公开(公告)号：CN102222770A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110164570.0

申请日：2011-06-17

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 黄永安 ,  尹周平 ,  王小梅 ,  易海涛

IPC: H01L51/40 ,  D01D5/00

Abstract: 本发明提供了一种用于有机薄膜晶体管的小沟道的制备方法，包括(1)在有机薄膜晶体管器件的有机半导体层的沟道区印刷一条有机水溶性材料纤维；(2)待纤维固化后，将疏水性电极材料溶液对准纤维进行沉积，从而在纤维两侧形成电极图案，作为有机薄膜晶体管的源极和漏极；(3)电极图案固化后，放入水或水性溶剂中，使所述有机水溶性材料纤维将溶于水，即可在有机半导体层的沟道区形成宽度与所述纤维直径相同的沟道。本发明还提供了上述方法在制备有机薄膜晶体管(OTFT)。本发明的方法可以用来制造薄膜晶体管源极和漏极之间的小线宽沟道，可实现亚微米/纳米尺度的沟道宽度，极大地提高了OTFT器件的性能。

公开(公告)号：CN102222770B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201110164570.0

申请日：2011-06-17

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 黄永安 ,  尹周平 ,  王小梅 ,  易海涛

IPC: H01L51/40 ,  D01D5/00

Abstract: 本发明提供了一种用于有机薄膜晶体管的小沟道的制备方法，包括(1)在有机薄膜晶体管器件的有机半导体层的沟道区印刷一条有机水溶性材料纤维；(2)待纤维固化后，将疏水性电极材料溶液对准纤维进行沉积，从而在纤维两侧形成电极图案，作为有机薄膜晶体管的源极和漏极；(3)电极图案固化后，放入水或水性溶剂中，使所述有机水溶性材料纤维将溶于水，即可在有机半导体层的沟道区形成宽度与所述纤维直径相同的沟道。本发明还提供了上述方法在制备有机薄膜晶体管(OTFT)。本发明的方法可以用来制造薄膜晶体管源极和漏极之间的小线宽沟道，可实现亚微米/纳米尺度的沟道宽度，极大地提高了OTFT器件的性能。