公开(公告)号：CN110885282A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910856590.0

申请日：2019-09-11

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 藤原敬之 ,  大桥正树 ,  片山和弘 ,  山田健司

IPC: C07C25/18 ,  C07C59/115 ,  C07C51/41 ,  C07C43/225 ,  C07D207/27 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/32

Abstract: 本发明为碘鎓盐、抗蚀剂组合物和图案形成方法。提供了新的羧酸碘鎓盐和包含其作为猝灭剂的抗蚀剂组合物。当将所述抗蚀剂组合物通过使用KrF或ArF准分子激光、EB或EUV的光刻法进行加工时，形成在矩形性、MEF、LWR和CDU方面得以改进的抗蚀剂图案。

公开(公告)号：CN109422672A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810970031.8

申请日：2018-08-24

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 藤原敬之 ,  三井亮 ,  大桥正树 ,  谷口良辅 ,  长谷川幸士

IPC: C07C381/12 ,  C07D333/76 ,  C08F220/18 ,  C08F220/32 ,  G03F7/20 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明为锍化合物、抗蚀剂组合物和图案化方法。包含特定结构的锍化合物作为PAG的抗蚀剂组合物具有优异的光刻性能因素，如最小的缺陷、高感光度、改善的LWR和CDU，并且是用于精确微图案化的相当有效的抗蚀剂材料。

公开(公告)号：CN108255015A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201711458964.0

申请日：2017-12-28

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小竹正晃 ,  渡边聪 ,  增永惠一 ,  山田健司 ,  大桥正树

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/0382 ,  C07C323/20 ,  C07C2601/16 ,  C08F212/14 ,  C08F2800/10 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/2053 ,  G03F7/2059 ,  G03F7/322 ,  G03F7/327

Abstract: 本发明涉及化学增幅型负型抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法。本发明提供负型抗蚀剂组合物，其包含具有式(A)的锍化合物和基础聚合物。该抗蚀剂组合物在图案形成过程中显示出高分辨率并且形成具有最小LER的图案。

公开(公告)号：CN107688279A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710660209.4

申请日：2017-08-04

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 增永惠一 ,  渡边聪 ,  小竹正晃 ,  大桥正树

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  G03F1/76

Abstract: 本发明为正型抗蚀剂组合物、抗蚀剂图案形成方法和光掩模坯。包括适于在酸的作用下分解以增加其在碱性显影剂中的溶解度的聚合物和特定结构的锍化合物的正型抗蚀剂组合物具有高分辨率。当通过光刻法加工抗蚀剂组合物时，可以形成具有最小LER的图案。

公开(公告)号：CN101923288A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010289418.0

申请日：2010-06-12

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 增永惠一 ,  田中启顺 ,  土门大将 ,  渡边聪 ,  大泽洋一 ,  大桥正树

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0392 ,  G03F7/0045

Abstract: 一种聚合物，包含高比例的含芳环结构单元，且侧链上含芳香磺酸锍盐，该聚合物用于形成化学放大正性光致抗蚀剂组合物，该组合物对于形成具有高抗蚀性的抗蚀图案是有效的。所述聚合物克服了在用于聚合和纯化的溶剂中以及抗蚀剂溶剂中的溶解问题。

公开(公告)号：CN119841753A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411434889.4

申请日：2024-10-15

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 福岛将大 ,  畠山润 ,  大桥正树

IPC: C07C381/12 ,  C07D333/76 ,  C07C25/18 ,  C07C309/12 ,  C07C309/75 ,  C07C309/73 ,  G03F7/004 ,  C08F220/22 ,  C08F212/14 ,  C08F220/30

Abstract: 本发明涉及鎓盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明提供一种鎓盐型单体，其在化学增幅抗蚀剂组成物中使用，该化学增幅抗蚀剂组成物于使用高能射线的光学光刻中，溶剂溶解性优异、高感度、高对比度且曝光裕度(EL)、LWR、CDU、焦点深度(DOF)等光刻性能优异，同时于微细图案形成时抗图案崩塌、蚀刻耐性也优良。本发明并提供含有来自该鎓盐型单体的重复单元的聚合物、含有该聚合物的化学增幅抗蚀剂组成物、及使用该化学增幅抗蚀剂组成物的图案形成方法。一种下式(a)表示的鎓盐型单体。#imgabs0#

公开(公告)号：CN118795733A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410434699.6

申请日：2024-04-11

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 大桥正树 ,  菊地骏 ,  橘诚一郎 ,  半田龙之介

IPC: G03F7/038 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32

Abstract: 本发明涉及分子抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在使用高能射线的光学光刻中感度、分辨性及LWR优异的分子抗蚀剂组成物、以及使用该分子抗蚀剂组成物的图案形成方法。本发明的解决手段为一种负型分子抗蚀剂组成物，含有：包含具有环状醚部位的阳离子的鎓盐、及有机溶剂，且不含有基础聚合物。

公开(公告)号：CN111522198B

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202010078997.8

申请日：2020-02-03

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 藤原敬之 ,  及川健一 ,  大桥正树 ,  小林知洋

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明提供在以KrF准分子激光、ArF准分子激光、电子束、极端紫外线等高能射线作为光源的光刻中，光透射性、酸扩散抑制能力优异，DOF、LWR、MEF等光刻性能优异的抗蚀剂组成物、及使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。一种抗蚀剂组成物，包含(A)由下列式(1)表示的锍盐构成的光酸产生剂、(B)对显影液的溶解性会因酸的作用而变化的基础聚合物、及(C)有机溶剂。

公开(公告)号：CN110874014B

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN201910799792.6

申请日：2019-08-28

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 畠山润 ,  大桥正树

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/038

Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组合物和图案化方法，包含基础聚合物和由具有经由二价烃基键合至氮原子的碘取代的芳环的铵阳离子以及羧酸根、不含氟的磺酰亚胺、磺酰胺或卤素阴离子组成的铵盐形式的猝灭剂的抗蚀剂组合物提供高感光度和最小的LWR或改进的CDU，而不管其具有正型还是负型。

公开(公告)号：CN116068854A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202211358180.1

申请日：2022-11-01

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 福岛将大 ,  菊地骏 ,  大桥正树 ,  片山和弘

IPC: G03F7/027 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/32

Abstract: 本发明涉及分子抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题是提供在使用高能射线的光学光刻中，感度、解析性及LWR优良的分子抗蚀剂组成物、以及使用该分子抗蚀剂组成物的图案形成方法。解决手段是一种分子抗蚀剂组成物，含有下式(1)或(2)表示的锍盐及有机溶剂，且不含有基础聚合物。