-
公开(公告)号：CN114203747A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111491934.6
申请日：2021-12-08
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管，发光二极管包括：衬底、设置于衬底表面的第一半导体层、设置于第一半导体层表面的凸出部及第一反射结构，其中，第一半导体层的表面包括第一导电区和第二导电区；凸出部设置于第一半导体层的第一导电区内，且凸出部在第一半导体层的表面依次包括有源层和第二半导体层；第一反射结构设置于每个凸出部内且贯穿第二半导体层、有源层和至少部分第一半导体层，第一半导体层的材料包括AlxGa1‑xN，其中X取值介于0～1，发光二极管的辐射光的波长介于200～320nm。由上，本发明能够有效缩短外延层内光的传播路径，减少光被外延层，尤其是第一半导体层的吸收，提高光的出光效率。
-
公开(公告)号：CN108091746B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201711112481.5
申请日：2017-11-13
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
IPC: H01L33/44
CPC classification number: H01L33/44
Abstract: 本发明提供一种半导体元件，包括半导体叠层和电极，所述电极形成于所述半导体叠层上，所述电极表面上设有抗吸附材料层，其对气态污染物或颗粒状污染物的吸附能力低于所述电极对气态污染物或颗粒状污染物的吸附能力，用于抑制所述电极表面的污染物吸附。
-
公开(公告)号：CN106206896B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201610698678.0
申请日：2016-08-22
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提出一种复合图形化蓝宝石衬底及其外延片的制作方法，包括：先制作图形化蓝宝石衬底，再藉由金属Ni作为掩膜层，进行感应耦合等离子体蚀刻，从而在图形化蓝宝石衬底的凸起结构上形成微图形，而底部C面区域平整。其形成的复合图形化蓝宝石衬底，有效地增加了图案表面积，使得反光区域增大，出光效率增高。同时底部C面区域平整，减小了外延生长的难度，外延生长表面外观较好，减少了外延层的内部缺陷，从而降低蓝宝石衬底上外延材料的穿透位错密度，提升外延层质量，有利于半导体元件的光提取。
-
公开(公告)号：CN105047778B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201510488363.9
申请日：2015-08-11
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种薄膜氮化镓基发光二极管的制备方法，通过先去除倒装发光二极管的蓝宝石衬底，再黏附于保护膜上，藉由溅镀技术在倒装发光二极管的微结构之上形成一Al2O3薄层，制得超薄LED芯片，从而大大降低热阻，并可降低整体LED封装体大小及封装成本；此外，薄膜发光二极管可实现无金线互联，提高封装可靠性，降低封装成本；再者，由于去除了较厚的蓝宝石衬底，减少了光线在蓝宝石衬底内的损失，更加有利于光提取率。
-
公开(公告)号：CN108346721A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810079389.1
申请日：2018-01-26
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/005 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/46
Abstract: 本发明提出一种发光二极管的制作方法，包括工艺步骤：提供一衬底，并生长第一发光外延层；在第一发光外延层上形成掩膜层并进行图案化，形成图案化掩膜层；进行蚀刻工艺，使得第一发光外延层形成图案化凹凸结构；在图案化凹凸结构的凹坑中形成金属颗粒；继续生长第二发光外延层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105679888B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201610081608.0
申请日：2016-02-05
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
IPC: H01L33/00 , B23K26/38 , B23K26/402
Abstract: 本发明提供一种发光二极管芯片的制作方法，提供一蓝宝石衬底；在所述蓝宝石衬底上形成发光外延层，其中发光外延层包括N型层、发光层和P型层；采用激光对所述蓝宝石衬底进行多次渐进式隐切，形成一系列隐切图案，所述隐切图案逐渐远离所述蓝宝石衬底的上表面并靠近所述蓝宝石衬底的下表面中心点；沿所述一系列隐切图案进行激光切割并劈裂，得发光二极管芯片。
-
公开(公告)号：CN106206896A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610698678.0
申请日：2016-08-22
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0066
Abstract: 本发明提出一种复合图形化蓝宝石衬底及其外延片的制作方法，包括：先制作图形化蓝宝石衬底，再藉由金属Ni作为掩膜层，进行感应耦合等离子体蚀刻，从而在图形化蓝宝石衬底的凸起结构上形成微图形，而底部C面区域平整。其形成的复合图形化蓝宝石衬底，有效地增加了图案表面积，使得反光区域增大，出光效率增高。同时底部C面区域平整，减小了外延生长的难度，外延生长表面外观较好，减少了外延层的内部缺陷，从而降低蓝宝石衬底上外延材料的穿透位错密度，提升外延层质量，有利于半导体元件的光提取。
-
公开(公告)号：CN106169528A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610810002.6
申请日：2016-09-08
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/46 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明提出了一种发光二极管结构及其制作方法，包括：衬底，以及生长在衬底表面的发光外延层和分布布拉格反射层，发光外延层和分布布拉格反射层分别位于衬底两侧，其特征在于：所述衬底的背面具有一系列沙漏状的凹槽结构，且所述分布布拉格反射层形成于所述凹槽结构表面。
-
-
公开(公告)号：CN102117869A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201110024096.1
申请日：2011-01-21
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/20
Abstract: 本发明公开了一种剥离发光二极管衬底的方法，通过对GaN外延层侧面进行腐蚀，形成孔洞型结构，配合外延生长的非填满型图形化蓝宝石衬底，使GaN外延层与蓝宝石衬底分离。本发明可以有效地降低GaN基外延生长中的位错密度，提高晶格质量，且能快速剥离蓝宝石衬底，具有成本低、不会造成GaN薄膜内伤、改善光电器件的性能、提高发光效率的优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
106
records
(took 0.045 seconds)
