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公开(公告)号：CN102636678A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210104045.4
申请日：2012-04-10
Applicant: 北京大学
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，提供了一种阈值电压退化测量电路。所述电路包括两个串联的MOS管；其中，第一MOS管为被测管，第一MOS管的栅极连接第一直流电压，源极和衬底同时连接源极电压，漏极连接输出端；第二MOS管的栅极和漏极同时连接第二直流电压，源极和衬底同时连接输出端。在本发明的方案中，提出了一种结构简单的阈值电压退化测量电路，其电路只包含两个串联的MOS管，只需测量输出端的电压变化即可直接测量被测管的阈值电压退化情况，只涉及一个物理量的获取且无需进行二次处理和分析，因此本发明的技术方案结构简单、操作方便、节省时间、结果精确直观且易于实现。
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公开(公告)号：CN102176443A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110044418.9
申请日：2011-02-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/544 , H01L27/02 , G01R31/12
Abstract: 本发明公开了一种用于测试氧化层击穿可靠性的结构及方法，该结构包括具有不同面积的多个氧化层电容，多个氧化层电容共享同一个栅极，每个氧化层电容包括一个衬底，且各个氧化层电容的衬底相互分离。本发明的测试结构不仅可以使用常规的半导体参数测试设备，而且仅一次测量就可以获得多个氧化层击穿数据，因此在没有增加测试设备成本的前提下，提高了测试效率。
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公开(公告)号：CN102176442A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110043372.9
申请日：2011-02-22
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/544 , H01L27/02 , G01R31/26
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种用于测量MOS器件HCI可靠性的测试结构，包括：n型MOS器件和p型MOS器件，所述n型MOS器件的源极、衬底和p型MOS器件的漏极三者连接在一起组成所述结构的源极；且所述p型MOS器件的源极、衬底和n型器件的漏极三者连接在一起组成所述结构的漏极；所述n型MOS器件和p型MOS器件的栅极分别构成所述结构的n型栅极和p型栅极。本发明提供了一种可同时测量n型和p型MOS器件HCI可靠性的测试结构及方法，使得n型和p型MOSFET器件HCI可靠性测试可以在同一测试结构上完成。
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公开(公告)号：CN102169869A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110034388.3
申请日：2011-02-01
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/544 , H01L29/78 , G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种用于检测MOS器件晶向相关性的可靠性测试结构及方法，该结构包括：两个MOS器件，所述两个MOS器件的源极、漏极分别连接，形成两个器件共同的源极和共同的漏极，所述两个MOS器件具有不同的晶向，且沟道宽度为W、沟道长度为L，W、L的值由两个MOS器件的栅极分别与共同的源漏区域的相对位置决定。本发明节省了可靠性测试结构的面积、缩短了可靠性测试的时间，并提高了可靠性测试的效率。
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公开(公告)号：CN111934196B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202010600408.8
申请日：2020-06-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明实施例提供一种电驱动的片上集成掺铒波导放大器及其制备方法，包括：在光路上依次设置的硅衬底、DBR底部反光镜、光波导、增益介质层、DBR顶部反光镜、键合层、Ⅲ‑Ⅴ族泵浦层，Ⅲ‑Ⅴ族泵浦层通过电致发光产生泵浦光，在信号光传输的相交方向上间接电驱动增益介质层产生放大，Ⅲ‑Ⅴ族半导体光源通过外延生长或者贴片键合的方式集成到键合层上；DBR底部反光镜与DBR顶部反光镜构成DBR谐振腔，提高增益介质层中的泵浦功率；光波导与增益介质层形成混合波导结构。本发明采用III‑V族半导体激光器作为泵浦，实现了电致发光；III‑V族半导体激光器采用生长或贴片键合的方式集成到光波导放大器上，工艺简单，成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112834890B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202011598468.7
申请日：2020-12-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种检测PMOS器件NBTI退化的电路，包括：第一D触发器、第二D触发器以及包含多个被测PMOS器件的反相器链，反相器链中的每个反相器包括至少一个被测PMOS器件；反相器链的输出端与第一D触发器的时钟输入端相连接；除反相器链的输出端以外的任一反相器的输出端与第二D触发器的时钟输入端相连接；第一D触发器的Q信号输出端和第二D触发器的Q信号输出端通过至少一个异或门与反相器链的输入端相连接。本发明提供的电路是将占空比的测量转化为环形振荡器振荡周期的测量电路，通过得到的环形振荡周期可以直接计算得到反相器链的占空比的方法，从而能直观评估PMOS器件的NBTI退化效应，检测的时效性高且方便快捷。
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公开(公告)号：CN112834890A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011598468.7
申请日：2020-12-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种检测PMOS器件NBTI退化的电路，包括：第一D触发器、第二D触发器以及包含多个被测PMOS器件的反相器链，反相器链中的每个反相器包括至少一个被测PMOS器件；反相器链的输出端与第一D触发器的时钟输入端相连接；除反相器链的输出端以外的任一反相器的输出端与第二D触发器的时钟输入端相连接；第一D触发器的Q信号输出端和第二D触发器的Q信号输出端通过至少一个异或门与反相器链的输入端相连接。本发明提供的电路是将占空比的测量转化为环形振荡器振荡周期的测量电路，通过得到的环形振荡周期可以直接计算得到反相器链的占空比的方法，从而能直观评估PMOS器件的NBTI退化效应，检测的时效性高且方便快捷。
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公开(公告)号：CN110783805B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201911060974.8
申请日：2019-11-01
Applicant: 北京大学
IPC: H01S3/0933 , H01S3/16
Abstract: 本发明实施例提供一种基于片上泵浦的铒硅酸盐波导放大器及其制备方法，该放大器包括在光路上依次设置的硅衬底、DBR底部反光镜、泵浦光源、增益介质层以及DBR顶部反光镜，DBR底部反光镜与DBR顶部反光镜构成DBR谐振腔；泵浦光源用于通过电致发光产生泵浦光，泵浦光与经过增益介质层的信号光的传输方向相交；DBR谐振腔用于对泵浦光进行谐振增强。本发明实施例提供的铒硅酸盐波导放大器及其制备方法，通过将铒硅酸盐增益介质层与Ⅲ‑Ⅴ族LED有源层进行集成，Ⅲ‑Ⅴ族半导体光源提高了电光转换效率，同时提高了增益材料的光吸收和泵浦效率，为硅光子系统引入可靠的光源器件，为光放大器提供了高速、大容量的光信号放大基础。
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公开(公告)号：CN110808534A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201911060943.2
申请日：2019-11-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明实施例提供的片上泵浦-信号光共振的铒硅酸盐激光器及其制备方法，包括激光有源区和混合谐振腔，混合谐振腔加载在激光有源区的上表面；激光有源区由下至上依次设置有硅衬底层和增益介质层；增益介质层为氮化硅层与铒硅酸盐层交替结构，增益介质层的上下表面均为氮化硅层；混合谐振腔为条形波导结构，用于控制光场在激光有源区中沿波导方向传输，保证泵浦光与信号光在腔中同时进行谐振增强，以提高泵浦的吸收效率和信号光的谐振强度。通过采用铒硅酸盐化合物作为光增益材料，有效的提升了材料单位距离的光学增益；降低了波导的传输损耗；设置条形加载的谐振腔波导结构，解决了铒硅酸盐激光谐振腔的刻蚀困难的同时提高了激光的输出特性。
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