公开(公告)号：CN108461446A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810250000.5

申请日：2018-03-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭沛 ,  王紫东 ,  田仲政 ,  宋建宏 ,  李慕禅 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: H01L21/77

Abstract: 本发明提出了一种单栅石墨烯倍频器的制备方法，在电子电路、微纳电子学等领域具有应用前景。本发明在常规的源(或漏)金属和石墨烯接触的基础上插入一层不连续或是多孔连续的金属氧化薄膜构成金属/氧化层/石墨烯的接触结构，或是第二金属/第一金属/氧化层/石墨烯的接触结构，同时在石墨烯沟道上方覆盖金属、金属氧化物或是有机物等材料，得到转移特性曲线具有两个电流极小值点的石墨烯倍频器件。本发明石墨烯倍频器的三次谐波的能量或是四次谐波的能量占全部输出交流信号(基频和各次谐波)能量的比例高。

公开(公告)号：CN107123845A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710285611.9

申请日：2017-04-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 王紫东 ,  张亮 ,  彭沛 ,  田仲政 ,  李慕禅 ,  宋建宏 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: H01P3/00 ,  H01P11/00

Abstract: 本发明公开了一种金属共面波导特征阻抗值的增加方法。该方法通过在金属共面波导的信号线上覆盖二维材料，来实现对金属共面波导特征阻抗的增加。本发明在实现特征阻抗值增加的同时，不会增加导体的导体损耗。不同于一般通过调整结构参数来增加金属共面波导的特征阻抗值，本发明对金属共面波导的特征阻抗值增加的方法较为直观简单，避免了耗费大量的调整时间。另外，本发明不影响原金属共面波导制备过程中的任何加工过程，能够很好地与其制备工艺兼容。

公开(公告)号：CN106768513A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611079246.8

申请日：2016-11-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 王紫东 ,  彭沛 ,  田仲政 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: G01L1/18

Abstract: 本发明公开了一种结构简单的大量程和高精度的压力传感器及其制备方法。该方法利用表面存在大量褶皱的纳米厚度石墨材料，基于褶皱在垂直于表面的方向上的导电性会随着褶皱上承受的压力的增大而明显增大这一现象，设计了一个结构简单、易于实现的压力传感器结构。由于石墨材料表面的褶皱无处不在、密度较大，且高度各异，所以该压力传感器不仅可以在较大的量程范围内实现对压力的测量，而且对压力测量的精度也非常高，可以实现对微力的测量。另外，由于石墨材料为纳米厚度片状结构，该压力传感器还具有体积小的优势。