公开(公告)号：CN102910617A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210359869.6

申请日：2012-09-24

Applicant: 同济大学

Inventor： 蔡克峰 ,  汪元元 ,  姚熹

IPC: C01B31/04 ,  C01G29/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明属于材料领域，涉及一种石墨烯-硫化铋纳米复合材料的制备方法，包含以下步骤：（1）将含铋无机物和含硫化合物加入到去离子水中；再加入强酸和氧化石墨，充分溶解后继续搅拌均匀，得到混合溶胶；（2）将该混合溶胶恒温反应，得到中间产物氧化石墨烯-硫化铋复合粉末；（3）将中间产物用去离子水洗涤直到滤液呈中性；（4）将步骤（3）得到的产物进行还原处理；（5）将步骤（4）所得沉淀物用去离子水洗涤后采用离心分离，得到粉末；（6）真空干燥，得到石墨烯-硫化铋纳米复合粉末。本发明成本低廉，方案简单易行，合成的石墨烯-硫化铋纳米复合材料可广泛用于太阳能电池、光电二极管、锂电池、热电器件、存储器和传感器等。

公开(公告)号：CN101172850A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710047498.7

申请日：2007-10-26

Applicant: 同济大学

Inventor： 王旭升 ,  张灵灵 ,  刘红 ,  翟继卫 ,  姚熹

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种介电可调的复相陶瓷质材料，其特征在于，其成份包括两相，第一相的组成分子式为(Ba，Sr，Ca)TiO3，各成份的含量按照其原料表示为：(1－x－y)BaTiO3－ySrTiO3－xCaTiO3，其中0≤y≤0.18，0.21≤x≤0.91且钡的含量大于钙的含量；第二相的组成分子式为(Ba，Sr，Ca)TiO3，各成份的含量按照其原料表示为：(1－x－y)BaTiO3－ySrTiO3－xCaTiO3，其中0≤y≤0.18，0.21≤x≤0.91，且钙的含量大于钡的含量。本发明中的介电可调的复相陶瓷质材料，介电特性优良，介电损耗小，介电常数适中，具有较高的介电可调率的介电可调的复相陶瓷材料。

公开(公告)号：CN1789198A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200410093054.3

申请日：2004-12-15

Applicant: 同济大学

Inventor： 翟继卫 ,  姚熹 ,  沈波

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/47 ,  C04B35/472 ,  C23C18/00

Abstract: 本发明涉及一种具有成份梯度分布的高铁电性能的铁电薄膜及其制备方法领域。本发明采用溶胶－凝胶方法，取不同比例的前驱体溶液，采用旋转涂覆的方法涂层，并严格控制反应前驱体溶液的浓度为0.2～0.4m，衬底采用LaNiO3/Pt/Ti/SiO2/Si和Pt/Ti/SiO2/Si。所制备的钛酸锶铅(PST)是具有成份梯度的铁电薄膜，其介电常数和饱和极化强度与一般铁电薄膜相比都得到了很大提高。

公开(公告)号：CN1211306C

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN99113696.9

申请日：1999-05-13

Applicant: 同济大学

Inventor： 姚熹 ,  翟继卫 ,  赵鹏 ,  张良莹

IPC: C03C10/00 ,  C03C10/02 ,  C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  H01F1/01

Abstract: 本发明专利提出了采用溶胶-凝胶技术及颗粒包覆工艺方法制备低介电常数、相对高导磁率并且具有低烧特点的微晶玻璃陶瓷材料。本发明属于一种制造片式电感和多层电感用磁性微晶玻璃陶瓷材料的制造方法，所属技术领域为电子材料与器件。本专利提出的方法可制备出低介电常数(ε)小于8、导磁率μ为2～10、导磁率温度系数(αμ)小于±60ppm/℃、低电磁损耗、能在微波波段使用的高稳定磁性微晶玻璃陶瓷材料。本发明所提供的技术主要应用于制造单层或多层电感的磁性微晶玻璃陶瓷粉料以及其他需要增加元件电感量(相应的可减小元件的尺寸)的磁性覆盖层。如图是分别制备在a石英基片上和b本发明所制备的磁性微晶玻璃陶瓷基片上微带线的电感与频率的关系。

公开(公告)号：CN204556740U

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201420873372.0

申请日：2014-12-30

Applicant: 同济大学

Inventor： 姚曼文 ,  陈建文 ,  邹培 ,  肖瑞华 ,  彭勇 ,  姚熹

IPC: G01R31/00 ,  G01R31/12

Abstract: 本实用新型涉及一种薄膜电学特性与击穿特性实时测试系统，包括电学测试装置、显微图像实时采集装置和计算机，所述计算机分别连接电学测试装置和显微图像实时采集装置；所述电学测试装置包括样品装夹座、测试探针和数字源表，所述测试探针设置在样品装夹座上，所述数字源表一端通过电学测试线与测试探针连接，另一端通过数据传输线与计算机连接；所述显微图像实时采集装置包括数据码光学显微模块，该数据码光学显微模块设置在样品装夹座上，并通过数据传输线与计算机连接。与现有技术相比，本实用新型具有易于操作，耗费时间少，直观性好等优点，能够有效分析和评价薄膜材料击穿机理和导致击穿现象发生的原因。

公开(公告)号：CN204269065U

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201420744609.5

申请日：2014-12-01

Applicant: 同济大学

Inventor： 姚曼文 ,  陈建文 ,  邹培 ,  肖瑞华 ,  彭勇 ,  姚熹

IPC: G01B7/06

Abstract: 本实用新型涉及一种金属薄膜厚度测试装置，包括紧压在待测的薄膜样品(11)上的电解池(9)，与电解池(9)连接的储液罐(6)，内部储存测试用的电解液(7)，储液罐(6)与电解池(9)的连接处设有节流阀(4)，电解池(9)内设有阴极电极(8)，侧部设置导电铜柱(2)，该导电铜柱(2)上套设有与电解池(9)接触连接的阳极导线接头(3)。与现有技术相比，本实用新型具有测试效率及精度较高、方便使用等优点，另外还节约了测试成本。