一种用于生长六方相GaN的矩形图形化硅衬底

    公开(公告)号:CN103400913B

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201310306334.7

    申请日:2013-07-22

    Abstract: 本发明公开了一种用于生长六方相GaN的矩形图形化硅衬底,包括硅(111)面衬底本体,在硅衬底本体上表面加工有条状隔离带,条状隔离带由相互垂直、宽度相同的纵隔离带和横隔离带构成,将硅衬底本体分割成了多个的矩形生长平台,其特征在于:矩形生长平台的任一角平分线与硅(111)面上六方排列的原子对应的正六边形的任一对角线的夹角在0~5°的范围内。对上述夹角范围的限定保证了六方相GaN生长后形成的横沟槽和纵沟槽的宽度基本一致。这为外延层的晶体质量和后续芯片制程的可靠性提供了有力保障,也彻底解决了现有矩形图形化硅衬底技术中,矩形生长平台方向的不确定性影响GaN晶体质量和芯片良率、可靠性的问题。

    一种具有应力调制层的氮化镓基LED薄膜芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN103618035A

    公开(公告)日:2014-03-05

    申请号:CN201310563263.9

    申请日:2013-11-14

    CPC classification number: H01L33/12 H01L33/0075 H01L33/44 H01L2933/0025

    Abstract: 本发明公开了一种具有应力调制层的氮化镓基LED薄膜芯片及其制备方法,它是在P面欧姆接触金属层和黏结层之间设置有应力调制层,所述应力调制层为Pt和Cr两种金属交替堆叠形成的多个周期的厚度渐变的叠层结构,即Cr/Pt/Cr/、Pt/Cr/Pt结构,Pt金属单层随着与P面欧姆接触金属层间距的增大而逐渐变厚,而Cr金属单层随着与P面欧姆接触金属层间距的增大而逐渐变薄,该应力调制层能有效调节氮化镓基薄膜和硅基板之间由于热膨胀系数的巨大差异而引入的应力。本发明具有释放调节氮化镓基LED薄膜与硅基板之间的应力,提高器件的光电性能和可靠性的优点。

    一种用于生长六方相GaN的矩形图形化硅衬底

    公开(公告)号:CN103400913A

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:CN201310306334.7

    申请日:2013-07-22

    Abstract: 本发明公开了一种用于生长六方相GaN的矩形图形化硅衬底,包括硅(111)面衬底本体,在硅衬底本体上表面加工有条状隔离带,条状隔离带由相互垂直、宽度相同的纵隔离带和横隔离带构成,将硅衬底本体分割成了多个的矩形生长平台,其特征在于:矩形生长平台的任一角平分线与硅(111)面上六方排列的原子对应的正六边形的任一对角线的夹角在0~5°的范围内。对上述夹角范围的限定保证了六方相GaN生长后形成的横沟槽和纵沟槽的宽度基本一致。这为外延层的晶体质量和后续芯片制程的可靠性提供了有力保障,也彻底解决了现有矩形图形化硅衬底技术中,矩形生长平台方向的不确定性影响GaN晶体质量和芯片良率、可靠性的问题。

    一种半导体器件封装结构中单区域热阻提取方法

    公开(公告)号:CN114813825B

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202210369018.3

    申请日:2022-04-08

    Abstract: 本发明提供了一种半导体器件封装结构中单区域热阻提取方法,步骤包括:制备热阻待提取区域采用不同材料或工艺的半导体器件样品1和样品2;测试样品1、样品2的热阻分别得到积分结构函数,并获得各自结壳热阻坐标(x1,y1)和(x1´,y1´);对比样品1与样品2的积分结构函数曲线,得到两条积分结构函数曲线的分离点(x2,y2);对其中样品1的积分结构函数曲线平移使其原(x1,y1)坐标和样品2积分结构函数曲线坐标点(x1´,y1´)重合,得到平移后样品1与样品2积分结构函数曲线的分离点坐标(x3,y3);最后,通过x1、x1´、x2、x3的值,计算样品1和样品2各自封装结构中待提取区域的热阻。本发明解决了现有技术难以对斜率变化不明显的积分结构函数曲线进行分析,并对区域热阻进行提取的问题。

    一种可改善室内睡眠质量的自供能碳汇装置

    公开(公告)号:CN119042690A

    公开(公告)日:2024-11-29

    申请号:CN202411150814.3

    申请日:2024-08-21

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明公开了一种可改善室内睡眠质量的自供能碳汇装置,所述自供能碳汇装置包括壳体,设置在所述壳体顶部的太阳能灯源以及壳体底部供植物生长的包括改性保水水凝胶和改性吸水水凝胶的土壤;其中,所述改性吸水水凝胶的添加量为所述土壤质量的40‑60%;所述改性保水水凝胶的添加量为所述土壤质量的10‑20%。在使用本发明碳汇装置时,太阳能灯源会照亮植物以及水凝胶,水凝胶中的抗菌剂释放抗菌有效成分、响应太阳能灯源释放活性氧,实现清除土壤中的霉菌,从而可以减少对植物的损害,并促进植物光合作用产生氧气,同时有效促进褪黑素分泌,进而改善睡眠质量。

    一种兼顾定位和照明的高速LED器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN115119355A

    公开(公告)日:2022-09-27

    申请号:CN202211037021.1

    申请日:2022-08-29

    Abstract: 本发明公开了一种兼顾定位和照明的高速LED器件及其制备方法,所述LED器件包括LED电路、RLC旁路和封装基板,所述LED电路中包括若干LED芯片,所述LED芯片的波长不少于两种,所述LED电路包括至少两个单独控制的LED子电路,同一所述LED子电路上的LED芯片波长相同,至少有一个所述LED子电路并联连接RLC旁路,所述RLC旁路包括相互串联的电阻R、电感L和电容C,三者与LED子电路分别固定在所述封装基板上,形成电学连接。本发明通过在LED两端并联RLC旁路,提升LED调制带宽,用不同波长LED发射信号实现精准定位,调节不同波长LED光功率,提高照明效果。

    一种半导体器件封装结构中单区域热阻提取方法

    公开(公告)号:CN114813825A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210369018.3

    申请日:2022-04-08

    Abstract: 本发明提供了一种半导体器件封装结构中单区域热阻提取方法,步骤包括:制备热阻待提取区域采用不同材料或工艺的半导体器件样品1和样品2;测试样品1、样品2的热阻分别得到积分结构函数,并获得各自结壳热阻坐标(x1,y1)和(x1´,y1´);对比样品1与样品2的积分结构函数曲线,得到两条积分结构函数曲线的分离点(x2,y2);对其中样品1的积分结构函数曲线平移使其原(x1,y1)坐标和样品2积分结构函数曲线坐标点(x1´,y1´)重合,得到平移后样品1与样品2积分结构函数曲线的分离点坐标(x3,y3);最后,通过x1、x1´、x2、x3的值,计算样品1和样品2各自封装结构中待提取区域的热阻。本发明解决了现有技术难以对斜率变化不明显的积分结构函数曲线进行分析,并对区域热阻进行提取的问题。

    一种高电光调制带宽的LED器件

    公开(公告)号:CN114269039B

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202210191929.1

    申请日:2022-03-01

    Abstract: 本发明公开了一种高电光调制带宽的LED器件,其包括LED电路、电感性器件和封装基板,所述LED电路包括若干LED‑A子电路和LED‑B子电路,所述LED‑A子电路和LED‑B子电路中包括若干个LED芯片,所述LED‑A子电路串联所述电感性器件,所述LED‑B子电路不串联所述电感性器件,所述LED‑A子电路和LED‑B子电路并联连接,且与所述电感性器件分别固定在所述封装基板上,形成电学连接,各路同时导通。本发明既可以实现LED‑A和LED‑B子电路的照明应用,也可以使更多高频信号流入LED‑B子电路,提升LED‑B子电路作为信号发射源进行通信应用时的调制带宽。

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