公开(公告)号：CN118603071A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410812589.9

申请日：2024-06-22

Applicant: 中北大学 ,  北京理工大学重庆微电子研究院 ,  赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司

Inventor： 曹慧亮 ,  田慧敏 ,  魏雯强 ,  王晓毅 ,  谢会开 ,  杨云春 ,  王馨宇 ,  崔让

IPC: G01C19/5656

Abstract: 本发明涉及三轴陀螺仪，具体是一种全解耦四质量对称单片三轴MEMS陀螺芯片。本发明解决了现有三轴陀螺仪测量精度低、灵敏度低的问题。全解耦四质量对称单片三轴MEMS陀螺芯片，包括谐振子部分和电极部分；所述谐振子部分包括中心锚点；中心锚点的外侧面连接有两根呈左右对称分布的直形支撑悬梁A；所述电极部分包括正方形基座；正方形基座的上表面溅射有中心点状平面电极、四个沿周向对称分布的等腰梯形平面电极、四个沿周向对称分布的格栅形平面电极、四对沿周向对称分布的外围点状平面电极A、四个沿周向对称分布的外围点状平面电极B、四对沿周向对称分布的条形平面电极。本发明适用于军事导航、深空探测等高精尖领域。

公开(公告)号：CN117547205A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202311739353.9

申请日：2023-12-18

Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院

Inventor： 陈倩 ,  王效峰 ,  蒲嘉 ,  綦廷祥 ,  赵晖 ,  谢会开

IPC: A61B1/00 ,  A61B1/04 ,  A61B5/00 ,  A61B8/12

Abstract: 本发明公开了焦点独立可调的三模态内窥探头装置及方法，装置包括用于传输光声显微成像用激光的第一光纤、用于传输光学相干层析成像用激光的第二光纤、用于传输共聚焦显微成像用激光的第三光纤、用于使激光准直、汇聚或发散的第一透镜、用于使激光汇聚的第二透镜、用于反射激光至成像端面的MEMS扫描反射镜和超声探头，第一光纤、第二光纤和第三光纤与第一透镜之间的距离独立可调。本发明将光声显微成像、光学相干层析成像和共聚焦显微成像相融合,利用MEMS扫描成像技术，同时对腔内组织、血管和细胞等多目标物成像；且调整光纤与第一透镜的相对位置，可实现多模态各自焦点可调和共焦平面成像，保持最佳分辨率水平和成像质量。

公开(公告)号：CN116124286A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211621634.X

申请日：2022-12-16

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 丁心宇 ,  谢会开 ,  陈超 ,  曹英超 ,  潘腾 ,  杨恒张

IPC: G01J3/02 ,  B81B3/00 ,  G01J3/28

Abstract: 本发明公开的一种基于MEMS可动微平台的光谱检测装置及其加工方法，属于光谱分析技术领域。本发明包括超表面、MEMS可动微平台、光阑、单点探测器和信号处理系统。超表面、MEMS可动微平台、光阑、单点探测器均位于入射光光轴上。超表面用于对入射光进行分光并汇聚，超表面由特征尺寸小于光谱仪工作波段的微结构构成。超表面所在平面与入射光光轴方向垂直。所述超表面用于对入射光进行聚焦，并根据波长不同，在光轴方向上不同位置产生相应焦点。本发明采用超表面作为色散元件，显著压缩色散元器件的体积；通过将超表面集成于MEMS可动微平台上，配合单点探测器即能够实现光谱信息的动态检测，无需昂贵的阵列探测器，显著降低光谱检测装置成本。

公开(公告)号：CN115486800A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210915262.5

申请日：2022-08-01

Applicant: 北京理工大学 ,  佛山光微科技有限公司

Inventor： 赵晖 ,  谢会开 ,  潘腾

IPC: A61B1/227 ,  A61B5/00 ,  A61B8/12

Abstract: 本发明公开的一种基于MEMS的双模态耳科检测仪，属于医学成像领域。本发明包括OCT成像模块、超声成像模块、控制器、成像探头。将MEMS微镜、环形MEMS超声换能器等器件内置集成在检测仪成像探头端，通过MEMS微镜和超声换能器的通孔设置，充分利用MEMS微镜的小尺寸和大扫描角度，环形MEMS超声换能器小型化等特点，使得微镜实现前视扫描，提供更大OCT成像视场的同时保持较小的探头直径，达到OCT前视扫描成像与超声成像的双模态同时成像的效果。本发明还公开一种基于MEMS的大视场双模态耳科检测仪，成像探头端通过紧凑的光电和结构共轴设计，在保持较小尺寸的同时能够实现更大的OCT扫描成像范围。

公开(公告)号：CN114019675B

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202111155662.2

申请日：2021-09-29

Applicant: 北京理工大学 ,  无锡微奥科技有限公司

Inventor： 谢会开 ,  王鹏

IPC: G02B26/08

Abstract: 本公开公开了一种二维微镜。该二维微镜包括外框架及套设于所述外框架内侧的内框架；所述外框架与所述内框架之间设置有第一驱动器；所述内框架的内侧设置有第二驱动器；所述第一驱动器和所述第二驱动器均为电热驱动器，或者，所述第一驱动器为电热驱动器、所述第二驱动器为静电驱动器；所述第一驱动器包括支撑梁及驱动臂组件；所述支撑梁连接在所述内框架的外侧，所述驱动臂组件与所述支撑梁连接，所述驱动臂组件设置有多个，多个所述驱动臂组件沿第一方向排布，所述第一方向为所述支撑梁的长度方向。

公开(公告)号：CN110927960B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201911243735.6

申请日：2019-12-06

Applicant: 北京理工大学 ,  无锡微奥科技有限公司

Inventor： 汤跃 ,  徐立新 ,  李建华 ,  王鹏 ,  谢会开

IPC: G02B26/06

Abstract: 本发明公开了一种热驱动可变形微镜，属于自适应光学系统技术领域。该微镜由镜片、电极、支梁和硅结构框架组成，支梁将镜片悬空支承在硅结构框架的中央，镜片由上至下分为三层，依次为金属反射层、二氧化硅层和硅层，支梁与镜片的硅层为同种材质整体成型，硅结构框架与支梁之间由二氧化硅层绝缘，电极设置在硅结构框架的表面与支梁相连，对电极通电后，支梁和镜片形成电流回路并发热，利用金属和硅的热膨胀系数不同使得镜片产生变形。本发明通过通电控制金属和硅两种不同材料的加热温度，达到镜面变形的目的。

公开(公告)号：CN113796831B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202111015041.4

申请日：2021-08-31

Applicant: 佛山光微科技有限公司 ,  北京理工大学

Inventor： 孔冠岳 ,  谢会开 ,  赵晖 ,  何方明

IPC: A61B5/00 ,  G02B23/24

Abstract: 本申请提供了一种旋转内窥OCT探头，其技术方案要点是：包括用于伸入生物组织内的透明导管以及光纤，所述光纤设置在所述透明导管内，用于传输由光源发射的光线，其特征在于，所述透明导管内还包括有沿光线从光纤入射至生物组织方向依次排列的：自聚焦透镜，用于会聚光线；直角棱镜，用于将经过所述自聚焦透镜会聚后的光线反射至垂直于所述透明导管的方向；柱面镜，用于接收经过所述直角棱镜反射的光线，所述柱面镜靠近所述直角棱镜的一侧为平面，另一侧为凸面，所述柱面镜与所述透明导管之间设置有硅油。本申请提供的一种旋转内窥OCT探头具有成像分辨率高、体积小、结构紧凑的优点。

公开(公告)号：CN119461230A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411634464.8

申请日：2024-11-15

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 吴烨恺 ,  谢会开 ,  曹英超 ,  王震 ,  王华 ,  齐强先

IPC: B81B7/02 ,  B81B5/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS的面内三轴大位移致动平台及其制造方法，主要包括外框架、十字岛框架、双向梳形驱动单元、长弹簧梁和短弹簧梁，制造步骤包括：使用磁中性环路放电等离子体（NLD）各向异性刻蚀玻璃衬底上的空腔结构，使用阳极键合工艺将带有空腔结构的BF33玻璃晶圆与低阻硅晶圆键合，减薄低阻硅晶，深硅刻蚀（DRIE）低阻硅晶圆形成电隔离沟道并填充BCB材料，使用化学机械抛光（CMP）工艺去除低阻硅晶圆表面BCB，溅射金属层及剥离（lift‑off）工艺形成导线层，深硅刻蚀（DRIE）低阻硅晶圆形成最终器件。本发明的有益效果：提升器件填充率，减小尺寸，提升结构刚度，响应速度，谐振频率和散热性能，同时提供一种将微动平台与CMOS芯片异质集成的打线方法。

公开(公告)号：CN119197874A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411302954.8

申请日：2024-09-18

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 王晓毅 ,  徐世震 ,  杨盖 ,  谢会开

IPC: G01L21/12 ,  G01L27/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种兼容CMOS的皮拉尼真空计的制造及温度补偿方法，涉及皮拉尼真空计领域，该制造方法包括：在硅衬底依次沉积第一层二氧化硅、多晶硅牺牲层、第二层二氧化硅、多晶硅热敏电阻部分、第三层二氧化硅和铝层；所述铝层用于形成引线和焊盘；采用反应离子刻蚀选择性去除二氧化硅，暴露出需要蚀刻的多晶硅牺牲层或硅衬底；采用各向同性刻蚀技术蚀刻所述多晶硅牺牲层，得到T型器件结构；或采用深硅刻蚀技术及各向同性刻蚀技术蚀刻所述硅衬底，得到L型器件结构。本发明可制造两种兼容CMOS的皮拉尼真空计；同时通过本发明的温度补偿方法还可以基于环境温度对输出性能的影响进行具体分析。

公开(公告)号：CN118026086A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410202479.0

申请日：2024-02-23

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 王晓毅 ,  丁厚伯 ,  谢会开

IPC: B81B7/02 ,  B81B7/00 ,  B81B3/00 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  G01L9/06 ,  G01L9/12

Abstract: 本发明公开的一种CMOS MEMS双模态气体压力传感器及制作方法，属于传感器领域。双模态气体压力传感器，包括硅衬底层和二氧化硅结构层；二氧化硅结构层设置于硅衬底层上方；二氧化硅结构层包括禁锢区域和设置于中央的电容式与压阻式双模态的压力传感结构。本发明通过压阻式与电容式的双模态检测来实现高压与低压兼容的高线性度的精确检测，并利用压阻式与电容式压力传感器各自的压力传感优势，能够同时实现低压以及高压的精确检测，增大传感器的气压检测范围。本发明还公开双模态气体压力传感器的制作方法，利用CMOS工艺在同一传感器垂直方向上同时制作电容式与压阻式两种压力传感结构，且本发明制作无需掩模的Post‑CMOS工艺，避免复杂的光刻步骤。