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公开(公告)号：CN101984506B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010504099.0
申请日：2010-10-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/311 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供了一种二次光刻实现薄膜晶体管的制备方法，属于半导体技术平板显示领域。该方法具体包括：首先在玻璃或者塑料衬底上生长一层半导体沟道层；然后生长一层栅绝缘介质层；再进行第一次光刻和刻蚀定义栅绝缘介质层图形；随后生长一层导电薄膜材料，光刻和刻蚀形成栅电极、源端电极和漏端电极。本发明采用二次光刻形成薄膜晶体管的工艺技术，减少了光刻次数，简化了工艺步骤，从而提高了工作效率，降低了制造成本。为液晶显示等行业提供简便可行的薄膜晶体管制备方法。
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公开(公告)号：CN102456157A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201010519997.3
申请日：2010-10-20
Applicant: 北京大学
IPC: G06N3/063
CPC classification number: G06N3/063
Abstract: 本申请提供了一种神经元器件及神经网络，该神经元器件包括底电极层、顶电极层、以及夹在底电极层和顶电极层之间的阻变材料层，其中，神经元器件在施加恢复脉冲时转变为正常态，而在施加刺激脉冲时转变为兴奋态。神经元器件具有对刺激脉冲的幅度、宽度及个数的综合响应，提供权重部分和运算部分的功能。该神经元器件结构简单，便于集成，并且与传统硅基CMOS工艺兼容，非常适合大规模生产，可以实现多种生物功能和复杂的逻辑运算。
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公开(公告)号：CN102194999A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110050635.9
申请日：2011-03-02
Applicant: 北京大学
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种复合太阳能电池，包括串联的染料敏化太阳能电池和电压源，该染料敏化太阳能电池的阳极与电压源的负极电连接，并且染料敏化太阳能电池的阴极作为复合太阳能电池的阴极，电压源的正极作为复合太阳能电池的阳极。该复合太阳能电池中的染料敏化太阳能电池具有提高的转换效率。
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公开(公告)号：CN102157693A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110032097.0
申请日：2011-01-28
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本申请公开了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括下电极组件、上电极组件、用于将下电极组件和上电极组件组装在一起并形成密闭空间的密封剂、以及容纳在密闭空间中的电解质，其中下电极组件包括下透明导电基板、在下透明导电基板上形成的纳米氧化物半导体薄膜、以及在纳米氧化物半导体薄膜中的纳米颗粒表面上附着的染料，并且上电极组件包括上透明导电基板，太阳光从上电极组件一侧入射，其中所述上电极组件还包括在上透明导电基板上形成的α-Si薄膜太阳能电池，所述α-Si薄膜太阳能电池包括依次堆叠的P型α-Si薄膜、I型α-Si薄膜和N型α-Si薄膜，N型α-Si薄膜与纳米氧化物半导体薄膜相对设置，并且N型α-Si薄膜和纳米氧化物半导体薄膜与电解质接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101419867A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810223906.4
申请日：2008-10-09
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种染料敏化太阳能电池的纳米复合电极的制备方法，该方法包括：利用阳极氧化的方法首先在透明导电基底上制备TiO2纳米管阵列；然后在TiO2纳米管阵列表面涂布一层TiO2纳米颗粒的分散溶液；最后通过加热的方式使TiO2纳米颗粒与TiO2纳米管结合在一起，并且使分散溶液的溶剂挥发，得到染料敏化太阳能电池的半导体复合电极结构。由于在制备有序纳米管阵列结构的基础上，将TiO2纳米颗粒与TiO2纳米管结合，使相对于单一的纳米管阵列电极的表面积增加，可以吸附更多的染料，从而增加太阳能电池的光电效率；同时，纳米颗粒层可以作为透射过纳米管阵列光线的漫反射层，使得光线在管中传播时间更长，增大了激发染料的概率。
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公开(公告)号：CN101281953A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810105176.8
申请日：2008-04-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有稳定阻变特性的材料以及阻变存储器，属于半导体非挥发性存储器技术领域。该阻变材料为掺入了银的二氧化硅薄膜或掺入了银的氮化硅薄膜。阻变材料的Ag粒子会朝着电极的方向运动并在电极处堆积。只要外加电压不撤销，堆积的银粒子将越来越多并向另一端的电极延伸。当堆积的银粒子将两端电极连通的时候，阻变层就由高阻态转向了低阻态。因此，本发明阻变材料以Ag粒子运动组合的方式形成导电通道，使阻变材料的电阻转变的稳定性大幅提升。
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公开(公告)号：CN101179095A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710177249.X
申请日：2007-11-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供了一种实现存储器功能的场效应晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路及其制造技术领域。该器件包括：源区、漏区和控制栅，控制栅采用栅叠层结构，其依次为底层—隧穿氧化层；中间层—阻变材料层，以及顶层—导电电极层。该场效应晶体管获得电可编程的多阈值功能，在栅极加相同的读电压时，源、漏电流不同，实现两个不同状态的信息存储或其他功能。利用本发明可构成多种新功能、高性能、高可靠性器件和电路，满足不同的电路功能应用；同时，既可以采用与传统的PN结源/漏结构的CMOS工艺兼容，也可与采用新型的肖特基结源/漏结构的CMOS工艺兼容，具有较大的工艺选择的灵活性。
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公开(公告)号：CN101159314A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710176547.7
申请日：2007-10-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种电阻式随机存储器的存储单元及其制备方法，属非挥发性存储器件技术领域。该存储单元包括衬底和位于衬底之上的电阻器，该电阻器由底电极、顶电极和二者之间的绝缘体构成，所述绝缘体为纯的或掺杂其它金属元素的二氧化铈氧化物薄膜。其制备方法是采用溶胶－凝胶旋涂法、化学气相淀积、溅射等各种薄膜制备方法结合退火工艺，首先在衬底上制备导电薄膜作为底电极，再在其上制备纯的或掺杂的二氧化铈氧化物薄膜，最后在氧化物薄膜上制作导电的顶电极，形成了一具有优异稳态电阻转变和记忆特性的电阻式随机存储器的存储单元。
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公开(公告)号：CN101017720A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200710001132.6
申请日：2007-01-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种室温铁磁掺钴氧化钛稀磁半导体材料的制备方法，属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域。该方法首先将Ti氧化物和Co氧化物进行混合，采用固相烧结反应法制备CoxTi1－xO2材料，然后将CoxTi1－xO2材料压制成片，在含有氢气的气氛下进行退火处理，退火后的CoxTi1－xO2材料具有室温铁磁性。采用本发明制得的室温铁磁性的掺钴氧化钛稀磁半导体材料，可用于脉冲激光沉积以及反应溅射等方法制备室温铁磁性CoxTi1－xO2薄膜时的靶材，具有十分重要的研究价值和广阔的应用前景。
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