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公开(公告)号：CN102576924B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201080045391.9
申请日：2010-09-29
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01P1/2053 , H01P1/2056 , H01P7/04
Abstract: 本发明提供第一谐振模式中的Q值大且第一谐振模式的谐振频率与第二谐振模式的谐振频率之间的间隔大的同轴谐振器、以及使用其的电介质滤波器、无线通信模块以及无线通信设备。同轴谐振器具备电介质块；第一内导体，其配置在从第一主面至对置的第二主面而形成的第一贯通孔的内面，且一端与基准电位连接；以及外导体，其按照包围第一内导体的方式而配置在电介质块的侧面，且与基准电位连接，按照包围第一内导体的周围的方式在第一内导体以及外导体之间形成介电常数比周围的电介质块低的低介电常数部。由此，能够获得第一谐振模式中的Q值大且第一谐振模式的谐振频率与第二谐振模式的谐振频率之间的频率间隔大的同轴谐振器。
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公开(公告)号：CN102576924A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080045391.9
申请日：2010-09-29
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01P1/2053 , H01P1/2056 , H01P7/04
Abstract: 本发明提供第一谐振模式中的Q值大且第一谐振模式的谐振频率与第二谐振模式的谐振频率之间的间隔大的同轴谐振器、以及使用其的电介质滤波器、无线通信模块以及无线通信设备。同轴谐振器具备电介质块；第一内导体，其配置在从第一主面至对置的第二主面而形成的第一贯通孔的内面，且一端与基准电位连接；以及外导体，其按照包围第一内导体的方式而配置在电介质块的侧面，且与基准电位连接，按照包围第一内导体的周围的方式在第一内导体以及外导体之间形成介电常数比周围的电介质块低的低介电常数部。由此，能够获得第一谐振模式中的Q值大且第一谐振模式的谐振频率与第二谐振模式的谐振频率之间的频率间隔大的同轴谐振器。
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