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公开(公告)号：CN110392959A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201880015225.0
申请日：2018-03-19
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 本公开的多个实施例的一个示例包括结构。该结构包括第一对导体和至少一个单元结构。第一对导体在第一方向上彼此分开定位。单元结构位于第一对导体之间。单元结构包括第二导体和第三导体。单元结构包括至少一个单元谐振器。第三导体在包括x方向的xy平面中延伸。第三导体电连接到第一对导体。第三导体用作结构的参考电位。单元谐振器在与xy平面相交的z方向上与第三导体重叠。单元谐振器将第三导体用作为参考电位。
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公开(公告)号：CN102334231B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201080009258.8
申请日：2010-02-17
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01P1/20 , H01P1/213 , H03H7/0123 , H03H7/09 , H03H7/1708
Abstract: 提供一种能任意设定两个通频带的频率，并充分确保了两个通频带之间的频率区域中的衰减量的滤波器电路及使用该滤波器电路的无线通信模块以及无线通信设备。滤波器电路并联连接有第一、第二带通滤波器(20，30)，具有两个通频带，各个带通滤波器至少具备：谐振器组，其由多个谐振器构成，该多个谐振器按照相互耦合来形成通频带的方式依次排列；输入端子(11)，其与输入级的谐振器(21)耦合；和输出端子(12)，其与输出级的谐振器(22)耦合，谐振器组由1/4波长谐振器和1/2波长谐振器中的至少一方构成，第一带通滤波器(20)和第二带通滤波器(30)中的至少一方的谐振器组具有1/4波长谐振器和1/2波长谐振器这两者。
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公开(公告)号：CN101461090B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200780020230.2
申请日：2007-03-30
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 吉川博道
Abstract: 本发明涉及具有超通带且适用于UWB的通带宽度的带通滤波器、使用它的高频模块及使用它们的无线通信机器。该带通滤波器，在上下面配置有第1及第2接地电极(21、22)的多个电介质层(11)构成的层叠体的1个层间中，一端接地的谐振电极(30a、30b、30c)相互以交叉指状配置，而在层叠体的不同层间配置有与输入级的谐振电极30a交叉指状相对的输入耦合电极(40a)和与输出级的谐振电极30a交叉指状相对的输出耦合电极(40b)。实现了现有技术1/4波长谐振器的带通滤波器无法实现的跨越整个宽通带的平坦且低损耗的高性能带通滤波器。
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公开(公告)号：CN102576924A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080045391.9
申请日：2010-09-29
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01P1/2053 , H01P1/2056 , H01P7/04
Abstract: 本发明提供第一谐振模式中的Q值大且第一谐振模式的谐振频率与第二谐振模式的谐振频率之间的间隔大的同轴谐振器、以及使用其的电介质滤波器、无线通信模块以及无线通信设备。同轴谐振器具备电介质块；第一内导体，其配置在从第一主面至对置的第二主面而形成的第一贯通孔的内面，且一端与基准电位连接；以及外导体，其按照包围第一内导体的方式而配置在电介质块的侧面，且与基准电位连接，按照包围第一内导体的周围的方式在第一内导体以及外导体之间形成介电常数比周围的电介质块低的低介电常数部。由此，能够获得第一谐振模式中的Q值大且第一谐振模式的谐振频率与第二谐振模式的谐振频率之间的频率间隔大的同轴谐振器。
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公开(公告)号：CN112956077B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201980071210.0
申请日：2019-10-25
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 吉川博道
Abstract: 天线具有第一天线元件、第二天线元件、第一耦合体以及第二耦合体。第一天线元件包含第一辐射导体以及第一供电线，构成为在第一频带进行谐振。第二天线元件包含第二辐射导体以及第二供电线，构成为在第二频带进行谐振。第二供电线构成为以电容分量以及电感分量的任一个的第一分量为优先而与第一供电线耦合。第一耦合体构成为以与第一分量不同的第二分量为优先而将第一供电线与第二供电线耦合。第一辐射导体和第二辐射导体以谐振波长的二分之一以下的间隔排列。第二辐射导体构成为以电容耦合以及磁场耦合的一方优先的第一耦合方式而与第一辐射导体耦合。第二耦合体构成为以与第一耦合方式不同的第二耦合方式而将第一辐射导体与第二辐射导体耦合。
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公开(公告)号：CN117203857A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202180097124.4
申请日：2021-12-17
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 吉川博道
IPC: H01Q15/24
Abstract: 复合谐振器包含：第1谐振器(14)，在第1面方向扩展；第2谐振器(16)，与第1谐振器(14)在第1方向分离，在第1面方向扩展；第3谐振器(20)，在第1方向位于第1谐振器(14)以及第2谐振器(16)之间，构成为与第1谐振器(14)以及第2谐振器(16)分别磁性或者容性连接，或者与第1谐振器(14)以及第2谐振器(16)分别电连接；和基准导体(18)，在第1面方向扩展，在第1方向位于第1谐振器(14)以及第2谐振器(16)之间，成为第1谐振器(14)以及第2谐振器(16)的电位基准。第3谐振器(20)将第1谐振器(14)与第2谐振器(16)直接连结，并且与基准导体(18)不接触，第1谐振器(14)与第2谐振器(16)被排列为第1谐振器(14)的中心与第2谐振器(16)的中心在第1方向错开。
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公开(公告)号：CN117136473A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202180097011.4
申请日：2021-12-09
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 吉川博道
IPC: H01Q15/12
Abstract: 复合谐振器包括：第一谐振器(14)，其沿第一面方向扩展；第二谐振器(16)，其与第一谐振器(14)在第一方向上分离，且沿第一面方向扩展；第三谐振器(22)，其在第一方向上位于第一谐振器(14)和第二谐振器(16)之间，且构成为与第一谐振器(14)及第二谐振器(16)分别磁性地或电容地连接、或者电连接；以及基准导体(18)，其沿第一面方向扩展，在第一方向上位于第一谐振器(14)和第二谐振器(16)之间，且成为第一谐振器(14)及第二谐振器(16)的电位基准。基准导体(18)构成为在第一面方向上将第三谐振器(22)的至少一部分包围。
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公开(公告)号：CN117121300A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202180096881.X
申请日：2021-12-09
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 吉川博道
IPC: H01Q13/08
Abstract: 天线(10)包括：第一谐振器(14)，在第一面方向上扩展；第二谐振器(16)，在第一方向上与第一谐振器分离，在第一面方向上扩展；第三谐振器(22)，在第一方向上位于第一谐振器(14)以及第二谐振器(16)之间，构成为与第一谐振器(14)以及第二谐振器(16)分别磁连接或电容连接、或者电连接；基准导体(18)，在第一面方向上扩展，在第一方向上位于第一谐振器(14)以及第二谐振器(16)之间，成为第一谐振器(14)以及第二谐振器(16)的电位基准；以及供电线(30)，与第一谐振器(14)连接。基准导体(18)构成为在第一面方向上包围第三谐振器(22)的至少一部分。
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