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公开(公告)号：CN108484201B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201810612020.2
申请日：2018-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供一种低收缩率多孔氮化硅陶瓷及其制备方法，以α‑氮化硅、氧化铝、氧化钇为主要原料，制备水基陶瓷浆料，先在油相中乳化形成球型液滴，而后通过冷冻、油‑陶瓷微球分离、冷冻干燥获得多孔陶瓷微球坯体，然后通过烧结获得多孔氮化硅陶瓷微球，进行粒径分级配比，并经过再模具成型、固化、干燥、烧结，最终获得多孔氮化硅陶瓷，与现有技术相比，本发明的有益效果在于，本发明采用油中滴液与冷冻成型相结合制备不同粒径的多孔氮化硅微球，利用冷冻成型工艺优势实现了孔结构及气孔率的可控；可用于制备大型的多孔氮化硅异形构件，消除了冷冻成型过程中引起的孔结构的方向性；同时，大大降低了烧结过程中收缩过大引起的结构缺陷的可能性。
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公开(公告)号：CN110483091A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910908744.6
申请日：2019-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/00 , C04B38/00 , C04B35/584
Abstract: 本发明涉及氮化硅陶瓷烧结领域，更具体的说是一种多孔氮化硅陶瓷的连接方法，包括多孔氮化硅基体Ⅰ、连接层和多孔氮化硅基体Ⅱ，所述连接层通过烧结将多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ相互连接，连接层生长依附于两侧的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ，生长后的连接层相互穿插桥接两侧的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ；可以实现多孔氮化硅陶瓷间的烧结连接，连接层的氮化硅晶粒依附于两侧待连接的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ生长，而非基于连接层单独生长，因此连接层在烧结过程中未产生明显的收缩，有效解决了连接层因烧结收缩过大而开裂的问题。
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公开(公告)号：CN110483053A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910908720.0
申请日：2019-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/571 , C04B35/622 , C04B35/634 , C04B35/64 , C04B35/80 , C04B38/00
Abstract: 本发明涉及SiC纳米线/SiC多孔陶瓷的制备方法，更具体的说是一种用于高温吸波的SiC纳米线/SiC多孔陶瓷的制备方法，利用凝胶注模法制备陶瓷生坯的过程中加入可溶性硅树脂和催化剂，在烧结时原位反应生成SiC纳米线，所述的可溶性硅树脂为可溶于乙醇、异丙醇和叔丁醇等醇类溶剂，所述的催化剂为二茂铁、FeCl3、Fe(NO3)3和Ni(NO3)2等金属盐类；可以在凝胶注模工艺中加入可溶性硅树脂和催化剂，在烧结时直接原位反应生成SiC纳米线；有机硅树脂在裂解后生成碳和SiO2，在后续烧结过程中可原位生成SiC纳米线，进而提高多孔SiC的力学性能和吸波性能；凝胶注模成型后形成的高体积分数的连通孔隙也促进了SiC纳米线的V-L-S生长。
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公开(公告)号：CN110483044A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910907939.9
申请日：2019-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/88 , H05K1/03 , H05K3/12
Abstract: 本发明涉及陶瓷与铝超低温共烧方法及陶瓷制备方法，更具体的说是一种高Q微波介质陶瓷与铝超低温共烧方法及高Q微波介质陶瓷制备方法，采用放电等离子烧结SPS工艺对高Q微波介质陶瓷与铝之间的进行快速超低温共烧，将CuMoO4陶瓷粉体与溶剂充分混合，依次加入分散剂、粘结剂、增塑剂和消泡剂，继续混合8～12小时，得到CuMoO4的流延浆料；CuMoO4的流延浆料采用流延成型工艺制备CuMoO4生瓷带；CuMoO4生瓷带进行剪裁，剪裁完成的CuMoO4生瓷带采用丝网印刷工艺用铝浆印刷电路；对丝网印刷工艺完成的CuMoO4生瓷带进行叠压和排胶，并装入电等离子烧结SPS模具中；该高Q微波介质陶瓷在600℃以下，仅需3～5分钟即可实现与铝共烧，大幅降低了多层微波组件的烧结温度和烧结时间。
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公开(公告)号：CN108751950A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810612019.X
申请日：2018-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/563 , C04B35/565 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/583 , C04B35/584 , C04B35/622 , C04B38/06 , C04B41/88
CPC classification number: C04B35/10 , C04B35/563 , C04B35/565 , C04B35/58071 , C04B35/581 , C04B35/583 , C04B35/584 , C04B35/622 , C04B38/067 , C04B41/009 , C04B41/5127 , C04B41/515 , C04B41/5155 , C04B41/88 , C04B2235/6025 , C04B2235/606 , C04B2235/656 , C04B2235/658 , C04B2235/6583 , C04B2235/75 , C04B41/4523
Abstract: 本发明提供一种基于冷冻流延制备功能梯度陶瓷/金属复合材料的方法，分别将不同比例陶瓷粉体与去离子水混合，依次加入分散剂、粘结剂、增塑剂和消泡剂，得到一系列固含量不同的流延浆料，脱泡，并对其中最低或最高固相含量的浆料流延成型后进行冷冻处理，至流延浆料完全凝固；以凝固后的流延浆料为基底，对其它成分浆料按照固相含量的升序或降序依次重复上述步骤，获得冷冻坯体，冷冻干燥、排胶、烧结后，得到多孔陶瓷预制体；将所述多孔陶瓷预制体与熔化后的金属置于模具中，挤压铸造；脱模，冷却后除去周边多余的金属，即可得到具有功能梯度的陶瓷/金属复合材料，本发明可精确地实现复合材料成分、微观组织结构及性能的梯度控制，可广泛应用于功能梯度复合材料的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108585920A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810612014.7
申请日：2018-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供一种利用水凝胶逐层交联制备连续梯度多孔陶瓷的方法，包括配置水凝胶前驱体溶液，加入不同比例的陶瓷粉体、分散剂和消泡剂后，均匀混合，得到一系列不同固相含量的浆料；对其中最低或最高固相含量的浆料进行真空脱泡，并向其喷洒交联剂溶液，然后静置所述浆料，以使浆料交联；对其它成分浆料按照固含量的升序或降序依次重复上述步骤，直至浆料的厚度满足需求，并置于去离子水中浸泡，得到湿坯；将所述湿坯冷冻后干燥，将干燥后的湿坯进行排胶，排胶后烧结所述湿坯，得到连续梯度多孔陶瓷，与现有技术相比，本发明可精确地实现材料成分、孔隙率、孔结构结构及性能的精确梯度控制，并广泛应用于连续梯度多孔陶瓷的制备。
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公开(公告)号：CN108484213A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810611574.0
申请日：2018-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B38/08 , C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/634 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供一种陶瓷金属多孔复合材料及其制备方法，将高岭土、氧化铝粉体和工业铝溶胶混合后，加入矿化剂和助烧剂再次混合均匀，将混合好的陶瓷粉体与溶剂和粘结剂混合配制成浆料，然后浇注到放有泡沫金属的冷冻模具中，待浆料冷冻凝固后进行冷冻干燥，获得陶瓷金属复合生坯，然后在惰性气氛下低温反应烧结，最终制得陶瓷金属多孔复合材料，本发明的有益效果在于，将多孔金属和陶瓷复合为一体，使多孔陶瓷具备了导电、传感和加热的功能，便于下游应用的集成化或多功能化，在催化、吸附等领域具有极好的应用前景；且本方法所用原料易得，工艺简单可靠，在工业化生产上具有明显优势。
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公开(公告)号：CN108484201A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810612020.2
申请日：2018-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供一种低收缩率多孔氮化硅陶瓷及其制备方法，以α-氮化硅、氧化铝、氧化钇为主要原料，制备水基陶瓷浆料，先在油相中乳化形成球型液滴，而后通过冷冻、油-陶瓷微球分离、冷冻干燥获得多孔陶瓷微球坯体，然后通过烧结获得多孔氮化硅陶瓷微球，进行粒径分级配比，并经过再模具成型、固化、干燥、烧结，最终获得多孔氮化硅陶瓷，与现有技术相比，本发明的有益效果在于，本发明采用油中滴液与冷冻成型相结合制备不同粒径的多孔氮化硅微球，利用冷冻成型工艺优势实现了孔结构及气孔率的可控；可用于制备大型的多孔氮化硅异形构件，消除了冷冻成型过程中引起的孔结构的方向性；同时，大大降低了烧结过程中收缩过大引起的结构缺陷的可能性。
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公开(公告)号：CN108395257A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810478171.3
申请日：2018-05-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/593 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 本发明提供了一种氮化硅基复合材料及其制备方法，具体的，氮化硅粉体和氮化硼先驱体的混合粉体在通入氨气的高温炉中得到纳米级氮化硼改性的氮化硅粉体；将纳米级氮化硼改性的氮化硅粉体与烧结助剂在无水乙醇中球磨混合，干燥过筛后烧结，得到致密的氮化硅基复合材料；将所获得致密氮化硅基复合材料在氮气保护气氛炉中进行高温长时间热处理，得到高热导率、高抗弯强度及高韧性的氮化硅基复合材料，满足大功率电子器件的封装材料及高超音速飞行器透波窗口材料的性能要求。
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公开(公告)号：CN106435241B
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201610726196.1
申请日：2016-08-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种多孔Si3N4/SiC复相陶瓷增强金属基复合材料的制备方法，涉及一种陶瓷增强金属基复合材料的制备方法。本发明为了解决目前的陶瓷增强金属基复合材料热膨胀系数高以及增强体易发生团聚且较难分散均匀的技术问题。本发明：一、制备浆料；二、制备多孔Si3N4/SiC复相陶瓷；三、多孔复相陶瓷的表面改性；四、制备复合材料。本发明的多孔复相陶瓷的孔径较小，限制了复合材料中金属晶粒的长大，“细晶强化”有效提高了复合材料的综合力学性能；本发明的多孔复相陶瓷中Si3N4纳米线均匀分布；本发明的金属基复合材料中陶瓷增强体呈连续分布，使金属基复合材料有低的热膨胀系数，较高的金属含量使复合材料具有较高的热导率。
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