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公开(公告)号：CN112351843A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201980042095.4
申请日：2019-06-25
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社 , 住友电气工业株式会社
Abstract: 具有贯通孔的工具设置有基材和由基材保持的金刚石部件，其中，如果金刚石部件的沿贯通孔的中心线的长度为L1，并且与以所述中心线为其法线的截面的由外缘包围的区域面积相等的圆的直径的最大值为M1，那么L1和M1之间的比值L1/M1至少等于0.8。
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公开(公告)号：CN107112205B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201680005889.X
申请日：2016-01-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/265
Abstract: 根据本发明的制造半导体衬底的方法包括：制备包括半导体材料的籽晶衬底(1)的步骤，在籽晶衬底(1)上执行离子注入的步骤，由此离子注入层(2)形成为距离籽晶衬底(1)的主表面的表面一定深度；利用气相合成方法在籽晶衬底(1)的主表面上生长半导体层(3)的步骤；以及通过利用光(4)照射半导体层(3)和/或籽晶衬底(1)的主表面的表面的步骤，由此分离包括籽晶衬底的至少一部分(1a)和半导体层(3)的半导体衬底(5)。
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公开(公告)号：CN107109690B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201580059054.8
申请日：2015-10-29
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
Abstract: 一种单晶金刚石材料，具有对于波长大于或等于410nm且小于或等于750nm的任何波长的光的小于或等于15％的透过率，并且是根据光学评估的电绝缘体和根据电气评估的电绝缘体中的至少任何一个。光学评估的准则可以是波长为10.6μm光的透过率大于或等于1％的。电气评估的标准可以是平均电阻率大于或等于1×106Ωcm。因此，提供了在可见光区域的整个区域中具有低透过率且呈现黑色的单晶金刚石材料。
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公开(公告)号：CN107107206A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580059052.9
申请日：2015-10-29
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
Abstract: 本发明公开了一种复合金刚石体(10)，所述复合金刚石体(10)包含金刚石基材(11)和设置在所述金刚石基材(11)上的稳定层(12)。所述稳定层(12)可以具有0.001μm以上且小于10μm的厚度，并且可以包含多层。复合金刚石工具(1)包含所述复合金刚石体(10)。因此，提供了耐磨性高的复合金刚石体和复合金刚石工具，其甚至可应用于与金刚石反应而造成金刚石磨损的工件的镜面平坦化加工。
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公开(公告)号：CN104603335A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201480002248.X
申请日：2014-04-02
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
CPC classification number: C30B29/04 , C30B25/00 , C30B25/105
Abstract: 单晶金刚石(10)为引入了缺陷部(11)的单晶金刚石。所述缺陷部(11)能够通过在利用圆偏振光照射单晶金刚石(10)时产生的相位差而被检测。在单晶金刚石(10)中，在以具有1mm边长的正方形的形状形成的测定区域(M)内测定的相位差的平均值的最大值为30nm以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104508191A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201480001980.5
申请日：2014-04-16
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
Abstract: 一种单晶金刚石(10)具有表面(10a)。在所述单晶金刚石(10)中，在所述表面(10a)中限定有测定区域(20)，测定区域(20)包含显示单晶金刚石(10)中最高透光率的部分和显示单晶金刚石(10)中最低透光率的部分，测定区域(20)具有连续排列且各自具有长度为0.2mm的边的多个正方形区域(20a)，且对所述多个正方形区域(20a)中的每个正方形区域中的透光率的平均值进行测定，其中假设将在一个正方形区域(20a)中的透光率的平均值定义为T1，且将在与所述一个正方形区域(20a)相邻的另一个正方形区域(20a)中的透光率的平均值定义为T2，在整个所述测定区域满足((T1-T2)/((T1+T2)/2)×100)/0.2≤20(％/mm)的关系。
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公开(公告)号：CN101400833B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200780008725.3
申请日：2007-12-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04
Abstract: 本发明提供一种在磷原子/碳原子比为3％以上的条件下，在{111}单晶衬底的主表面上生长在300K下具有300Ωcm以下的电阻率的低电阻掺磷外延薄膜的方法，其特征在于主表面具有0.50°以上的倾斜角。根据本发明的具有低电阻掺磷金刚石外延薄膜的金刚石单晶的特征在于，薄膜表面相对于{111}面具有0.50°以上的倾斜角，以及在300K下低电阻掺磷金刚石外延薄膜的电阻率是300Ωcm以下。
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公开(公告)号：CN101375363A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200780003705.7
申请日：2007-06-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01J1/304 , H01J37/073 , H01L21/027
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/073 , H01J37/3174 , H01J2201/30457 , H01J2237/06341 , H01J2237/26
Abstract: 本发明的目的在于提供高亮度、低能量分散且长寿命的电子发射阴极，提供采用金刚石制造的电子发射阴极。因此，本发明的目的在于提供可充分稳定地把持的，且前端尖锐化了的，提高了电场强度的金刚石电子发射阴极。本发明所涉及的金刚石电子发射阴极(110)至少分为3个区域，即在柱状前端以电子发射为目的的前端区域(203)、在长度方向以在对面上把持为目的的后端区域(201)、经过细径加工的中间区域(202)，后端区域的断面积是0.1mm2以上，前端区域的前端经过尖锐化加工，经过细径加工的中间区域的断面积最大为0.1mm2以下。
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公开(公告)号：CN1331180C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN03158649.X
申请日：2003-09-19
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 财团法人精细陶瓷中心
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J2201/30457
Abstract: 根据本发明所述的一种电子发射元件，包括：基板、以及由金刚石制成的并从该基板突出的多个凸起。每个凸起包括柱形部分，所述柱形部分的侧面相对于基板表面倾斜大约90度，而且设置在具有末端部分的柱形部分上。导电层设置在每一柱形部分的上部，而且与导电层电连接的阴极薄膜形成在柱形部分的侧面，而且所述阴极薄膜平行于柱形部分的侧面延伸。
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公开(公告)号：CN116997689A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280020013.8
申请日：2022-03-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04
Abstract: 一种单晶金刚石，其中，X射线衍射摇摆曲线的半值宽度为20秒以下，拉曼分光光谱的拉曼位移为1332cm‑1以上且1333cm‑1以下的峰的半值宽度为2.0cm‑1以下，蚀坑密度为10000个/cm2以下，氮的原子数基准的含有率为0.0001ppm以上且0.1ppm以下，13C的原子数基准的含有率小于0.01％。
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