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公开(公告)号：CN101575213B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200910086805.1
申请日：2009-06-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/495
Abstract: 一种提高Sr2-xCaxNaNb5O15陶瓷介电和压电性能的制备工艺属于无铅压电陶瓷的制备领域。本发明将SrCO3、CaCO3、Na2CO3、Nb2O5试剂按Sr2-xCaxNaNb5O15的化学计量比进行配料、球磨，其中x＝0.05～0.20，在1150℃保温12h条件下预反应；添加粉料质量的0.3％～0.7％的MnO2作为助烧剂，进行球磨后，并烘干；加入聚乙烯醇作为黏和剂，与粉料均匀混合后，压制成陶瓷坯体；以100℃/小时升温速率升至1230～1270℃烧结3～6h。本工艺相对于现有工艺，具有一次烧结成瓷，保温时间短(3～6h)、制备周期短、耗能低的特点。此优点适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN101353431B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200810222223.7
申请日：2008-09-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明是一种高导电聚偏氟乙烯材料的准分子激光制备方法，属于激光与物质相互作用领域。本装置包括沿光的传播方向依次设置的激光器、均束系统、第二会聚透镜和工作台；均束系统又包括第一级透镜阵列，第二级透镜阵列和第一会聚透镜。制备高导电聚偏氟乙烯材料时，先通过氦氖激光进行准直，调整光路，使其具有完整光斑形状；然后通过调节激光光斑大小和输出能量，控制材料表面能量流密度，使其为44mJ/cm2～112mJ/cm2；将样品置在工作台上，设置激光重复频率，开启激光进行材料辐照改性，辐照总脉冲个数结束后完成改性，同时激光停止输出。本发明使其表面电导率提高了9～12个数量级，同时制备出的导电聚合物比较稳定。
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公开(公告)号：CN102061522A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010538332.7
申请日：2010-11-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了大尺寸Al2O3基晶体的二步法制备方法。将Al2O3粉料和掺杂粉料制成素坯棒，将素坯棒作为籽晶棒或料棒，使籽晶棒顶端或料棒末端与卤素灯处于同一水平线上；在空气氛围中，卤素灯以2720～3060W/h的功率输出，对素坯棒往复扫描加热，直至素坯棒熔化、结晶，得到多晶料棒；将多晶料棒一根作为籽晶，一根作为原料棒，使原料棒末端与籽晶棒顶端接触，并且接触处与卤素灯处于同一在水平线上，在空气氛围中，卤素灯以3200～3400W/h的功率输出，籽晶和原料棒逆向旋转，原料棒和籽晶棒分别向下、向上移动通过熔区，进行晶体生长。本发明方法得到的晶体无杂质，小角度晶界较少，表现出良好的晶体质量。
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公开(公告)号：CN101984150A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN201010532360.8
申请日：2010-10-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了浮区法生长蓝宝石晶体的方法，属于晶体生长领域。包括以下步骤：将高纯原料按照需要生长晶体的配比进行混合；将步骤(1)中制得的混合料经过球磨、烘干，然后压制成棒状的料棒；将制得的料棒经过烧结后获得多晶棒；将多晶棒放入浮区炉中，设置升温速率为30～60℃/分钟至料棒和籽晶融化，调整料棒和籽晶的转速和旋转方向，接种；然后设置晶体生长速度进行晶体生长；设置降温时间，将生长完的晶体冷却至室温。本发明无污染，能够快速生长厘米量级、无宏观缺陷、高质量蓝宝石晶体，且操作简单，成本相对较低，可重复性强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100493815C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200710118477.X
申请日：2007-07-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种硬脆性非金属材料的激光无损伤切割方法属于激光材料加工领域。传统加工方法对硬脆性材料的无损伤切割难度极大。该方法特征在于：将聚焦激光束在0.05～0.5s的时间内在材料上打一个透孔，确定激光峰值功率为700～4000W；采用4%～50%的占空比，在700～4000W峰值功率下，配合压力为1～5×105Pa的辅助气体，以100～500mm/min的光束或工件移动速度，0.05～0.2mm的打孔间距，沿加工路径打出一系列孔径为0.05～065mm的透孔，透孔边界彼此衔接或叠加，以此相连完成材料的切断。该方法可有效减少加工区域的局部热效应，完成硬脆性非金属材料多种加工面及多种形状单元的无损伤切割。
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公开(公告)号：CN101323228A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810116506.3
申请日：2008-07-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种用激光改色白珊瑚的方法，属于无机物的改性领域。珊瑚的激光改色由以下方法制得：将白珊瑚置于转动平台上，以激光为热源进行辐照预热，辐照采用单面扫描辐照方式，激光光斑面积覆盖整个样品的表面，转动平台的转速为24rad/min，辐照预热时间为30～60s，激光的功率密度为8～12w/cm2；预热结束后，将激光的功率密度提高到16～20w/cm2继续辐照白珊瑚样品，辐照时间为40～120s后，关掉激光光源，样品冷却至室温。通过激光辐照引起的色心缺陷，达到将白珊瑚颜色由白色变成浅棕红色的目的，改色后珊瑚样品无破损，外观平滑；本发明可快速改变白珊瑚的颜色，工艺简化，能耗低，时耗小，大大节约制备成本。
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公开(公告)号：CN100420653C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200610165256.3
申请日：2006-12-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/64
Abstract: 一种铌酸钾钠系无铅压电陶瓷的激光制备方法属于无铅压电陶瓷领域。现有技术难以得到具有晶粒的取向生长特征的高致密度铌酸钾钠系压电陶瓷。本发明按NaxK1-xNbO3配料、预烧、压片成陶瓷素坯后，以激光为热源进行辐照预热，时间30～60s，温度150～300℃；预热后升温，速度10～20℃/min，升温至800～1100℃时向该陶瓷试样喷氧气或氮气；30～120s后沿轴向方向作提拉运动，速度为0.02～0.06mm/s；提拉1～10mm后降温关光，继续通氧气或氮气3～10min。该陶瓷平均相对密度大于97%，Tc可达400℃以上，d33在30～70pC/N之间。
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公开(公告)号：CN101077551A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710118477.X
申请日：2007-07-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种硬脆性非金属材料的激光无损伤切割方法属于激光材料加工领域。传统加工方法对硬脆性材料的无损伤切割难度极大。该方法特征在于：将聚焦激光束在0.05～0.5s的时间内在材料上打一个透孔，确定激光峰值功率为700～4000W；采用4％～50％的占空比，在700～4000W峰值功率下，配合压力为1～5×105Pa的辅助气体，以100～500mm/min的光束或工件移动速度，0.05～0.2mm的打孔间距，沿加工路径打出一系列孔径为0.05～065mm的透孔，透孔边界彼此衔接或叠加，以此相连完成材料的切断。该方法可有效减少加工区域的局部热效应，完成硬脆性非金属材料多种加工面及多种形状单元的无损伤切割。
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公开(公告)号：CN1974481A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610165256.3
申请日：2006-12-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/64
Abstract: 一种铌酸钾钠系无铅压电陶瓷的激光制备方法属于无铅压电陶瓷领域。现有技术难以得到具有晶粒的取向生长特征的高致密度铌酸钾钠系压电陶瓷。本发明按NaxK1－xNbO3配料、预烧、压片成陶瓷素坯后，以激光为热源进行辐照预热，时间30～60s，温度150～300℃；预热后升温，速度10～20℃/min，升温至800～1100℃时向该陶瓷试样喷氧气或氮气；30～120s后沿轴向方向作提拉运动，速度为0.02～0.06mm/s；提拉1～10mm后降温关光，继续通氧气或氮气3～10min。该陶瓷平均相对密度大于97％，Tc可达400℃以上，d33在30～70pC/N之间。
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