公开(公告)号：CN117391166A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311029456.6

申请日：2023-08-15

Applicant: 之江实验室 ,  华中科技大学

Inventor： 张宇 ,  沈千格 ,  宁鑫 ,  赵进 ,  余辉 ,  张湛

IPC: G06N3/08 ,  G06N3/042

Abstract: 在本说明书提供的一种基于冗余消除的超图神经网络更新方法，通过确定超图神经网络中的顶点以及超边，将顶点两两组合确定各顶点对，再根据各顶点对，确定各顶点对中重合的超边，构建冗余聚合集，对未更新的超边进行更新并对冗余聚合集中未聚合的超边进行聚合，再通过缓存存储超边更新后的特征和聚合特征，然后根据已更新的该顶点对应的超边的特征，和/或该顶点对应冗余聚合集的聚合特征，更新该顶点的顶点特征，得到更新后的超图神经网络。通过预先确定的冗余聚合集，以及缓存存储超边更新的特征和聚合特征，减少对重复的超边的计算，实现更高效率的更新超图神经网络。

公开(公告)号：CN116540368B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202310749514.6

申请日：2023-06-25

Applicant: 之江实验室

Inventor： 王启超 ,  刘玲玲 ,  余辉 ,  张强 ,  尹坤

IPC: G02B6/42

Abstract: 本申请公开了一种芯片冷却结构及其制造方法及光子集成芯片。芯片冷却结构包括基底；光子集成回路，设置于基底的一侧，光子集成回路包括若干光电器件；冷却层，设置于基底远离光子集成回路的一侧，冷却层包括微流道、微流道入口以及微流道出口；密封层，设置于冷却层远离基底的一侧，用于密封微流道。本申请通过在光子集成回路的背面集成包含微流道的冷却层，通过流体带走光子集成回路的热量，可以有效的给光子集成回路进行降温。

公开(公告)号：CN117250829A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202311186933.X

申请日：2023-09-14

Applicant: 之江实验室

Inventor： 刘玲玲 ,  余辉 ,  张强 ,  尹坤 ,  王盼 ,  马欣艳

IPC: G03F7/16

Abstract: 本申请提供一种光刻胶除泡装置、系统及方法。其中，该光刻胶除泡装置包括光刻胶喷胶器、气泡检测传感器和气泡排除器，光刻胶喷胶器用于将光刻胶喷在载体表面。气泡检测传感器用于获取所述光刻胶中的气泡所在的位置。气泡排除器用于排除所述光刻胶中的气泡。可实现，在将光刻胶喷在载体表面之后，通过气泡检测传感器确定光刻胶中的气泡所在的位置，然后通过气泡排除器排除光刻胶表面产生的气泡，从而可以避免涂胶过程中气泡对光刻胶膜的质量产生影响，相较于常规方法，滴胶之后表面产生气泡的晶圆不需要去胶反工，提升了光刻工艺的效率和良率。

公开(公告)号：CN116500814B

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202310750843.2

申请日：2023-06-25

Applicant: 之江实验室

Inventor： 张强 ,  余辉 ,  尹坤 ,  郭清水 ,  刘硕 ,  王启超 ,  王继厚

IPC: G02F1/01 ,  G02F1/21

Abstract: 本发明公开了一种基于全光线性化的高线性硅基薄膜铌酸锂调制芯片及方法，属于射频无线通信技术领域。外部激光器输出的光信号经端面耦合器输入到本发明的调制器芯片中，先经硅基热光功分器分成两路，分别输入到两个相同的调制深度可调的硅基铌酸锂薄膜马赫曾德尔调制器中。将两个马赫曾德尔调制器的工作点设置在相反的两个正交偏置点，通过调控输入到两个马赫曾德尔调制器的光功率分配比以及各自的调制深度，使两个马赫曾德尔调制器产生的三阶交调信号相互抵消，从而实现基于全光线性化的高线性调制。本发明能够极大降低链路噪声系数，进而大幅提升其所在额微波光子系统的动态范围SFDR3。

公开(公告)号：CN115990802A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202310284719.1

申请日：2023-03-22

Applicant: 之江实验室

Inventor： 王海涛 ,  胡家兴 ,  余辉

IPC: B24B7/22 ,  B24B41/06 ,  B24B37/10 ,  B24B37/30

Abstract: 本申请涉及一种载具和抛光设备。载具包括本体以及芯片槽。本体包括抛光侧和组装侧。所述组装侧用于与抛光设备连接。芯片槽设置于所述抛光侧。所述芯片槽包括底面。所述底面用于与裸晶芯片可拆卸连接。所述芯片槽的深度小于所述裸晶芯片的厚度。本申请的载具设置简单，并且能够实现用现有的抛光技术和抛光设备对裸晶芯片进行打磨和抛光，有利于提高裸晶芯片后续加工的良品率，并且无需重新开发和设计新的抛光设备，降低抛光成本。

公开(公告)号：CN115037380A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210953648.5

申请日：2022-08-10

Applicant: 之江实验室

Inventor： 张强 ,  余辉

IPC: H04B10/548 ,  H04B10/2575 ,  H01S5/026 ,  G02F1/21

Abstract: 本发明公开了一种幅度相位可调的集成微波光子混频器芯片及其控制方法。该芯片可基于绝缘体上硅(Silicon on Insulator,SOI)和磷化铟(InP)半导体加工工艺制造而成。InP基半导体用来制备高功率激光器芯片，SOI基半导体用来制备硅基马赫增德尔调制器、锗硅探测器、光滤波器等光器件。InP基与SOI基芯片通过异构集成实现该混频器芯片的整体集成。通过调控调制器和光滤波器工作状态，实现混频信号的幅度和相位可调。由于该芯片基于CMOS硅光工艺，具有低功耗和低成本优势。除此之外，该混频器在光域实现了射频信号的混频，具有超宽带、抗电磁干扰等优势。因此可以用于超宽带无线通信和雷达系统。

公开(公告)号：CN114779398A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210696520.5

申请日：2022-06-20

Applicant: 之江实验室

Inventor： 王继厚 ,  余辉 ,  尹坤 ,  柴田 ,  应小俊 ,  刘士圆 ,  郭清水

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/293

Abstract: 本发明公开了一种基于逆向设计的粗波分复用硅光发射芯片，包括：若干依次连接的垂直耦合光栅、多模干涉器和串联推挽型调制器、逆向设计的粗波分复用器和光发射芯片输出端。该芯片可用在光模块中的光发射芯片，在较小器件尺寸下能够对高速电信号调制，解决了器件插入损耗较大、尺寸较大和调制带宽较低等问题。逆向设计的垂直耦合光栅减小耦合损耗且适当的减小尺寸，耦合损耗约‑1.8 dB，耦合区长度仅为10‑15μm；串联推挽调制器有效增大器件的调制带宽，电光带宽可超过35 GHz；逆向设计的粗波分复用器明显减小器件的尺寸，器件尺寸小于15×15μm2,信道间串扰较小，小于‑16 dB。提出的器件具有尺寸小、耦合效率高、电光带宽高和低串扰等优势。

公开(公告)号：CN114167555A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202111186701.5

申请日：2021-10-12

Applicant: 之江实验室

Inventor： 张强 ,  余辉

IPC: G02B6/42 ,  H04B10/40

Abstract: 本发明公开了一种面向高速光通信的6.4Tbps硅基光引擎收发芯片组件。该芯片组件可基于包含氮化硅工艺的绝缘体上硅(SOI)和磷化铟(InP)等半导体加工工艺制造而成。该光引擎收发组件以硅光芯片为基底，通过键合或倒装焊等方式将InP激光器和光放大器光芯片与硅光芯片实现异质集成。激光器作为泵浦光源，经超低损耗氮化硅谐振腔产生光孤子光频梳，从而可以作为多波长激光器，减少了单波长激光器芯片的使用，降低了光子引擎光芯片中的激光器功耗以及热传导，并且提升了光器件的集成度。此外，光频梳可以产生带宽覆盖范围广、波长数量多的光载波，因此可以实现基于波分复用技术的超大通信容量的硅基光引擎芯片。

公开(公告)号：CN114034649A

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202111226988.X

申请日：2021-10-21

Applicant: 之江实验室

Inventor： 王继厚 ,  张强 ,  余辉

IPC: G01N21/31 ,  G01N21/41

Abstract: 本发明公开了一种基于狭缝波导结构的光学生化传感器，其特征在于，包括：上传端和下载端，所述上传端和下载端均为直狭缝波导；第一微环波导，所述第一微环波导设置在所述上传端和下载端之间，所述第一微环波导为环形狭缝波导；及与所述第一微环波导串联的第二微环波导，所述第二微环波导设置在所述第一微环波导的底部与所述下载端之间，所述第二微环波导为环形狭缝波导；其中，所述第一微环波导和第二微环波导的半径不等，所述上传端与所述第一微环波导的顶部之间设置有第一耦合间距，所述第二微环波导的底部与所述下载端之间设置有第二耦合间距，所述第一微环波导的底部与所述第二微环波导的顶部之间设置有第三耦合间距。