公开(公告)号：CN100420653C

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200610165256.3

申请日：2006-12-15

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 季凌飞 ,  蒋毅坚 ,  付宗义

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/64

Abstract: 一种铌酸钾钠系无铅压电陶瓷的激光制备方法属于无铅压电陶瓷领域。现有技术难以得到具有晶粒的取向生长特征的高致密度铌酸钾钠系压电陶瓷。本发明按NaxK1-xNbO3配料、预烧、压片成陶瓷素坯后，以激光为热源进行辐照预热，时间30～60s，温度150～300℃；预热后升温，速度10～20℃/min，升温至800～1100℃时向该陶瓷试样喷氧气或氮气；30～120s后沿轴向方向作提拉运动，速度为0.02～0.06mm/s；提拉1～10mm后降温关光，继续通氧气或氮气3～10min。该陶瓷平均相对密度大于97%，Tc可达400℃以上，d33在30～70pC/N之间。

公开(公告)号：CN1974481A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610165256.3

申请日：2006-12-15

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 季凌飞 ,  蒋毅坚 ,  付宗义

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/64

Abstract: 一种铌酸钾钠系无铅压电陶瓷的激光制备方法属于无铅压电陶瓷领域。现有技术难以得到具有晶粒的取向生长特征的高致密度铌酸钾钠系压电陶瓷。本发明按NaxK1－xNbO3配料、预烧、压片成陶瓷素坯后，以激光为热源进行辐照预热，时间30～60s，温度150～300℃；预热后升温，速度10～20℃/min，升温至800～1100℃时向该陶瓷试样喷氧气或氮气；30～120s后沿轴向方向作提拉运动，速度为0.02～0.06mm/s；提拉1～10mm后降温关光，继续通氧气或氮气3～10min。该陶瓷平均相对密度大于97％，Tc可达400℃以上，d33在30～70pC/N之间。