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公开(公告)号：CN111627633A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010599672.4
申请日：2020-06-28
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 , 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种R-T-B系磁性材料，其特征在于，以重量百分比计，其包含下述组分：27.42wt.％～33.00wt.％的R；所述的R为稀土元素，其包含Pr和RH；所述的Pr≥15.00wt.％；所述的RH包含Tb和/或Dy；0.24wt.％～0.80wt.％的Cu；0.19wt.％～0.30wt.％的Zr；0wt.％～1.52wt.％的Al；0.90wt.％～1.03wt.％的B；和，0.04wt.％～0.09wt.％的Ga或0.28wt.％～1.50wt.％的Ga。该磁性材料具有较佳的剩磁、矫顽力、温度系数等。
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公开(公告)号：CN111326305A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010132220.5
申请日：2020-02-29
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种R-T-B系永磁材料及其制备方法和应用。该R-T-B系永磁材料包含：R、Ga、Cu、Al、Fe和B，还包含Ti、Zr和Nb的一种或多种，以重量百分比计，其含量如下：R的含量为28.5～33.03％；Ga的含量为0.35％以上；Cu的含量为0.4％以上；B的含量为0.84～0.945％；Al的含量为小于0.08％；R-T-B系永磁材料中不含有Co。该R-T-B系永磁材料矫顽力Hcj和Br高，磁体温度稳定性好，性能优异；且其退磁曲线无台阶，相对磁导率低，磁钢均一性好。
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公开(公告)号：CN111243809A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010132239.X
申请日：2020-02-29
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼材料及其制备方法和应用，其包含：R、Cu、Al、Fe和B，还包含Ti、Zr和Nb的一种或多种，以重量百分比计，其含量如下：R的含量为28.5～33.2％；Cu的含量0.393％以上；B的含量为0.84～0.945％；Al的含量小于0.08％；R-T-B系永磁材料中不含有Co；R-T-B系永磁材料包含R2Fe14B主相、晶界相和富稀土相；其中，晶界相包含R6Fe13Cu；R6Fe13Cu的体积分数为≥3.5％。本发明钕铁硼材料矫顽力Hcj和Br高，磁体温度稳定性好，性能优异；且其退磁曲线无台阶，相对磁导率低，磁钢均一性好。
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公开(公告)号：CN111009369A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN202010019452.X
申请日：2020-01-08
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
IPC: H01F1/057 , H01F41/02 , B22D11/06 , B22F3/10 , B22F9/02 , C21D6/00 , C21D9/46 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C38/16
Abstract: 本发明公开了一种稀土永磁材料及其制备方法和应用。该稀土永磁材料包含下述组分：R：26-33wt％；M：0-3wt％，但不为0；N：0.2-1.0wt％；B：0.85-0.96wt％；余量为Fe；其中：R为稀土元素，所述R中包括Pr和/或Nd；M为Co、Al、Zn、In、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Ta、W、O、C、N、S和P中的一种或多种；N为Cu和/或Ga。本发明中的稀土永磁材料可通过单合金工艺或双合金工艺制得，能够在不含重稀土的条件下，实现磁体矫顽力的提升，且该工艺方法简单、利于量产。
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公开(公告)号：CN110957125A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911350700.2
申请日：2019-12-24
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼永磁材料的烧结方法、钕铁硼永磁材料。该烧结方法中，烧结的压力为绝对压力50Pa～90kPa。由本发明烧结方法制得的钕铁硼永磁材料的外层与内核的稀土相比例差异小于0.15％；外层与内核的Br绝对值差值小于0.05kGs；外层与内核的Hcj绝对值差值小于0.5kOe；钕铁硼永磁材料在50％湿度环境下放置，可达180天未生锈，抗氧化能力强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110957092A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911316028.5
申请日：2019-12-19
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了R-T-B系磁体材料、原料组合物及制备方法和应用。该R-T-B系磁体材料的原料组合物以质量百分比计，其包括如下含量的组分：R’：29.5～32％，所述R’为稀土元素，所述R’包括Pr；其中，所述Pr：≥8.85％；Ga：>1.05％；B：0.9～1.2％；Fe：59～69％；百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比。本发明的R-T-B系磁体材料使用了较高含量的Pr结合较高含量的Ga的配方，使得R-T-B系磁体材料在显著提升矫顽力的同时还可维持较高的剩磁。
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公开(公告)号：CN117334427A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311434761.3
申请日：2023-10-31
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体及其制备方法和应用。本发明的钕铁硼磁体，包括沿垂直于取向方向依次分布的第一易退磁区、第一过渡区、非易退磁区、第二过渡区、第二易退磁区；所述第一易退磁区、所述第二易退磁区、所述非易退磁区、所述第一过渡区和所述第二过渡区均为矩形。本发明通过控制过渡区、易退磁区和非易退磁区中由扩散引入的Tb含量以及所有区域Dy含量的配合，能够减少由于过渡区Tb浓度梯度差造成的Tb跨区互扩散，在能够在保证钕铁硼磁体剩磁的前提下，降低钕铁硼磁体表磁和磁通的衰减，提升钕铁硼磁体的抗退磁能力，且本发明设置易退磁区、非易退磁区和过渡区均为矩形，能够提高钕铁硼磁体四角及长边的抗退磁能力。
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公开(公告)号：CN115083710A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110289538.9
申请日：2021-03-10
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种双壳层钕铁硼磁体及其制备方法。该双壳层钕铁硼磁体包含主相晶粒及其双壳层和邻接所述主相晶粒的富Nd相；所述主相晶粒包含R2Fe14B；所述双壳层的内层包含(Nd/Ho)2Fe14B和/或(Nd/Gd)2Fe14B；所述双壳层的外层包含(Nd/Dy)2Fe14B和/或(Nd/Tb)2Fe14B；所述双壳层的厚度为0.1～6μm；所述富Nd相中包含(R‑RH)6T13X相。本发明可得到一种双壳层钕铁硼磁体，在主相周围形成了较薄的壳层，有效减少了重稀土元素往主相中的扩散量。
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公开(公告)号：CN109248994A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810943565.1
申请日：2018-08-17
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
IPC: B22D11/06
Abstract: 本发明公开了一种薄带的铸造装置及薄带的铸造方法。该装置和方法至少包括熔炼炉、冷却辊、和用以将所述熔炼炉形成的熔液供给到所述冷却辊的供给装置，所述供给装置具有进液口和出液口，所述进液口至所述出液口之间设置出液通道，所述出液通道上设置一挡板，并形成一蓄液池。其通过在供给装置的出液通道的内壁上设置一挡板，起到蓄液、蓄温的作用，从而获得一致性好的薄带。
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公开(公告)号：CN117012487A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210476515.3
申请日：2022-04-29
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料及其制备方法、应用。本发明的钕铁硼磁体材料包括位于晶间三角区的纳米晶富Cu相，纳米晶富Cu相的元素组成及其原子比为TM:RE:Cu:Ga＝(1～20)：(20～55):(25～70):(1～15)，纳米晶富Cu相与晶间三角区的体积比为4～12％，其中TM包括Fe和/或Co，RE为稀土元素。本发明的钕铁硼磁体材料可以在不使用或少使用重稀土的情况下提高内禀矫顽力，降低成本，同时保持较高的剩磁、磁能积和方形度性能。
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