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公开(公告)号：CN115043374A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210547989.2
申请日：2022-05-18
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于电场作用的液滴成型法微纳复合结构制备方法，首先通过电场作用诱导电晕放电的离子风作用得到第一聚合物微液滴阵列，然后通过电荷注入复合作用的主动制冷蒸气凝结法在第一聚合物微液滴阵列表面上凝结自组装得到第二纳液滴阵列，接着引入第二聚合物，最后固化第一或第二聚合物，得到第一微结构阵列，由于第二纳液滴阵列压印作用，在第一微结构阵列表面得到与第二纳液滴阵列对应的曲面第二纳结构阵列，从而获得微纳复合结构阵列。本发明采用电场作用的微纳复合液滴成型实现微纳复合结构阵列，通过微纳复合液滴成型工艺参数调节实现微纳复合结构形貌参数的灵活调控，本发明技术方案具有工艺简单、成本低和形貌参数灵活可控的优点。
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公开(公告)号：CN114335305A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111320757.5
申请日：2021-11-09
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种无荧光粉多基色LED侧发光模块及侧发光装置，该侧发光模块包括多基色LED光源、光源电路板、扩散板、导光板、第一反光层、第二反光层和散热器，多基色LED光源中不含荧光粉，通过至少四颗不同基色的LED芯片直接合成白光，导光板边缘设置有光耦合结构，扩散板、第二反光层、导光板、第一反光层依次叠设，导光板的光耦合结构和第一、第二反光层的设置实现了结构紧凑的多基色LED侧发光模块的高光提取、高亮度均匀性、高颜色均匀性；侧发光装置由侧发光模块和外壳、电源模块、控制模块、导线组成，侧发光模块与电源模块、控制模块通过导线相连，并结合驱动和控制设计，实现了多基色LED侧发光装置的光谱可调，实现按需照明，并兼顾高光提取、高亮度均匀性、高颜色均匀性的照明要求。
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公开(公告)号：CN112750809A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202110101741.9
申请日：2021-01-26
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/48
Abstract: 本发明公开了一种无荧光粉多基色LED灯具的混光结构及其制备方法，该混光结构包括底板、基板、第一混光单元、第二混光单元。第一混光单元包含无荧光粉多基色LED灯珠，无荧光粉多基色LED灯珠包含四种不同主波长LED芯片。第二混光单元由呈四边形分布的第一混光单元组成，其内具有补色单元，混光结构制备时，根据补色单元设计不同的LED芯片排布结构，并利用固晶、焊接、封装工艺完成第一混光单元的制作，再根据补色单元设计，利用回流焊和安装工艺完成第二混光单元制作与布置。本发明能够消除无荧光粉多基色LED灯具中，不同单色光分别在不同方向富集而导致的灯具部分区域较明显的混光偏色现象，提高出光的光色均匀性。
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公开(公告)号：CN111129250A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN202010017131.6
申请日：2020-01-08
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种反极性AlGaInP薄膜LED芯片结构及制备方法，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、P面反射电极、P型欧姆接触层、P型电流扩展层、发光层、N型电流扩展层、N型欧姆接触层、N面电极，所述N型电流扩展层为Al组份x满足0.1≤x≤0.5的(AlxGa1-x)0.5In0.5P材料。所述N面电极包含焊盘和N面扩展电极线，N面扩展电极线间距为120μm-200μm。由于低Al组份的（AlxGa1-x）0.5In0.5P材料电子迁移率高，因而可以提高芯片的电流扩展能力；N面扩展电极线间距宽，数量少，可以最大程度缩减不透明的N面扩展电极线的挡光面积，进而提高LED芯片的出光效率。因此，本发明提供的AlGaInP薄膜LED芯片可以同时提高LED芯片的光提取效率与电流扩展均匀性。
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公开(公告)号：CN108198926A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810093125.1
申请日：2018-01-31
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0062 , H01L33/38 , H01L33/40
Abstract: 本发明公开了一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片及其制备方法，该发光二极管芯片包括：具有正反面的键合基板；从键合基板正面往上依次为：基板侧金属键合层、外延侧金属键合层、P面扩散阻挡金属层、P面反射欧姆接触层；从P面反射欧姆接触层往上依次为P型电流扩展层、P型限制层、P侧空间层、多量子阱发光区、N侧空间层、N型限制层、N型粗化层、N型欧姆接触层，N电极；键合基板的反面为P电极。本发明采用的P面反射欧姆接触层，同时具备光反射和欧姆接触功能；通过P面反射欧姆接触层的区块化，通过优化区块的间隔距离和N电极的宽度，可以抑制N电极对应区域电流注入集中问题，有效减少N电极遮挡效应。本发明具有能有效提高电光转换效率、结构简单等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105742450B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201610210910.1
申请日：2016-04-07
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种照射出特定平面几何图形光斑的LED芯片的制备方法及结构，其结构包括：基板层，生长衬底上的LED薄膜被转移至基板层之上；基板层与LED薄膜之间由上至下依次有互补电极层、反射金属接触层和粘结保护层；n电极位于LED薄膜之上。通过互补电极层、n电极的形状设计，结合金属反射率的差异，实现具有高反射率且能与LED薄膜形成欧姆接触的反射金属接触层所对应的芯片区域(或无互补电极区域)发光亮度高，具有低反射率且不易与LED薄膜形成欧姆接触的粘结保护层所对应的区域(或有互补电极区域)发光亮度低，使LED芯片可以照射出特定设计的平面几何图形光斑。平面几何图形为特定的图形或特定的“字”型。
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公开(公告)号：CN107731676A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710849105.8
申请日：2017-09-20
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/308 , H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种AlGaInP薄膜LED芯片切割道的制备方法，包括以下步骤：首先利用常规的MOCVD制备AlGaInP LED外延材料，然后利用金属蒸发、光刻、腐蚀、键合、合金这些常规的管芯制备工艺将外延材料转移到键合基板上，制备N面出光的AlGaInP薄膜LED芯片；在切割分离AlGaInP薄膜LED芯片之前，利用光刻工艺对切割道以外的区域用光刻胶保护，然后将将待切割的AlGaInP薄膜LED芯片放入碘酸水溶液、盐酸和水配制的切割道腐蚀液中，把切割道对应区域的外延材料腐蚀掉，制备出切割道，最后用激光切割机或砂轮切割机沿切割道中心线将AlGaInP薄膜LED芯片分离。本发明具有很好的稳定性和一致性，且切割道腐蚀液不含剧毒的单质溴元素，有利于工艺人员身体健康和环境保护。
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公开(公告)号：CN107188114A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710351836.X
申请日：2017-05-18
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于主动制冷液滴凝结的表面微结构制备方法，它通过主动制冷的液滴凝结技术，使置于一定蒸气环境下的聚合物表面温度低于环境温度，从而空气中的蒸气在聚合物表面成核，凝结长大并自组装成均匀分布的液滴，采用紫外固化实现聚合物固化和液滴蒸发，在聚合物表面得到均匀分布的微结构。本发明仅仅采用单相的聚合物材料，采用主动制冷实现聚合物温度降低，实现液滴凝结，用于替代传统的利用有机溶剂挥发制冷的表面微结构制备技术，简化了制备工艺，避免了由于有机溶剂使用带来的对人体的毒害以及环境污染等问题，具有工艺简单、成本低、微结构尺寸和形貌灵活可控和绿色环保的优点。
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公开(公告)号：CN107170734A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710417249.6
申请日：2017-06-06
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
CPC classification number: H01L33/48 , H01L25/0753 , H01L33/005 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L33/642 , H01L2933/005 , H01L2933/0058
Abstract: 本发明公开了一种直接板上芯片的LED封装结构及其封装方法，该LED封装结构是将LED芯片通过固晶层直接键合在基板上，引线的两端分别与LED芯片的上电极、基板上的电路固定连接，在基板上成型光学透镜。该直接板上芯片LED封装方法是将LED芯片通过固晶层直接键合到基板上，光学透镜采用模顶成型技术制作。本发明采用一次光学透镜配光，提高了封装模块的出光效率。同时，省略了封装支架，简化封装工艺，由芯片‑支架和支架‑基板两处界面热阻减少为芯片‑基板一处界面热阻，降低了热阻。本发明解决了垂直结构LED芯片的混光问题，提高其出光效率，尤其适用于对混光空间有较高要求的灯具，如T8、T5灯管和直下式平面灯等，同时具有工艺简单、可靠性高等优点。
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公开(公告)号：CN104269470B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410483423.3
申请日：2014-09-22
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种能够释放应力的垂直结构LED薄膜芯片的制作方法及结构，在科学选择设计阻挡层，特别是第一键合层、中间层和第二键合层材料及结构的基础之上，设计LED薄膜和基板之间的金属或合金在去除衬底后通过低温退火处理熔化或部分熔化，从而使得LED薄膜在此熔化过程中可以自由伸展、自平坦化，达到了有效释放LED薄膜中的残余应力的效果，且又不会因退火熔化的温度过高而破坏LED芯片的光电性能。其结构包括：衬底，在衬底上设置有包括缓冲层、n型层、发光层和P型层在内的LED薄膜，在LED薄膜上依次沉积有反射接触层、阻挡层，特征是在阻挡层下方形成有混合层，在混合层下方有基板正面保护层、基板、基板反面保护层和接触层。
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