-
公开(公告)号：CN104157637A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410422556.X
申请日：2014-08-25
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/50 , H01L33/64
Abstract: 一种MCOB LED封装结构包括基板和若干个LED芯片。所述基板包括第一面及与第一面相背的第二面。第一面开设有若干个杯碗，第二面设有若干个散热鳍片。基板为金属材料、陶瓷材料或高分子复合材料一体化成型结构。杯碗为光学仿真制作而成。LED芯片固定杯碗内，第一面设有电子线路和若干个不同的电源接口，LED芯片与电子线路连接，电子线路与电源接口连接。上述的MCOB LED封装结构，采用金属材料、陶瓷材料或者高分子复合材料一体化成型结构的基板，增加基板的热传递能力。基板上直接开设杯碗，将LED芯片安装在杯碗中，缩短传热距离，而且设置散热鳍片进一步提高散热速率，从而提高LED封装结构的散热效果。
-
公开(公告)号：CN118516739A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410702912.7
申请日：2024-05-31
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓单晶生长装置和方法，其包括轴承件、搅拌件和反应釜，轴承件包括内圈、外圈以及设于内圈和外圈之间的滚珠，内圈包括内圈上部和内圈下部，外圈的圆心到内圈上部内壁的间距不小于外圈的圆心到内圈下部内壁的间距，内圈上部的壁厚小于内圈下部的壁厚，固定部连接内圈下部，并设有凹槽，籽晶限位于凹槽，固定槽、籽晶、连接件、内圈的总体的重心要低于反应釜的转轴，再加上滚珠的无摩擦滑动，反应釜旋转时，固定槽和籽晶能保持水平状态，外圈的圆心在反应釜转轴上，搅拌件连接反应釜，反应釜带动搅拌件和外圈转动，其解决了籽晶随反应釜翻转进而影响氮化镓单晶生长方向性的问题，促进了氮气的解离并使氮离子在熔体均匀分布。
-
公开(公告)号：CN117328144B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311149602.9
申请日：2023-09-06
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种利用浮力维持HVPE反应炉预反应速率稳定的镓舟反应器，包括用于盛放镓金属的腔室及内置于腔室并依靠镓金属浮力漂浮于镓金属液面上方的活动盖板；腔室包括进气通道、出气通道和镓源存放区；活动盖板包括顶盖及与顶盖共同形成气路通道的侧壁，侧壁的下方设有基座。本发明盛放镓金属的腔室与活动盖板不连通，因此依靠镓金属浮力漂浮于镓金属液面上方的活动盖板可以随着镓金属消耗随着镓金属液面上下运动。由于活动盖板的重量和位于镓金属内部的底部基座体积固定，因此所受到的浮力固定，使侧壁与顶盖形成的气路通道体积固定，可保证镓金属液面下降但是预反应通道固定，以此实现预反应不随镓金属消耗发生变化。
-
公开(公告)号：CN117626434A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311636207.3
申请日：2023-11-30
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于毛细作用的自循环装置，包括毛细管以及装有熔体的反应釜；毛细管包括依次连接的进口端部、中段部以及出口端部，其中，进口端部浸入于熔体的液面下方，出口端部位于熔体的液面上方，毛细管的内部沿进口端部至出口端部的方向依次填充有毛细填料以及引流填料。在上述结构中，熔体在毛细管的毛细作用下沿填料的微孔道反重力上升，直至流动到引流填料，在引流填料的作用下回流至反应釜内。这样有效加快熔体的循环流动速度，增加熔体的对流，进而加快熔体中的氮离子传质，起到调节氮化镓单晶生长质量的作用。
-
公开(公告)号：CN114318307B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111633018.1
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C23C16/511 , C23C16/50 , C23C16/27 , C23C16/46 , C23C16/458 , C23C16/54
Abstract: 本申请公开了一种微波等离子金刚石生长设备及应用方法，包括微波源，所述微波源通过波导连接有谐振腔，所述谐振腔的内腔中安装有基片台结构；本申请相对于现有的MPCVD金刚石沉积设备，本申请采用多面基片台包围谐振腔的设计，各基片台全方位吸收等离子体能量同时沉积生长金刚石膜，大大提高设备的能效。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114737250A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210410043.1
申请日：2022-04-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种激光辅助加热制备GaN单晶设备，涉及GaN材料制备技术领域，包括晶体生长系统、激光产生系统和温控系统，通过将激光产生系统产生的激光传输至衬底生长区域，使激光光斑辐射处的材料吸收激光光能而加速分子热运动以提高晶体生长的温度；利用温控系统以实施探测并反馈晶体生长处的局域温度，以此为依据来调整激光的能量密度与脉冲数，使得材料的吸收谱匹配相应的激光波长，确保材料的分子热运动加速但仍处于简谐振动的范畴，不会出现裂解而影响晶体结构，进而实现高速高质量GaN单晶的生长。此外，通过集成激光提高晶体生长局域温度，在不改变晶体生长系统整体温度布局的同时能够有效降低系统需承受的温场，从而有效降低设备制造成本。
-
公开(公告)号：CN114318521A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111633010.5
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本申请公开了一种金刚石生长方法，所述生长方法包括如下步骤：S1、选取金刚石籽晶，S2、选取陪料，S3、金刚石籽晶转移，S4、抽真空，S5、金刚石生长，S6、取出金刚石成品。本申请中陪料包围金刚石籽晶，金刚石籽晶有一部分露出陪料，陪料的导热率比金刚石低，陪料的存在能减少金刚石生长面与非生长面之间的温差，避免金刚石在生长过程中由于局部温差过大而产生应力或生长出多晶，陪料与金刚石籽晶一起保持振动或转动，可以使得金刚石籽晶的不同表面都有机会接触包含碳源的等离子体，便于金刚石籽晶在三维方向连续生长。
-
公开(公告)号：CN110616462B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201910965282.1
申请日：2019-10-11
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体材料领域，具体涉及一种GaN单晶衬底的制备方法，包括以下步骤：步骤一：把C/GaN复合衬底与固体的Ga‑Na源材料一起置于高压反应釜的坩埚中，密封高压反应釜，通入高纯氮气，在室温条件下将高压反应釜加压至过渡压力；步骤二：对步骤一中加压至过渡压力的高压反应釜升温并继续加压，加压升温至生长条件，开始GaN单晶生长；步骤三：继续通入高纯氮气，GaN单晶生长达到目标厚度后，从高压反应釜中取出坩埚及晶体，即得GaN单晶衬底，本发明通过在Ga/Na熔体中插入C/GaN复合衬底，在提供GaN籽晶的同时又能提供碳元素，即有利于GaN薄膜的成核与生长，又能有效抑制GaN多晶的产生，从而提高GaN单晶的生长速率与晶体质量。
-
公开(公告)号：CN108950554A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810853548.9
申请日：2018-07-30
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种金属表面划痕的去除方法,包括以下步骤：除油：将金属部件完全浸没于除油剂中除油；蚀刻：将除油后经过清洗的金属部件完全浸没于蚀刻液中蚀刻去除表面划痕；抛光：将经过蚀刻的金属部件完全浸没于抛光液中抛光去除表面蚀刻层；将经过上述处理的金属部件水洗后进行烘干，得到表面光亮的金属部件。本发明采用化学方法对金属表面进行蚀刻抛光去除划痕的方法,既可以减少昂贵设备的投入而降低制造成本，同时，能批量处理规则与不规则部件，突破了目前机械化学抛光对部件的一致性要求，可大大简化工艺流程提高生产效率。
-
公开(公告)号：CN108131572A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201810026492.X
申请日：2018-01-11
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: F21K9/20 , F21V29/56 , F21Y115/10
Abstract: 一种液体自循环散热的LED灯具，包括LED器件和散热体，LED器件与散热装接，所述散热体与吸热液体箱连接，吸热液体箱装接有过渡液体箱，吸热液体箱和过渡液体箱内均装设有冷却介质，过渡液体箱通过至少两个使冷却介质的流通方向相反的单向阀连接，单向阀集成在隔板上，过渡液体箱与吸热液体箱通过该隔板隔开连接；或者单向阀集成在导管中，过渡液体箱通过该导管与吸热液体箱连接。本发明不需要增加额外的动力源即可催动冷却介质流动，从而减少能源浪费，对灯具起到有效的冷却作用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
92
records
(took 0.018 seconds)
