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公开(公告)号:CN103360041B
公开(公告)日:2014-07-02
申请号:CN201310307820.0
申请日:2013-07-22
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: C03C10/12
Abstract: 本发明涉及一种碳/二硅酸锂复合陶瓷材料及其制备方法,其以SiO2、Li2O、P2O5、ZnO、CaO、K2O和碳粉为原料,各组份的质量百分比为:SiO267.6~73.6%、Li2O16.9~18.7%、P2O52.3~5.3%、ZnO0.8~3.1%、CaO1.1~2.3%、K2O1.8~5.3%、碳粉0.2~0.9%;在1400oC-1500oC对上述氧化物组成的玻璃混合料进行晶化热处理,制成基础玻璃体,与碳粉混合球磨后通过热压烧结,高温脱模并随炉冷却,得到碳/二硅酸锂复合陶瓷材料。该材料具有较好的机械性能,强度较高,化学稳定性好,其不同于其他二硅酸锂复合材料的地方在于它的耐磨损性能和自润滑性能较好,适于作为金刚石刀片和金刚石砂轮的修整材料使用。
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公开(公告)号:CN103774343A
公开(公告)日:2014-05-07
申请号:CN201410068387.4
申请日:2014-02-27
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明涉及一种纳米腈纶无纺布的制备方法,将聚丙烯腈(PAN)颗粒溶于N-N二甲基甲酰胺(DMF)中,配成质量百分数为12-16%的聚丙烯腈溶液,进而将配好的聚丙烯腈溶液注入到多喷头静电纺丝设备中,调整电压值18kV-28kV,在电场作用下拉成纳米级聚丙烯腈纤维,并缠绕在旋转的金属接收筒上,得到分布均匀的厚度为3-5mm的纳米腈纶无纺布。本发明所制得的纳米腈纶无纺布,比表面积大,有着较强的吸附能力。可吸附去除室内甲醛,吸附充分,去除效率高。能够满足室内对甲醛等有害气体的去除要求。
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公开(公告)号:CN103774144A
公开(公告)日:2014-05-07
申请号:CN201410074194.X
申请日:2014-03-03
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: C23C28/00
Abstract: 本发明涉及一种金属纤维烧结毡隔离网及其制备方法,其以网孔尺寸为10-50目,丝径为0.1-0.5mm的不锈钢丝网为基网,基网上经热浸镀铝和微弧氧化涂覆有厚度为20-25μm的氧化铝陶瓷涂层。用于在真空烧结过程中分隔两层金属纤维毡。本发明结构合理,制备工艺简单,低成本,隔离网上原位Al2O3陶瓷涂层结合力高,使用寿命长,是一种理想的金属纤维烧结毡隔离网及其制备方法。该工艺制备效率高,适合于工业化生产。
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公开(公告)号:CN102509752B
公开(公告)日:2014-04-02
申请号:CN201110348376.8
申请日:2011-11-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L33/00 , C04B35/10 , C04B35/14 , C04B35/622
Abstract: 多芯片组大功率LED基板制备方法,涉及LED基板制备方法。解决现有LED器件在LED金属封装中热膨胀系数不匹配、高分子绝缘层的热导率较低,从而导致LED失效等问题。它以聚碳硅烷、氮化铝粉体、氧化钇为原料,在玛瑙球磨罐中与二甲苯或四氢呋喃进行球磨混合,获得混合浆料后悬涂在洁净的钨铜合金表面并进行干燥;置于铜片表面在真空管式炉中进行热处理后冷却至室温,即获得本发明的多芯片组大功率LED基板。本发明制备的多芯片组大功率LED基板绝缘性能高、热导率高、热膨胀系数与半导体材料相匹配,并且可以简化LED封装结构。本发明适用于多芯片组大功率LED基板的制备。
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公开(公告)号:CN103633225A
公开(公告)日:2014-03-12
申请号:CN201310610677.2
申请日:2013-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L33/48
CPC classification number: H01L33/005 , H01L21/4803
Abstract: 高导热绝缘铜基板的制备方法,涉及一种铜表面陶瓷化方法。所述方法为:将所需要的铜基板进行抛光处理;称取定量聚碳硅烷置于球磨罐中,然后向球磨罐中加入适量的二甲苯,得到聚碳硅烷-二甲苯溶液;称取经表面改性的氮化铝粉体,并置于球磨罐中,进行球磨混合,完成混合浆料制备;将混合浆料涂覆或流延到已抛光的铜基板表面,然后干燥,获得预制陶瓷铜基板坯料;将预制陶瓷铜基板坯料置于管式炉内在湿惰性气体保护下完成热处理;采用多次涂覆-干燥-烧结工艺,制备出规定厚度、无针孔、无裂纹的高绝缘涂层。本发明所制备的高导热绝缘铜基板陶瓷涂层厚度为10~100微米,陶瓷涂层的热导率为5~100W/m·K,耐击穿电压大于2000V,介电常数低。
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公开(公告)号:CN103101258A
公开(公告)日:2013-05-15
申请号:CN201310035501.9
申请日:2013-01-30
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: B32B18/00 , C04B35/56 , C04B35/52 , C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种SiOC/C层状复合陶瓷及其制备方法,其以纸张、含氢硅油、乙二胺为原料,各组分重量百分比为:含氢硅油25~38%,乙二胺29%~41%,纸张30~40%,纸张叠层在含氢硅油和乙二胺反应形成的Si-O-N-C有机聚合物中反复浸渍,得到Si-O-N-C/纸张层状复合预制体;层状复合预制体经烧结得到致密的SiOC/C层状复合陶瓷。本发明制备方法简单,容易操作,陶瓷产出率高,得到的陶瓷材料的热稳定性能好。本发明制备的SiOC/C层状复合陶瓷材料可广泛应用在机械、航空航天、能源和军事等高温材料领域。
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公开(公告)号:CN101817971B
公开(公告)日:2012-01-11
申请号:CN201010184684.7
申请日:2010-05-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种碳微米管环氧树脂吸波复合材料及其制备方法,它涉及吸波复合材料及其制备方法。本发明解决了现有的活性碳纤维环氧树脂复合吸波材料的制备过程繁琐、密度大及纺丝法制备出的中空纤维弹性模量低,吸波材料强度差的问题。本发明的复合材料由碳微米管和环氧树脂胶制成;方法:用尿素和乙二醇制备碳微米管;由双酚A型环氧树脂、丙酮和二乙烯三胺制备环氧树脂胶;再将碳微米管加入到环氧树脂胶中,搅拌均匀后加入到模具中压制得到复合材料。该材料的弹性模量10~20GPa,密度1.00~1.05g/cm3,最低反射率为-13.25dB,其
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公开(公告)号:CN101851394B
公开(公告)日:2011-11-16
申请号:CN201010184683.2
申请日:2010-05-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 中空碳纤维毡环氧树脂复合材料及其制备方法,它涉及碳纤维环氧树脂复合材料及其制备方法。本发明解决了现有的碳纤维环氧树脂复合材料密度大和作为复合材料增强体的碳纤维三维编织困难的问题。本发明由中空碳纤维毡和环氧树脂胶制成;方法:将尿素和碳粉放入到石墨坩埚中,然后在气氛烧结炉中制成中空碳纤维毡;然后将中空碳纤维毡放入模具中,密封之后,真空灌注由双酚A型环氧树脂、丙酮和二乙烯三胺组成的环氧树脂胶,然后模具经压制、真空干燥后得到中空碳纤维毡环氧树脂复合材料。本发明的中空碳纤维毡是自编织成的,该复合材料的密度仅为0.92g/cm3~0.94g/cm3,可以用于宇宙飞船、人造卫星、航天飞机和导弹上。
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公开(公告)号:CN101597059B
公开(公告)日:2011-01-26
申请号:CN200910072598.4
申请日:2009-07-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: SiC纳米线的制备方法,它涉及一种纳米线的制备方法。本发明解决了现有的制备碳化硅纳米线的方法存在的工艺复杂、成本高、生产周期长以及制作过程中产生有害气体危害人体健康、污染环境的问题。本发明方法:一、将单晶硅片放入氢氟酸溶液中进行处理;二、将金属纳米粉催化剂进行超声分散;三、将单晶硅片放入分散的金属纳米粉催化剂中进行处理;四、将单晶硅片和石墨置于气氛烧结炉中烧结,随炉冷却至室温即得到SiC纳米线。本发明的制作方法工艺简单,成本低,生产周期短,反应温度较低,在制作过程中不产生有害气体,不会危害人体健康,污染环境,本发明方法制作得到的SiC纳米线粗细均匀,表面平滑,产品质量好。
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公开(公告)号:CN101851394A
公开(公告)日:2010-10-06
申请号:CN201010184683.2
申请日:2010-05-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 中空碳纤维毡环氧树脂复合材料及其制备方法,它涉及碳纤维环氧树脂复合材料及其制备方法。本发明解决了现有的碳纤维环氧树脂复合材料密度大和作为复合材料增强体的碳纤维三维编织困难的问题。本发明由中空碳纤维毡和环氧树脂胶制成;方法:将尿素和碳粉放入到石墨坩埚中,然后在气氛烧结炉中制成中空碳纤维毡;然后将中空碳纤维毡放入模具中,密封之后,真空灌注由双酚A型环氧树脂、丙酮和二乙烯三胺组成的环氧树脂胶,然后模具经压制、真空干燥后得到中空碳纤维毡环氧树脂复合材料。本发明的中空碳纤维毡是自编织成的,该复合材料的密度仅为0.92g/cm3~0.94g/cm3,可以用于宇宙飞船、人造卫星、航天飞机和导弹上。
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