一种微型发光二极管显示背板的制造方法

    公开(公告)号:CN110993509B

    公开(公告)日:2021-07-13

    申请号:CN201911178192.4

    申请日:2019-11-27

    Abstract: 本发明提出一种微型发光二极管显示背板的制造方法,涉及微型发光二极管领域,制造方法包括以下步骤:S1:在暂态基板的外延层上形成阵列排布的倒梯形金属层;S2:在倒梯形金属层的下方形成微型发光二极管;S3:转移头将顶部带有倒梯形金属层的微型发光二极管转移至显示背板的第二电极上;S4:形成位于微型发光二极管顶部的第一开孔和位于显示背板上的第一电极顶部的第二开孔,在第一开孔和第二开孔覆盖金属氧化物层,微型发光二极管与第一电极导通。本发明通过事先制备一个位于微型发光二极管上方的倒梯形金属层,便于在制备微型发光二极管侧壁保护层的同时也能在微型发光二极管顶部形成开孔。

    一种Micro LED检测和转移方法

    公开(公告)号:CN112490261A

    公开(公告)日:2021-03-12

    申请号:CN202011372893.4

    申请日:2020-11-30

    Abstract: 本发明提供一种Micro LED检测和转移方法,包括如下步骤:S1:形成阵列设置的外延层;S2:在外延层上制作金属电极层;S3:金属电极层与暂态基板的第一UV胶贴合;S4:激光剥离蓝宝石基板;S5:检测基板上涂覆第二UV胶,然后在第二UV胶上制作并图案化的光敏导电层;S6:光敏导电层与LED的外延层贴合并加电固化,在加电固化的过程中;S7:移走暂态基板;S8:检测基板把正常的LED转移至背板基板的键合电极上,LED的金属电极层与键合电极键合;S9:在背板基板对LED进行修补,具体修补步骤S6中的环的LED。本发明通过检测和转移同时进行,在LED转移至背板基板前进行检查,提高检查和效率;检测和转移同时进行,提高工艺效率。

    一种静电转移头及其制造方法

    公开(公告)号:CN112271156A

    公开(公告)日:2021-01-26

    申请号:CN202011037950.3

    申请日:2020-09-28

    Abstract: 本发明提供一种静电转移头及其制造方法,静电转移头包括基板、阵列设置在基板上的多个高台,还包括位于相邻高台之间且设置在基板上的沟槽、位于沟槽内的电极线和接地线、设置在每个高台上的凹槽、覆盖在高台上和侧边上的至少一个电极以及介电层;其中,所述电极覆盖至少部分凹槽,所述电极线连接相邻高台上的电极,所述介电层位于电极线和接地线之间和覆盖所述电极和所述凹槽。本发明静电转移头,通过在高台上形成凹槽以形成双极电极或单极电极,电极吸附和转移微型器件;凹槽很好的解决了静电转移头与微型器件之间的偏移问题,另外,本发明在电极线上方还添加了接地线很好的屏蔽了电极线产生的电场。

    一种微型发光二极管显示背板及其制造方法

    公开(公告)号:CN110931627B

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201911177941.1

    申请日:2019-11-27

    Abstract: 本发明提出一种微型发光二极管显示背板及其制造方法,涉及微型发光二极管领域,包括基板;多条第一金属电极条,阵列设置在基板上;多条第二金属电极条,与第一金属电极条垂直交错设置,第一金属电极条和第二金属电极条分别位于不同层;绝缘层,位于第一金属电极条和第二金属电极条之间,绝缘层上设有位于第一金属电极条上方且用于放置微型发光二极管的第一开孔;助焊层,覆盖第一金属电极条、第二金属电极条和绝缘层;微型发光二极管,焊接于第一开孔内且位于第一金属电极条上,助焊层包围所述微型发光二极管的侧壁;微型金属柱,焊接于第二金属电极条上,微型金属柱包括导电金属层和焊接层;多个电极图层,连接微型发光二极管和微型金属柱。

    一种微型发光二极管巨量转移的方法及显示器

    公开(公告)号:CN109860092B

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN201910001105.1

    申请日:2019-01-02

    Abstract: 本发明提供一种微型发光二极管巨量转移方法及微型发光二极管显示器,包括在三种颜色Micro LED阵列上形成金属层,在阵列基板上形成对应的键合金属,采用三种颜色Micro LED阵列和阵列基板金属键合的方式将三种颜色Micro LED分次转移到阵列基板上。本发明通过在三种颜色Micro LED阵列上形成金属层,在阵列基板上形成对应的键合金属,采用三种颜色Micro LED阵列和阵列基板金属键合的方式将三种颜色Micro LED分次转移到阵列基板上,该方法省去了转移头,降低了Micro LED显示器的制造成本,制程简单,可操作性强。

    一种微型器件及其转移方法

    公开(公告)号:CN112466812A

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN202011333978.1

    申请日:2020-11-25

    Abstract: 本发明还提供一种微型器件及其转移方法,微型器件包括位于暂态基板上的粘附层,粘附层呈凹凸状;微型器件还包括位于凸状粘附层上的第一外延层、位于第一外延层上的第一金属电极、位于凹状粘附层上的第二外延层以及位于第二外延层上的第二金属电极。本发明微型器件的第一金属电极和第二金属电极不是整面的,且通过生长直接获得,不需要进行刻蚀,保持了完整性;通过图案化生长外延层,避免了ICP(等离子刻蚀)分割LED带来不良影响;只需要一次激光剥离衬底基板,且在激光剥离之前生长好第一金属电极和第二金属电极,不会因激光剥离产生碎裂状况;第一金属电极和第二金属电极都可使用,避免浪费,节约成本。

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