公开(公告)号：CN104576395A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410385556.7

申请日：2014-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王建勋 ,  黄懋霖 ,  林群雄 ,  让-皮埃尔·科林格

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0676 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696 ,  H01L2029/7858

Abstract: 本发明提供了一种具有用于源极和漏极的支撑结构的纳米线MOSFET。提供了一种晶体管器件和用于形成纳米线场效应晶体管(FET)的方法。形成包括源极区和漏极区的器件层，其中源极区和漏极区由悬空的纳米线沟道连接。在源极区和漏极区的下面形成蚀刻停止层。蚀刻停止层包括介于半导体衬底与源极区和漏极区之间的支撑结构。悬空的纳米线沟道通过蚀刻该悬空的纳米线沟道下面的牺牲材料而形成。该蚀刻对于牺牲材料具有选择性以防止去除源极区和漏极区下面的蚀刻停止层。