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公开(公告)号:CN117647762B
公开(公告)日:2024-04-23
申请号:CN202410126095.5
申请日:2024-01-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于电磁测量技术领域,具体公开了一种测量电磁体磁场空间位型分布的方法,该方法包括以下步骤:向电磁体中通入电流产生待测磁场;分别测量电磁体外和/或电磁体内至少一个点位处的第一磁感应强度;获取被测点位处对应的第一磁感应强度与第一磁感应强度相关的工作电流间的第一比值;基于第一比值获取待测磁场的空间位型分布。本发明能实现电磁体磁场空间位型的精确测量。
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公开(公告)号:CN119517538A
公开(公告)日:2025-02-25
申请号:CN202411622532.9
申请日:2024-11-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于脉冲强磁场技术领域,具体公开了纳秒级、千特斯拉、半破坏性超强磁场发生装置和方法。通过本申请,磁压缩电路的输出通过电极板连接到一螺线管,通过磁压缩电路让放电电流上升沿时间减小到几纳秒到几十纳秒,虽然螺线管的电感较大,但由于放电电流脉宽很窄,且磁压缩电路的输出电压可高达几百千伏而不依赖气体开关控制,因此仍然能够让螺线管的放电电流达到几百kA。由于螺线管匝数较多且具有较高的电流‑磁场转换效率,因此可以产生1000T以上的磁场。同时,极短的电流上升沿可以充分减小线圈在达到峰值磁场前的变形,确保峰值磁场可以在线圈破坏前产生。
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公开(公告)号:CN118888253A
公开(公告)日:2024-11-01
申请号:CN202410951932.8
申请日:2024-07-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于脉冲强磁场技术领域,具体公开了一种单匝线圈式破坏性脉冲磁体。该脉冲磁体包括:磁体线圈和两块平行布置的放电电极板;所述磁体线圈为单匝线圈,所述单匝线圈包括依次连接的外层金属层和内层金属层,所述内层金属层的电导率小于所述外层金属层的电导率,且在垂直于穿过所述单匝线圈的中心轴线的径向上,所述内层金属层的第一厚度小于所述外层金属层的第二厚度;所述单匝线圈的两端分别对应连接一块所述放电电极板,用于线圈放电。通过本申请可以有效抑制线圈内表面向空气域的热传导过程,防止对线圈孔径内样品的热破坏;同时,可以防止线圈中心点产生的磁场减小的情况发生,保证测试性能。
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公开(公告)号:CN118888252A
公开(公告)日:2024-11-01
申请号:CN202410951929.6
申请日:2024-07-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于脉冲强磁场技术领域,具体公开了一种单匝线圈式破坏性脉冲磁体,该脉冲磁体包括:磁体线圈、预冷却包层和两块平行布置的放电电极板;预冷却包层为线圈状,用于包裹磁体线圈,对磁体线圈进行预冷却;磁体线圈为单匝线圈,其两端裸露在预冷却包层外面,分别对应连接一块放电电极板,用于线圈放电;预冷却包层包括绝缘外壳和容纳腔室,绝缘外壳包括外圈绝缘外壳、侧面绝缘外壳和内圈绝缘外壳,外圈绝缘外壳和/或侧面绝缘外壳上设置有用于加注冷却剂的开口;容纳腔室用于填充冷却剂。通过本申请可在抑制电磁扩散效应和阻尼线圈变形的双重作用下,提高线圈产生的磁场,改善线圈磁体的电流‑磁场转换效率,提升线圈内测试样品的检测效果。
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公开(公告)号:CN117637309A
公开(公告)日:2024-03-01
申请号:CN202311784566.3
申请日:2023-12-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种磁体线圈的轴向减压结构和具有该减压结构的磁体,属于磁体结构优化技术领域。包括:第一端部磁体、第二端部磁体和固定组件;所述第一端部磁体和第二端部磁体分别固定放置在磁体线圈轴向两端,且与磁体线圈存在轴向间隙,用于在端部磁体通电时,与通电的磁体线圈之间形成相互的磁场吸引力;固定组件,用于固定第一端部磁体和第二端部磁体,使端部磁体保持与磁体线圈之间的轴向间隙。本发明通过磁体线圈轴向两端的端部磁体在通电时与通电磁体线圈之间产生的相互磁场吸引力,减小磁体线圈的轴向压应力,提升高场磁体的使用寿命。
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公开(公告)号:CN119296907A
公开(公告)日:2025-01-10
申请号:CN202411438139.4
申请日:2024-10-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01F5/00
Abstract: 本申请提供了一种高重复频率脉冲强磁体,属于脉冲强磁场技术领域,包括集磁器和螺线管磁体线圈;集磁器为中空结构,在集磁器的非中空部分设置有径向贯通集磁器本体侧壁的狭缝;集磁器包括嵌套的内集磁器和外集磁器;其中,内集磁器直径等于外集磁器孔径;内集磁器的机械强度高于外集磁器;外集磁器的电导率高于内集磁器的电导率;内集磁器和外集磁器均为金属材料;集磁器用于将脉冲磁场在外壁感应的涡流通过狭缝引入内壁,在中空区域产生高重复频率脉冲强磁场;其中,高重复频率为高于1Hz的频率。本申请能够在保证磁体承受强磁场带来的巨大电磁力的同时,降低发热量,进而产生高重复频率脉冲强磁场。
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公开(公告)号:CN117637309B
公开(公告)日:2024-06-21
申请号:CN202311784566.3
申请日:2023-12-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种磁体线圈的轴向减压结构和具有该减压结构的磁体,属于磁体结构优化技术领域。包括:第一端部磁体、第二端部磁体和固定组件;所述第一端部磁体和第二端部磁体分别固定放置在磁体线圈轴向两端,且与磁体线圈存在轴向间隙,用于在端部磁体通电时,与通电的磁体线圈之间形成相互的磁场吸引力;固定组件,用于固定第一端部磁体和第二端部磁体,使端部磁体保持与磁体线圈之间的轴向间隙。本发明通过磁体线圈轴向两端的端部磁体在通电时与通电磁体线圈之间产生的相互磁场吸引力,减小磁体线圈的轴向压应力,提升高场磁体的使用寿命。
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公开(公告)号:CN117647762A
公开(公告)日:2024-03-05
申请号:CN202410126095.5
申请日:2024-01-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于电磁测量技术领域,具体公开了一种测量电磁体磁场空间位型分布的方法,该方法包括以下步骤:向电磁体中通入电流产生待测磁场;分别测量电磁体外和/或电磁体内至少一个点位处的第一磁感应强度;获取被测点位处对应的第一磁感应强度与第一磁感应强度相关的工作电流间的第一比值;基于第一比值获取待测磁场的空间位型分布。本发明能实现电磁体磁场空间位型的精确测量。
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