一种钛铝基金属间化合物材料的表面纳米改性方法

    公开(公告)号:CN102409269A

    公开(公告)日:2012-04-11

    申请号:CN201110360670.0

    申请日:2011-11-15

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种钛铝基金属间化合物材料的表面纳米改性方法,步骤如下:(1)、将钛铝基金属间化合物材料线切割为样品;(2)、对样品表面进行清洗,然后烘干;(3)、将样品放入高能球磨机内进行表面纳米化处理,使用转速范围为200转/分~350转/分,使用耐磨钢球尺寸范围为1mm~10mm,使用球料质量比范围为10∶1~40∶1,球磨时间范围为0.5小时~24小时。本发明通过高能球磨技术,实现了对TiAl基金属的高应变速率、随机应变方向的表面强烈塑性变形,使其表面晶粒得到充分细化,并且形成了一定厚度的、具有晶粒尺寸渐变梯度的纳米结构表面层,大大增加了表面硬度,并有效地提高了制品的疲劳抗性和耐磨性能。

    OATP1B1重要基因突变检测基因芯片

    公开(公告)号:CN101717816B

    公开(公告)日:2012-01-11

    申请号:CN200910042820.6

    申请日:2009-03-09

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明涉及一种基因检测芯片,更具体地说是用于检测与高血压、恶性肿瘤、2型糖尿病、高胆固醇血症治疗药物的反应性密切相关的有机阴离子转运多肽1B1(简称OATP1B1)常见重要基因突变的基因检测芯片。本发明通过选择8个突变位点,并设计出相应的探针从而实现了对突变位点的检测并能给出突变位点的信息,从而为指导用药提供基础。

    一种表达PXR-MRP2荧光报告基因技术平台高通量药物筛选方法

    公开(公告)号:CN101906469A

    公开(公告)日:2010-12-08

    申请号:CN201010221632.2

    申请日:2010-07-06

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 一种表达PXR-MRP2荧光报告基因技术平台高通量药物筛选方法,直接从新药研究的末端药物临床研究阶段的药物代谢动力学靶标入手筛选候选可能活性先导药物,构建含MRP2基因启动子序列荧光素酶报告基因及PXR的表达质粒,瞬时转染HepG2细胞;通过在自发光检测仪上检测荧光素酶活性,以萤光虫荧光与海肾荧光的比值分别反映不同可能活性先导药物对MRP2启动子活性的影响,进行体外PXR诱导可能活性先导药物的高通量筛选。本发明能够规避一些其它药物筛选方法所得到的活性药物因最终临床用药过程产生的药物—药物相互作用所引起的严重不良反应,节约新药研究中巨额先期投入资金,减少盲目性。

    粘贴式地下工程集水排水系统

    公开(公告)号:CN100478527C

    公开(公告)日:2009-04-15

    申请号:CN200610136995.X

    申请日:2006-12-30

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 一种粘贴式地下工程集水排水系统,该集水排水系统包括集水槽、用于连接集水槽的四通接头和/或三通接头,集水槽用于地下裂隙渗漏水的聚集和引流,四通接头、三通接头用于集水槽的搭接;集水槽包括弹性骨架、防水布和锚固袋,防水布外包弹性骨架,防水布与弹性骨架通过粘结形成集水槽的槽体,防水布向集水槽槽体外侧延伸,锚固袋与防水布的延伸段通过粘结连接。本发明具有足够的柔性,能适应岩面的起伏变化,集水槽要紧贴岩面;集水排水系统轻便,安装要方便、快速、高效;能适应不同出水裂隙宽度的要求;聚集到集水槽内的水,在引流过程中不会出现二次渗漏。

    粘贴式地下工程集水排水系统

    公开(公告)号:CN1995556A

    公开(公告)日:2007-07-11

    申请号:CN200610136995.X

    申请日:2006-12-30

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 一种粘贴式地下工程集水排水系统,该集水排水系统包括集水槽、用于连接集水槽的四通接头和/或三通接头,集水槽用于地下裂隙渗漏水的聚集和引流,四通接头、三通接头用于集水槽的搭接;集水槽包括弹性骨架、防水布和锚固袋,防水布外包弹性骨架,防水布与弹性骨架通过粘结形成集水槽的槽体,防水布向集水槽槽体外侧延伸,锚固袋与防水布的延伸段通过粘结连接。本发明具有足够的柔性,能适应岩面的起伏变化,集水槽要紧贴岩面;集水排水系统轻便,安装要方便、快速、高效;能适应不同出水裂隙宽度的要求;聚集到集水槽内的水,在引流过程中不会出现二次渗漏。

    高硅铝合金电子封装材料的制备工艺

    公开(公告)号:CN1877821A

    公开(公告)日:2006-12-13

    申请号:CN200610031906.5

    申请日:2006-06-30

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺,A)粉末制取:将工业纯铝及高纯硅按质量百分比6~8.8∶4~1.2制备成Al-Si合金粉末;B)粉末的球磨处理工艺:将Al-Si合金粉末进行球磨,球料质量比为5~15∶1,球磨时间为8~32小时;C)热挤压工艺:将氧化后的合金粉末装入纯铝包套内,在300~500吨液压机上采用正向挤压方式进行挤压,挤压前对Al-Si合金粉末采用400~520℃保温0.5~2小时,挤压比为10~21,挤压前各种挤压模具首先置入加热炉中,在200~400℃充分预热保温,挤压完后即为成品。本发明是一种能显著提高材料的热导率、气密性和抗拉强度,保持材料较低的热膨胀系数,大幅度改善材料加工成形性能的高硅铝合金电子封装材料的制备工艺。

    基于六方向三重三角网的溶洞上方地基破坏分析方法

    公开(公告)号:CN119672254A

    公开(公告)日:2025-03-21

    申请号:CN202411749823.4

    申请日:2024-12-02

    Abstract: 本申请的实施例提供了基于六方向三重三角网的溶洞上方地基破坏分析方法、装置、设备和计算机可读存储介质。所述方法包括基于异性溶洞的参数数据,建立第一三角形背景网格;对所述第一三角形背景网格进行多次整体加密,生成第二三角形背景网格;对所述第二三角形背景网格进行交叉切割,生成第三三角形背景网格;基于所述第三三角形背景网格,建立优化变量、目标函数及约束条件;基于所述优化变量、目标函数及约束条件,确定溶洞上方地基极限承载力上限解及破坏形态。以此方式,通过构建多层次的三角网,可优先满足关键破坏区域的六方向间断线布局,在保证间断线耗散能贡献的前提下,辅以高阶变形单元,实现固定网格单次计算前提下的溶洞上方地基极限状态准确分析。

    一种双腔迈氏囊扩张球囊导管
    48.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119405361A

    公开(公告)日:2025-02-11

    申请号:CN202411960054.2

    申请日:2024-12-30

    Abstract: 本发明公开了一种双腔迈氏囊扩张球囊导管,涉及医疗器械技术领域,包括导管体、球囊和第一显影环,导管体的一端为伸入端,导管体的另一端为操作端,导管体设有第一通道和第二通道,第一通道由操作端至伸入端延伸;球囊套装于导管体,球囊位于伸入端,球囊的内部与第一通道连通,球囊具有沿导管体的轴向分布的第一端和第二端,第一端朝向伸入端,第二端为第一端的相对端,第二通道由操作端至第二端延伸,第二通道与球囊的外部连通;第一显影环固定于导管体,且第一显影环与球囊邻接,第一显影环位于第一端。本发明的双腔迈氏囊扩张球囊导管,能够在球囊进入迈氏囊后对迈氏囊注射药物,满足临床需求。

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