公开(公告)号：CN101556869A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200910043327.6

申请日：2009-05-08

Applicant: 中南大学

Inventor： 甘卫平 ,  刘继宇 ,  刘泓 ,  师响 ,  李祥 ,  马贺然

IPC: H01G9/08 ,  H01G9/04 ,  C25D9/08

Abstract: 本发明提供了一种钽电容器用钽壳内壁RuO2薄膜的制备方法，包括以下步骤：1)钽壳预处理：将钽壳打磨、抛光和清洗；备用；2)可旋转悬挂电极的制备：采用中空石墨电极作为阳极，中空石墨电极的壁上设有多个通孔；3)电沉积工艺：以酸性氯化钌胶体水溶液为电沉积液，将所述的中空石墨电极和钽壳分别作为阳极和阴极放入所述的电沉积液中在钽壳内壁沉积RuO2薄膜；4)薄膜的热处理。该方法制备的RuO2薄膜可作为电容器的阴极材料以减少阴极材料的数量，能显著减少电容器的体积，提高电容器的体积能量密度，从而使高能电容器小型化成为可能。

公开(公告)号：CN101246760A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200810030682.5

申请日：2008-02-27

Applicant: 中南大学

Inventor： 甘卫平 ,  刘妍 ,  张海旺 ,  张金玲

IPC: H01B1/16 ,  C09D5/24 ,  C09J9/02 ,  C09J191/00 ,  H01L21/52 ,  H01L21/58 ,  C09J101/26

Abstract: 本发明公开了一种基于半导体芯片粘结用低温烧结型导电浆料及其制备工艺，由固相成分和有机粘结剂组成，其中固相成分与有机粘结剂按重量比为70～90∶30～10组成，固相成分是由片状与球状复合银粉与玻璃粉按重量比为65～90∶35～10混合制成，其中球状与片状银粉的重量之比为5～15∶95～85，复合银粉的平均粒径小于4μm，玻璃粉为PbO－Al2O3－SiO2系玻璃粉，主要成分质量比重为：PbO95％～60％、Al2O32％～30％、SiO21％～20％、TiO20.5％～20％；有机粘结剂中各组分的重量比：松油醇50～70％、柠檬酸三丁酯35～15％、卵磷脂5～1％、乙基纤维素8～3％、氢化蓖麻油5～10％、二甲苯2～10％。本发明具有高热导、高导电、低膨胀系数、高散热性。

公开(公告)号：CN100411158C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200610031907.X

申请日：2006-06-30

Applicant: 中南大学

Inventor： 杨伏良 ,  张伟 ,  甘卫平 ,  易丹青 ,  刘泓

IPC: H01L23/29 ,  B22F9/08

Abstract: 本发明公开了一种制备高硅铝合金电子封装材料的工艺，A)粉末制取：将工业纯铝及高纯硅按质量比6～8.8∶4～1.2制备成硅铝合金粉末；B)热挤压工艺：将硅铝合金粉末初装、振实装入纯铝包套内，在300～500吨液压机上进行挤压，挤压前对硅铝合金粉末采用400～520℃保温0.5～2小时，挤压比为10～21，挤压前各种挤压模具在200～400℃充分预热保温；C)高压氧化：将热挤压材料进行高温高压氧化，保温温度为300～500℃，时间为48～96小时，氧压为0.6～0.8MPa，高压氧化后即为成品。本发明是一种能显著提高材料的热导率、气密性和抗拉强度，保持材料较低的热膨胀系数，大幅度改善材料加工成形性能，减化材料的制备工艺。

公开(公告)号：CN101533716B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200910043112.4

申请日：2009-04-15

Applicant: 中南大学

Inventor： 甘卫平 ,  师响 ,  刘泓 ,  刘继宇 ,  李祥 ,  马贺然

IPC: H01G9/04 ,  C25D3/30 ,  C25D3/50 ,  C25D5/50

CPC classification number: Y02E60/13

Abstract: 本发明公开了一种超级电容器用复合薄膜电极的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：1)对纯度大于99.95％的高纯度金属钽箔进行预处理：对所述的金属钽箔打磨粗化、打磨抛光、除油和清洗；2)电沉积工艺；3)对复合薄膜电极进行热处理。采用本工艺制备出的复合薄膜电极，在保证电容特性的基础上，可以降低贵金属钌的用量，进而降低其成本。

公开(公告)号：CN100552831C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200810030682.5

申请日：2008-02-27

Applicant: 中南大学

Inventor： 甘卫平 ,  刘妍 ,  张海旺 ,  张金玲

IPC: H01B1/16 ,  C09D5/24 ,  C09J9/02 ,  C09J191/00 ,  H01L21/52 ,  H01L21/58 ,  C09J101/26

Abstract: 本发明公开了一种基于半导体芯片粘结用低温烧结型导电浆料及其制备工艺，由固相成分和有机粘结剂组成，其中固相成分与有机粘结剂按重量比为70～90∶30～10组成，固相成分是由片状与球状复合银粉与玻璃粉按重量比为65～90∶35～10混合制成，其中球状与片状银粉的重量之比为5～15∶95～85，复合银粉的平均粒径小于4μm，玻璃粉为PbO-Al2O3-SiO2系玻璃粉，主要成分质量比重为：PbO95%～60%、Al2O32%～30%、SiO21%～20%、TiO20.5%～20%；有机粘结剂中各组分的重量比：松油醇50～70%、柠檬酸三丁酯35～15%、卵磷脂5～1%、乙基纤维素8～3%、氢化蓖麻油5～10%、二甲苯2～10%。本发明具有高热导、高导电、低膨胀系数、高散热性。

公开(公告)号：CN101034633A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200610031317.7

申请日：2006-03-08

Applicant: 中南大学

Inventor： 甘卫平 ,  李晶 ,  周兆锋 ,  杨伏良 ,  林炳

IPC: H01H1/023 ,  H01H1/0237

Abstract: 掺杂银氧化锡电触头材料，质量百分组成为：银85～89.5％，二氧化锡10～14.5％，氧化钨0.5～1.5％。制备方法包括采用共沉淀法制取Ag包覆SnO2复合粉末，掺入氧化钨，球磨，压形烧结，热锻或挤压拉拔后冲压成形。本发明采用化学包覆法制备银包覆氧化锡复合粉末，掺入另一种金属氧化物后并结合粉末烧结、热锻或挤压拉拔工艺，制备出具有优良的综合性能AgSnO2触头材料。本发明提出了一种切实可行的工艺路线，使弥散的氧化锡和银基体之间接合牢固，并改善了后续加工工艺，提高产品的综合性能。

公开(公告)号：CN1877821A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610031906.5

申请日：2006-06-30

Applicant: 中南大学

Inventor： 杨伏良 ,  易丹青 ,  甘卫平 ,  张伟 ,  刘泓

IPC: H01L23/29 ,  B22F9/08

Abstract: 本发明公开了一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺，A)粉末制取：将工业纯铝及高纯硅按质量百分比6～8.8∶4～1.2制备成Al－Si合金粉末；B)粉末的球磨处理工艺：将Al－Si合金粉末进行球磨，球料质量比为5～15∶1，球磨时间为8～32小时；C)热挤压工艺：将氧化后的合金粉末装入纯铝包套内，在300～500吨液压机上采用正向挤压方式进行挤压，挤压前对Al－Si合金粉末采用400～520℃保温0.5～2小时，挤压比为10～21，挤压前各种挤压模具首先置入加热炉中，在200～400℃充分预热保温，挤压完后即为成品。本发明是一种能显著提高材料的热导率、气密性和抗拉强度，保持材料较低的热膨胀系数，大幅度改善材料加工成形性能的高硅铝合金电子封装材料的制备工艺。

公开(公告)号：CN1644736A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200510031180.0

申请日：2005-01-21

Applicant: 中南大学 ,  经阁铝业科技股份有限公司

Inventor： 甘卫平 ,  陈铁平 ,  杨伏良 ,  张卫权 ,  李科

IPC: C22C21/08 ,  C22C1/02 ,  C22C1/04

Abstract: 本发明公开了一种高强度高延伸率6063铝合金及其生产方法，该合金成分为一定重量百分比的镁、硅、铜、锰、铬、铁、锌、钛和铝，生产方法是：a.熔铸：配料装炉→熔化→搅拌与扒渣→覆盖→喷射精炼→扒渣与覆盖→静置保温→铸锭。b.挤压与热处理：均质化→空气冷却→铸锭加热→挤压→水雾淬火→断切→冷床冷却→拉伸→矫直→人工时效处理→成品。本设计提高了铝合金型材的力学性能，实现了其延伸率和强度的同步提高。经检测，抗拉强度σb提升至280～300MPa，延伸率δ升至13％以上，即强度和延伸率同步分别提高40％和60％，完全满足了现代门窗和幕墙对金属型材的高承力需求。

公开(公告)号：CN101609850A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200910304312.0

申请日：2009-07-14

Applicant: 中南大学

Inventor： 甘卫平 ,  张金玲 ,  向锋 ,  周华 ,  郭桂全 ,  刘欢

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01B1/00 ,  H01B1/02 ,  H01B1/16 ,  H01B1/22

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池正面电极用无铅银导体浆料及其制备工艺，该浆料包括占总重为65％～85％的银粉、占总重为2％～8％的无铅玻璃粉、占总重为10％～25％的有机载体和占总重为0.1％～3％的添加剂。本发明浆料采用Si－B－Bi－Al－Ti－Zn－O体系无铅玻璃粉代替传统的含铅体系玻璃粉，该体系玻璃粉具有较低的软化点，能够在烧结后使银电极具有良好的附着力，并保证银电极与硅基板形成良好的接触。另外，本发明提出了使用树脂酸锌作为添加剂，它不但能很好的改善浆料的印刷性能，还能够提高电极的电性能。

公开(公告)号：CN100435321C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200610031908.4

申请日：2006-06-30

Applicant: 中南大学

Inventor： 杨伏良 ,  甘卫平 ,  易丹青 ,  张伟 ,  刘泓

IPC: H01L23/29 ,  B22F9/08

Abstract: 本发明公开了一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺，A)、粉末制取：将工业纯铝及高纯硅按质量比值6～8.8∶4～1.2制备成Al-Si合金粉末；B)、粉末的空气氧化处理工艺：将Al-Si合金粉末置于电阻炉内，升温至250～450℃，保温氧化8～32小时，取出后在空气中自然冷却；C)、热挤压工艺：将氧化后的合金粉末装入纯铝包套内，在300～500吨液压机上进行挤压，挤压前对Al-Si合金粉末采用400～520℃保温0.5～2小时，挤压比为10～21，挤压前各种挤压模具在200～400℃充分预热保温，挤压完后即为成品。本发明能显著提高材料的热导率、气密性和抗拉强度，保持材料较低的热膨胀系数，大幅度改善材料加工成形性能的高硅铝合金电子封装材料的制备工艺。