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公开(公告)号：CN113903542A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111027887.X
申请日：2021-09-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01F13/00
Abstract: 本发明提供一种直线型Halbach阵列的充磁方法及装置，该方法包括：将不同待磁化方向的多个永磁体按照预设规律排列成直线阵列；将主线圈置于直线阵列的正上方或正下方，并沿着直线阵列的直线方向平移，以对多个永磁体分步充磁，每一步充磁将一个主磁体完全磁化，且磁化与主磁体相邻辅助磁体的部分区域；当主线圈会对已充磁永磁体造成退磁影响时，在已充磁永磁体附近区域加入辅助线圈，改变已充磁永磁体附近区域的磁场分布，以减小退磁影响；对所有永磁体充磁完毕后，得到直线型Halbach阵列。本发明可以克服Halbach永磁电机预充磁装配困难的问题，本发明还能避免在Halbach阵列进行常规整体充磁时充磁磁场会使已充磁区域发生退磁的问题。
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公开(公告)号：CN112185647B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201910596627.0
申请日：2019-07-04
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种周期性背景磁场的产生装置及方法，包括导线单元两个、永磁单元两个、骨架单元、脉冲电源单元，永磁单元分别紧贴在骨架单元的内壁，中间形成中空区域，脉冲电源单元的正负极分别与两个导线单元相连；本发明基于永磁体在有剩磁条件下，能长时间稳定保持磁性，不需要额外消耗能量的特点，通过输入脉冲电流即可对永磁单元进行充退磁，周期性重复充退磁过程，使永磁体不断的充磁和失磁，实现对背景磁场开关的控制，即可在背景磁场区域产生周期性的稳定背景磁场，能够解决传统电磁体需持续输入电流产生的电损耗与温升较高的问题，适用于不同场景。
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公开(公告)号：CN112903421B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110080135.3
申请日：2021-01-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种复合材料力学性能测试装置及方法，属于材料的力学性能测试技术领域，包括：脉冲电源、电磁力加载线圈、驱动机构和支撑机构；电磁力加载线圈套设于支撑机构的外侧，驱动机构设置于电磁力加载线圈的外侧，且贴合于待测复合材料的表面；脉冲电源用于将脉冲电流输送至电磁力加载线圈；电磁力加载线圈用于接收脉冲电流后产生脉冲磁场；驱动机构用于在脉冲磁场下产生感应涡流从而产生径向的电磁力和/或轴向的电磁力，并将电磁力施加于待测复合材料上以使待测复合材料向外膨胀和/或轴向压缩发生破坏，以测得待测复合材料的结构强度。本发明能够实现对缠绕结构的复合材料的多轴力加载测试，可以快速有效地评估其力学加固性能。
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公开(公告)号：CN111640552A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010448125.6
申请日：2020-05-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于永磁体压制成型领域，具体涉及一种永磁体压制成型方法，包括：设置驱动线圈，使得驱动线圈其内通有瞬变电流时产生电磁力，以对待压磁粉施加成型压制力；设置取向线圈，使得取向线圈其内通有瞬变电流时产生取向磁场，以使待压磁粉呈各向异性；同步向驱动线圈和取向线圈通入瞬变电流，以同步产生电磁力和取向磁场，完成永磁体的压制成型；其中通过改变瞬变电流的峰值以分别改变电磁力的大小以及取向磁场的强度。本方法采用瞬变线圈产生取向磁场，取向磁场可达到很高，提高永磁体磁性能；采用瞬变线圈来产生电磁力对磁粉压制，提高永磁体密度，压制时间短，解决了现有技术中电磁铁体积较大且无法进一步提升取向磁场强度的问题，实用强。
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公开(公告)号：CN101409145A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810048534.6
申请日：2008-07-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种可承载大电流的电感器，包括至少一个线圈，线圈沿同一圆周均匀分布并依次串联；所述线圈包括比特型线圈和套在其外部的加固机构，比特型线圈由交错叠加的导体板和绝缘层构成，相邻导体板串联。本发明能加载高达几十乃至上百千安的电流，其对外界的电磁干扰低，电感值可进行一定的调节，等效电阻小，而且结构简单坚固，加工方便，可应用于多种电源装置中，还可以用于一些电气设备和电力系统中，作为保护电感用于电路中可以对晶闸管开关等贵重设备以及电源和充电系统起到保护作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119937719A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510030086.0
申请日：2025-01-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于脉冲强磁场技术领域，具体公开了一种强磁场系统。其中，控制模块为磁开关复位电路提供复位信号，且为RSD预触发电路提供触发信号；RSD预触发电路在接收到触发信号后，为RSD反向充电触发其导通；放电主电路在磁开关饱和且RSD反向充电后向单匝线圈馈入高于预设阈值的幅值和电流上升率的脉冲电流，进而在单匝线圈中产生强磁场。本申请可重复多次放电在单匝线圈中产生高幅值磁场。
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公开(公告)号：CN119401139A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411618277.0
申请日：2024-11-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01R4/20 , H01R43/048 , H01R13/52 , H01F7/02
Abstract: 本发明属于导线冷压对接技术领域，公开了一种方形铜导线冷压对接装置及方法，装置包括：同轴设置的上锁紧部件，上楔形块，下楔形块，下锁紧部件，及导线套筒；导线套筒内部用于固定放置相对导线套筒顶端高度相同且待冷压面相向的两根方形铜导线的待对接端部，且导线套筒的材料有柔韧性；下楔形块和上楔形块依次套接在导线套筒外部，下楔形块和上楔形块整体结构中心与待对接端部的中心相对导线套筒顶端相同，且下楔形块和上楔形块的接触面相适配；下楔形块，上楔形块及导线套筒放置在下锁紧部件内，且上锁紧部件与下锁紧部件锁紧，用于对待对接端部的两个待冷压面进行冷压对接。本发明能够提升方形铜导线冷压对接的均匀性，以提升电气和机械性能。
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公开(公告)号：CN119296907A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411438139.4
申请日：2024-10-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01F5/00
Abstract: 本申请提供了一种高重复频率脉冲强磁体，属于脉冲强磁场技术领域，包括集磁器和螺线管磁体线圈；集磁器为中空结构，在集磁器的非中空部分设置有径向贯通集磁器本体侧壁的狭缝；集磁器包括嵌套的内集磁器和外集磁器；其中，内集磁器直径等于外集磁器孔径；内集磁器的机械强度高于外集磁器；外集磁器的电导率高于内集磁器的电导率；内集磁器和外集磁器均为金属材料；集磁器用于将脉冲磁场在外壁感应的涡流通过狭缝引入内壁，在中空区域产生高重复频率脉冲强磁场；其中，高重复频率为高于1Hz的频率。本申请能够在保证磁体承受强磁场带来的巨大电磁力的同时，降低发热量，进而产生高重复频率脉冲强磁场。
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公开(公告)号：CN118335446B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410624294.9
申请日：2024-05-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于脉冲强磁场技术领域，具体公开了一种单匝线圈式破坏性脉冲匀场磁体。通过本申请，线圈内表面轴向上被制成一个圆弧状的内凹面，所述内凹面相对于中间径向平面对称。在磁场达到峰值时，尽管导体已经发生很大的变形，但内表面仍然能够保持明显的凹面形状。由于线圈内表面是内凹面，在趋肤效应和电磁扩散效应的作用下，电流密度将会尽可能多地集中在导体内表面的上下棱处，对线圈中心点形成等效亥姆霍兹双线圈效应，显著提高磁场均匀度。本发明在不改变电源容量和电源电压的条件下，相比传统单匝线圈磁体有效提高磁场均匀度，并有效增加均匀磁场的空间体积，且能够以较为简单的工艺，达到提高破坏性脉冲磁体磁场均匀程度。
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公开(公告)号：CN118571593A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410650658.0
申请日：2024-05-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于脉冲强磁场技术领域，具体公开了一种具有内外双层结构导体的单匝线圈式破坏性脉冲磁体。通过本申请，内外双层结构导体由位于内层的铜导体和位于外层的钨导体组成，或者，由位于内层的铜导体和位于外层的钽导体组成。在放电时，一方面，由于钨或钽的电导率远低于铜的电导率，因此电流会被迫尽可能多地流经内层铜导体，几乎所有的电流都集中在内层铜导体上，沿径向向外层导体的电磁扩散效应得到了抑制；另一方面，由于钨或钽的密度远大于铜的密度，在内层导体受到巨大电磁力而发生沿径向向外的冲击变形时，外层导体发挥对内层导体的质量阻尼作用，抑制内层导体的变形，延缓内层导体的破坏时间。单匝线圈磁体的峰值磁场得到提高。
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