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公开(公告)号：CN115210002A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202180016302.6
申请日：2021-02-18
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 高知县公立大学法人
IPC: B05B17/06 , H01L21/365 , H01L21/368 , C23C16/455
Abstract: 本发明是一种成膜用雾化装置，其具有：原料容器，其容纳原料溶液；筒状部件，其在空间上连接所述原料容器的内部与外部，且设置为其下端在所述原料容器内不与所述原料溶液的液面接触；超声波发生器，其具有一个以上的照射超声波的超声波发生源；以及液槽，其使所述超声波经由中间液传播至所述原料溶液，其中，将所述超声波发生源的超声波射出面的中心线设定为u，以所述中心线u与包含所述筒状部件的侧壁面的延长的、所述筒状部件的侧壁面所形成的面的交点P比所述筒状部件的下端点B靠下的方式设置超声波发生源。由此，提供一种能够形成抑制了颗粒附着的高品质的薄膜的成膜用雾化装置。
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公开(公告)号：CN115175769A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202180016328.0
申请日：2021-02-18
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 高知县公立大学法人
IPC: B05B17/06 , H01L21/365 , H01L21/368 , C23C16/455
Abstract: 本发明是一种成膜用雾化装置，其具有：原料容器，其容纳原料溶液；筒状部件，其在空间上连接所述原料容器的内部与外部，且设置为其下端在所述原料容器内不与所述原料溶液的液面接触；超声波发生器，其具有一个以上的照射超声波的超声波发生源；以及液槽，其使所述超声波经由中间液传播至所述原料溶液，其中，所述超声波发生源位于所述液槽的外侧，所述超声波发生源的中心位于所述原料容器的侧壁的内侧的延长所形成的面与所述筒状部件的侧壁的外侧的延长所形成的面之间，当将所述超声波发生源的超声波射出面的中心线设定为u时，以所述中心线u不与所述筒状部件的侧壁相交的方式设置超声波发生源。由此，提供一种能够形成抑制了颗粒附着的高品质的薄膜的成膜用雾化装置。
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公开(公告)号：CN109891599B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN201680090321.2
申请日：2016-10-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068
Abstract: 本发明是一种太阳能电池，在有第一导电型的半导体基板的第一主表面，具有有前述第一导电型的基极层，及邻接在前述基极层、有与前述第一导电型相反的导电型即第二导电型的射极层，且具有与前述基极层电性地连接的基极电极、及与前述射极层电性地连接的射极电极的太阳能电池，其特征在于，在前述第一主表面上，具有接在前述基极层及前述射极层的介电体膜；具有被配置成覆盖前述射极电极，而且位于前述介电体膜上、至少在前述基极层上有间隙的第一绝缘膜；具有至少位于前述第一绝缘膜上的基极用汇流条电极；前述第一绝缘膜的间隙的距离为40μm以上(W+110)μm以下(但是，W为间隙方向的基极层的宽幅)。由此，可以抑制绝缘材料的消耗，而且使基极用汇流条电极与基极电极的电性接触保持良好，同时可以使基极用汇流条电极与射极领域因接触所造成的并联电阻降低轻微，且使太阳能电池特性提升。
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公开(公告)号：CN115038825A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202080095445.6
申请日：2020-12-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C30B29/16 , C23C16/01 , C23C16/40 , C23C16/56 , C30B25/18 , C30B33/00 , H01L21/365 , H01L21/368
Abstract: 本发明提供一种结晶性氧化物半导体膜的制造方法，该方法包括以下工序：在衬底上层叠结晶性氧化物半导体层及光吸收层，通过对该光吸收层照射光，使所述光吸收层分解，将所述结晶性氧化物半导体层与所述衬底分离，由此制造结晶性氧化物半导体膜的工序。由此，本发明提供一种能够有利于工业上制造结晶性氧化物半导体膜、例如能够用于半导体装置(特别是纵向型的元件)的结晶性氧化物半导体膜的方法。
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公开(公告)号：CN109844961B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201680090007.4
申请日：2016-10-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224
Abstract: 本发明是一种太阳能电池的制造方法，具有：准备至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板的步骤、部分地去除该半导体基板的介电体膜的步骤、沿着介电体膜部分地被去除的领域形成电极的步骤的太阳能电池的制造方法，其特征是具有对于实施部分地去除介电体膜的步骤与形成电极的步骤之后的半导体基板，测定介电体膜部分地被去除的领域的位置与形成的电极的位置的相对的位置关系的步骤，基于被测定的位置关系，对于新准备的至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板，在调整部分地去除介电体膜的领域的位置后部分地去除介电体膜。由此，提供一种可以减低部分地去除介电体膜的领域与沿着该领域被形成的电极的位置偏移，且使太阳能电池的制造产出率提升的太阳能电池的制造方法。
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公开(公告)号：CN113196458A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980083078.5
申请日：2019-12-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/365 , H01L21/368 , C23C16/40 , C23C16/448
Abstract: 本发明为一种氧化镓膜的制造方法，其为使用载气搬运将原料溶液雾化或液滴化而生成的雾，并加热所述雾，使所述雾在基体上进行热反应从而进行成膜的氧化镓膜的制造方法，其中，使用至少包含氯化物离子与镓离子的原料溶液作为所述原料溶液，将加热所述雾的时间设为0.002秒以上6秒以下。由此，可提供一种低成本且成膜速度优异的α‑氧化镓膜的制造方法。
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公开(公告)号：CN110785856A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201880042175.5
申请日：2018-04-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种能够提高光电转换效率的太阳能电池的制造方法。本发明为一种太阳能电池的制造方法，其包括：在硅半导体基板上形成pn结的工序、在硅半导体基板的至少一个主表面上制膜氧化铝膜的工序，所述太阳能电池的制造方法的特征在于，在制膜氧化铝膜的工序之前，包括在每1立方米的水蒸气量为20g以上、温度为60℃以上100℃以下的气氛下，对硅半导体基板进行加热处理的工序。由此，可提供一种能够提高光电转换效率的太阳能电池的制造方法。
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公开(公告)号：CN110121788A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201680090735.5
申请日：2016-11-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L21/324 , H01L31/18 , H01L31/02 , H01L21/67 , C30B35/00
Abstract: 本发明为一种太阳能电池的制造方法，其是使用单结晶硅基板制造单结晶硅太阳能电池的太阳能电池的制造方法，并且包含将单结晶硅基板在800℃以上1200℃以下热处理的高温热处理步骤，该高温热处理步骤具有：将单结晶硅基板装填至热处理装置的搬运步骤；将单结晶硅基板加热的加热步骤；将单结晶硅基板保持在800℃以上1200℃以下的既定温度的保温步骤；及将单结晶硅基板冷却的冷却步骤，在高温热处理步骤之中，将通过搬运步骤及加热步骤使单结晶硅基板的温度成为400℃以上650℃以下的时间定为5分钟以内。由此可提供一种太阳能电池的制造方法，可制造出光电转换效率高、基板面内特性均匀的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN110100317A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201680090730.2
申请日：2016-12-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18
Abstract: 提供一种背面接触型太阳能电池单元，其在第一导电型的半导体基板的作为非受光面的背面上形成有扩散第二导电型的杂质的杂质扩散层，所述背面接触型太阳能电池单元设置有与所述杂质扩散层连接的电极，其中杂质扩散层中杂质的表面浓度为5×1017原子/cm3以上且5×1019原子/cm3以下，杂质扩散层中杂质的扩散深度为从所述基板背面的表面起1μm以上且2.9μm以下。由于该构造，可以提供能够以低成本且利用简便的方法制造的高效背面接触型太阳能电池单元。
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