲。本发明用于磁控溅射。
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公开(公告)号：CN105112883A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510475012.4
申请日：2015-08-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 偏压调控栅网等离子体浸没离子沉积DLC方法。它涉及等离子体浸没离子沉积DLC方法。本发明是要解决现有MPIID方法沉积DLC薄膜存在结合力差、薄膜性能不易调控及大型或复杂零件沉积DLC膜不均匀性的问题。方法：一、将栅网连同工件置于真空室内，工件放到栅网内样品架上，栅网与工件绝缘，栅网接栅网高压脉冲电源，工件接工件高压脉冲电源；二、工件溅射清洗；三、等离子氮化处理；四、溅射刻蚀处理；五、SiC过渡层制备；六、偏压调控薄膜的制备。本发明用于制备偏压调控栅网等离子体浸没离子沉积DLC膜。
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公开(公告)号：CN102409371B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201110387712.X
申请日：2011-11-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D1/02
Abstract: 利用阳极极化曲线检测合金微弧氧化起弧特性的方法，本发明涉及合金微弧氧化的方法。本发明是要解决现有的利用微弧氧化实验过程去验证电解液中添加剂的种类及用量对微弧氧化起弧特性影响的方法而造成的工作量大、浪费电能和溶液原料的技术问题。本发明的方法：测定合金在待验证电解液中的以电压U为横坐标、以电流I为纵坐标的阳极极化曲线，以是否存在钝化区来确定是否可以进行微弧氧化，以钝化区间宽窄，确定合金在电解液中微弧氧化起弧放电的电压高低，当钝化区间宽度相近时，以钝化膜层失稳前极化电流的大小确定合金在该电解液中微弧氧化起弧放电电压高低；本发明的方法为低压、低电流密度过程，节约能源。可用于预测合金微弧氧化起弧特性。
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公开(公告)号：CN101951146B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201010289165.7
申请日：2010-09-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H02M3/07
Abstract: 陡下降沿低功耗的等离子浸没离子注入用高压脉冲调制器及调制方法，属于脉冲功率技术领域。它解决了现采用的等离子浸没离子注入用高压脉冲调制器输出脉冲的下降沿长的问题。它采用真空电子管作为主开关调制高压脉冲，用充电IGBT串联开关控制高压脉冲电容器的充电过程，消除了充电限流电阻上的功耗；当高压脉冲关断时，下拉IGBT串联开关开通，负载电容和寄生电容中残留的电荷能够迅速流经放电限流器件和下拉IGBT串联开关释放掉，使得输出高压脉冲的下降沿大大减小。本发明用于等离子体浸没离子注入工艺中对高压脉冲的精确控制。
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公开(公告)号：CN102191530A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110107410.2
申请日：2011-04-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/30
Abstract: 一种基于碳酸盐添加剂诱导CO2增强析气对膜层结构进行调制的镁合金微弧氧化方法，涉及一种微弧氧化方法。本发明提供一种基于碳酸盐添加剂诱导CO2增强析气对膜层结构进行调制的镁合金微弧氧化方法，既可在阳极区产生CO2气体，又可以对膜层表面结构进行调制。方法：一、微弧氧化处理液的配制；二、镁合金表面除油清洗；三、水洗；四、微弧氧化处理；五、干燥，即得到微弧氧化陶瓷膜。本发明在氧气析出的同时有二氧化碳析出，并通过二氧化碳分解逸出在膜层表面形成一定孔隙，达到对膜层的孔隙率进行调节的目的，进而调整膜层结构。应用于材料表面处理技术领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101838795A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010213894.4
申请日：2010-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 高功率复合脉冲磁控溅射离子注入与沉积方法，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决采用通过在工件上施加负高压脉冲的方法存在大颗粒；薄膜沉积效率低的问题。本发明方法包括：一、将工件置于真空室内的样品台上，工件接高压脉冲电源，磁控溅射靶源接磁控溅射电源，二、注入与沉积：待真空室内的真空度小于10-2Pa时，通入工作气体至0.01～10Pa，开启高压脉冲电源，并调节高压脉冲电源输出脉冲的电压值为0.5～100kV，脉冲频率为0～1000Hz，脉宽为0～500μs，开启磁控溅射电源，先通过直流起辉预离化，调节所需工艺参数，控制两个电源电压相位差为-1000～1000μs，进行离子注入与沉积。
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公开(公告)号：CN101649445A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910306400.4
申请日：2009-08-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/48
Abstract: 一种内电极移动式内表面等离子体离子注入方法，涉及一种等离子体材料表面改性方法。它解决了现有的内表面等离子体离子注入方法存在离子注入不均匀，以及待处理管筒的直径受限制的问题。它的方法是：一、采用等离子体源在真空室内产生等离子体，将待处理的管筒放置于所述真空室内，并对待处理的管筒施加高脉冲负偏压；二、将一根辅助阳极放置在待处理的管筒内，并将辅助阳极接地，所述辅助阳极与待处理的管筒之间产生电场，等离子体中的离子在电场作用下进入到待处理的管筒内部，并注入到待处理管筒的内表面上；三、使所述辅助阳极沿着待处理管筒的轴线运动，实现待处理管筒的整管内表面离子注入。本发明适用于处理内径较小的管筒内壁的离子注入。
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公开(公告)号：CN101365289A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810137235.X
申请日：2008-09-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 空心阴极耦合正偏压管筒内表面注入离子的装置及方法，它涉及一种管筒内表面注入离子的方法及装置。本发明解决了在较细的管筒内产生等离子体困难的问题。装置是：空心阴极管(9)的一端设置在工件管筒(10)内，高压脉冲电源(7)的正极通过低通滤波器(6)连到空心阴极管(9)上，射频电源系统(3)通过匹配保护电路(4)连到空心阴极管(9)上；方法是：气体在射频脉冲的作用下在空心阴极管内产生等离子体，等离子体受到电场的作用，飞向工件管筒(10)内壁形成离子注入。本发明通过在工件管筒内放入空心阴极管，减小了被处理工件管筒的直径，并能容易建立等离子体，通过使空心阴极管处于脉冲正偏压，提高了工件管筒内表面离子注入效率。
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公开(公告)号：CN101220454A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200810063860.4
申请日：2008-01-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种表面抗菌、耐磨的金属/陶瓷纳米多层膜的制备方法，它涉及一种纳米多层膜的制备方法。本发明解决了制备整体抗菌材料成本高、难度高，而表面处理的抗菌材料耐磨性差的问题。本方法如下：采用磁控溅射法，本底真空度为10－4～10－2Pa；在氩气与氮气、乙炔或甲烷三种气体中的一种的气体流量比为2～17∶1，总气压为0.1～1.0Pa，磁控溅射电流为0.2～50A，电压为300～600V，基体偏压为－50～－400V，沉积温度为80℃～400℃的条件下，对对靶进行溅射。本发明制备的纳米陶瓷/金属多层膜的耐磨性能好，抗菌率在95％以上。本发明没有污染，成本低，易于实现，具有良好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN1322163C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200410044012.0
申请日：2004-11-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/48
Abstract: 绝缘材料零部件等离子体注入方法及其注入装置，涉及一种对绝缘材料零部件的离子注入方法及注入装置。传统的等离子体注入的条件是工件能够导电，对于绝缘材料无法注入。本发明的注入方法，是在绝缘材料零部件(1)的外部设置接脉冲高压电源负极的、可与绝缘材料零部件相对旋转的金属条(4)或金属筒栅(5)。本发明的注入装置，绝缘材料零部件(1)通过动密封与电机轴(8)相连，在所述绝缘材料零部件(1)的周围固定有金属条(4)或金属筒栅(5)；另一种装置，在绝缘材料零部件(1)的周围设有与电机轴(8)相连的金属条(4)或金属筒栅(5)。本发明的装置及方法可以处理较大面积的绝缘材料零部件，该处理方法效率高，效果好；本发明的装置结构简单，制造成本低，利于推广应用。
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