-
公开(公告)号：CN104291264A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410554042.X
申请日：2014-10-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米压电纤维的柔性能量捕获器件及其制备方法。所述器件自下而上依次包括：柔性基材、电极层、压电纤维层、保护层；所述柔性基材为柔性绝缘塑料薄膜；所述压电纤维层为PVDF纤维。通过采用柔性基材，采用照相制版工艺制备梳状电极，并选择合适的静电纺丝参数沉积PVDF压电纤维，无需再对压电纤维进行极化，使纤维整齐排列、减小纤维缺陷，能够简化纳米压电纤维能量捕获器件制备工艺，提高能量转换效率，尤其是对弯曲运动机械能的捕获效果。
-
公开(公告)号：CN102556747B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201110455943.X
申请日：2011-12-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种薄膜非连续卷绕输送模切装置，包括：放料辊，用于对成卷柔性薄膜的放卷；收料辊，用于对成卷柔性薄膜的收卷；输送对辊，设在所述放料辊和收料辊之间，用于完成薄膜进给；摩擦对辊和设在放料辊上的滑差轴，用于协作保持薄膜在进给过程中的张力稳定；模切机，用于完成薄膜裁切；工业相机，用于对薄膜的模切切痕成像；工业计算机，用于对模切切痕成像进行图像处理，处理得到的误差作为薄膜输送进给步长的精度补偿。本发明通过视觉装置识别薄膜上的模切切痕，图像处理所得薄膜进给误差，补偿下一步薄膜进给步长，有效保证薄膜非连续卷绕进给工况下，模切机薄膜进给精度和裁切切口均匀性。
-
公开(公告)号：CN102527672B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201210010672.1
申请日：2012-01-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: B08B6/00
Abstract: 本发明公开了一种基于高压静电的无接触式清洗装置，包括：高压电源，用以产生脉冲电压；电极板(11)，与所述待清洗的金属板(2)分别连接到高压电源的两极，以形成电场，且该电极板(11)面对污染液的表面上设置有阵列布置的尖端凸起(12)；收集板(13)，紧贴所述尖端凸起(12)设置在电极板(11)与所述待清洁的金属板(2)之间，用以收集污染液；金属板(2)表面的污染液在所述电场作用下形成射流，并通过所述尖端凸起(12)导引，射到所述收集板(13)上，完成污染液的收集。本发明还公开了一种清洗金属板表面的方法。本发明可以进行无接触的清洗，不会对物体表面产生损伤。
-
公开(公告)号：CN103219280A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310090363.4
申请日：2013-03-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种利用静电纺丝工艺制备延性电路互联结构的方法，包括：通过静电纺丝装置向位于其喷头下方且沿着水平方向来回直线移动的硅片基板上喷射静电纺丝溶液，由此在基板上形成呈波形延伸且具备微纳米直径的图案；选取弹性衬底并执行清洁处理，然后对弹性衬底做拉伸处理；将处于拉伸状态的弹性衬底紧贴在形成有图案的硅片基板上，挤出两者接触面之间的空气后予以分离，使得硅片基板上的图案转印至弹性衬底表面；恢复弹性衬底的自然状态，由此制得所需的延性电路互联结构。本发明还公开了相应的产品及其应用。通过本发明，能够生成具备高延展性、高精度级的两级波纹结构，并尤其适用于延性电路互联结构大面积的可靠制造。
-
公开(公告)号：CN102254792B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201110192027.1
申请日：2011-07-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/68 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种具有安全顶针的芯片剥离装置，可以用于FlipChip等IC封装工艺中芯片与粘晶膜的剥离。粘晶膜置于该套筒一端端面上，待剥离的芯片粘接在所述粘晶膜上；顶针设置在套筒内，用于在驱动装置驱动下顶起芯片以与粘晶膜剥离；调节机构设置在套筒内，用于夹持顶针，并调整顶针有效受压长度，以调整其欧拉临界载荷；其中顶针为一种安全顶针，能保护半导体芯片不受损伤，其具有预设屈曲特性，即达到预设的额定顶起力时，该顶针发生屈曲，所述额定顶起力的值介于芯片剥离力和芯片损伤力之间。本发明的芯片剥离装置可以与传统的芯片剥离、拾取工艺兼容，具有安全、高效率、剥离可靠性高的特点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102527672A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210010672.1
申请日：2012-01-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: B08B6/00
Abstract: 本发明公开了一种基于高压静电的无接触式清洗装置，包括：高压电源，用以产生脉冲电压；电极板(11)，与所述待清洗的金属板(2)分别连接到高压电源的两极，以形成电场，且该电极板(11)面对污染液的表面上设置有阵列布置的尖端凸起(12)；收集板(13)，紧贴所述尖端凸起(12)设置在电极板(11)与所述待清洁的金属板(2)之间，用以收集污染液；金属板(2)表面的污染液在所述电场作用下形成射流，并通过所述尖端凸起(12)导引，射到所述收集板(13)上，完成污染液的收集。本发明还公开了一种清洗金属板表面的方法。本发明可以进行无接触的清洗，不会对物体表面产生损伤。
-
公开(公告)号：CN102275386A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110164601.2
申请日：2011-06-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: B41J2/14
Abstract: 本发明公开了一种电流体动力喷印同轴喷头，包括探针放置平台、喷嘴、支撑座、金属探针和唇套，所述喷嘴固定设置在探针放置平台上，所述支撑座安装在喷嘴上端，所述唇套套装在喷嘴下端的喷口上，所述金属探针上部针端套装在支撑座中心螺纹孔内，针体置于喷嘴内腔，针体轴线与喷嘴中心轴线同轴，且金属探针下部的针尖穿过所述唇套内的通孔并伸出于喷嘴外。本发明还公开了上述喷头在制备微纳米纤维中的应用。本发明可以提高墨液供给量的控制精度，通过更换唇套可以形成系列化喷头，解决较小内径喷嘴容易发生堵塞、较大内径喷嘴溶液容易自然滴落的问题，同时解决实心金属探针无法连续供墨的问题，并有效降低工艺所需的外加电压的临界电压值。
-
公开(公告)号：CN102222770A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110164570.0
申请日：2011-06-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种用于有机薄膜晶体管的小沟道的制备方法，包括(1)在有机薄膜晶体管器件的有机半导体层的沟道区印刷一条有机水溶性材料纤维；(2)待纤维固化后，将疏水性电极材料溶液对准纤维进行沉积，从而在纤维两侧形成电极图案，作为有机薄膜晶体管的源极和漏极；(3)电极图案固化后，放入水或水性溶剂中，使所述有机水溶性材料纤维将溶于水，即可在有机半导体层的沟道区形成宽度与所述纤维直径相同的沟道。本发明还提供了上述方法在制备有机薄膜晶体管(OTFT)。本发明的方法可以用来制造薄膜晶体管源极和漏极之间的小线宽沟道，可实现亚微米/纳米尺度的沟道宽度，极大地提高了OTFT器件的性能。
-
公开(公告)号：CN102173345A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110045760.0
申请日：2011-02-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: B65G49/07 , B65G47/91 , H01L21/00 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供了一种气动直线驱动的芯片拾取翻转装置，主要包括旋转驱动组件、翻转臂组件、直线驱动组件、芯片吸取组件和传感器组件，在旋转驱动组件的驱动下翻转臂组件带动芯片吸取组件翻转实现对芯片的翻转，直线驱动组件驱使吸取组件的吸嘴靠近或远离芯片实现对芯片的安全吸取，传感器组件检测吸取组件的翻转角度以供外部控制系统。旋转驱动组件采用伺服电机与减速器的配合方式，保证较高的翻转精度；直线驱动组件采用气动驱动方式调节吸嘴与芯片间的距离以保证两者间的安全间隙。
-
公开(公告)号：CN102169960A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110063328.4
申请日：2011-03-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L51/40
Abstract: 本发明提供一种柔性电子器件薄膜晶体管的制备方法，包括：（1）准备可弯曲和拉伸的基板；（2）拉伸所述基板，并在拉伸后的橡胶基板表面涂覆粘合剂；（3）在所述基板上沉积栅极；（4）在经步骤（3）处理后的器件上沉积有机介电层单元；（5）在所述有机介电层单元上分别沉积源极单元层和漏极单元层；（6）基板松弛，释放作用在基板上的载荷，并进行热处理，以消除界面应力和器件的压应力；（7）沉积有机半导体层单元。本方法通过一种机械拉伸基板的方法减小器件的沟道宽度，有效提高了制造精度，提升了柔性电子器件的分辨率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
317
records
(took 0.031 seconds)
