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公开(公告)号：CN107112360A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580061372.8
申请日：2015-08-03
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 半导体装置(1)具备：在表面形成有沟槽(30)的半导体基板(10)；覆盖沟槽(30)的内表面的栅极绝缘膜(51)；及配置在沟槽(30)的内部并通过栅极绝缘膜(51)而与半导体基板(10)绝缘的栅极电极(52)。半导体基板(10)具备：与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的n型的源极区域(11)；形成在源极区域(11)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的p型的基极区域(12)；及形成在基极区域(12)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面(31、32)和底面(40)的栅极绝缘膜(51)相接的n型的漂移区域(15)。沟槽(30)的底面(40)以在短边方向上中心部(43)比周缘部(44)向上突出的方式形成。覆盖周缘部(44)的栅极绝缘膜(51)的厚度比覆盖中心部(43)的栅极绝缘膜(51)的厚度厚。
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公开(公告)号：CN102376759A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110251267.4
申请日：2011-08-16
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/30 , H01L21/263
CPC classification number: H01L29/8611 , H01L21/263 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L29/063 , H01L29/0834 , H01L29/32 , H01L29/7397
Abstract: 在此公开了一种半导体装置，特别是公开了一种具有IGBT区和二极管区的半导体装置，其中IGBT结构设置在IGBT区中并且二极管结构设置在二极管区中，所述IGBT区和所述二极管区都位于同一个衬底内，并且所述IGBT区与所述二极管区相邻。在这种类型的半导体装置中，当IGBT结构被关断时会发生积聚在IGBT区内的载流子流入二极管区的现象。为防止这种现象，缩短载流子寿命的区域至少设置在所述IGBT区内的与所述二极管区相邻的分区中。在所述分区中，省略了IGBT结构的发射极。
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公开(公告)号：CN117410311A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310856180.2
申请日：2023-07-13
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
Abstract: 半导体装置具有包括元件区域与周边区域的半导体基板。半导体基板具有：n型的高浓度层，从元件区域跨越所述周边区域而分布，与下部电极相接，具有薄板部与厚板部；n型的漂移层，与厚板部的上表面相接；以及n型的低浓度层，从元件区域跨越周边区域而分布，与薄板部的上表面相接，且与台阶部的侧面相接。在使下部电极的电位上升时，由台阶部的侧面、使台阶部的侧面向周边区域一侧偏移了台阶部的高度的虚拟线、薄板部的上表面以及使薄板部的上表面向上侧偏移了高度的虚拟线构成的四边形的区域中的一半以上的区域不会被耗尽。
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公开(公告)号：CN116364764A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211686457.3
申请日：2022-12-26
IPC: H01L29/24 , H01L29/872 , H01L29/06
Abstract: 一种半导体器件包括具有矩形形状的半导体衬底，所述矩形形状包括在第一方向上延伸的边和在第二方向上延伸的另一边。所述半导体衬底在第一方向上的热导率不同于所述半导体衬底在第二方向上的热导率。所述半导体衬底配置为满足L1/L2＝(K1/K2)0.5的数学关系且容差范围为‑5％至+5％，其中L1表示所述半导体衬底在第一方向上的长度，L2表示半导体衬底在第二方向上的长度，K1表示半导体衬底在第一方向上的热导率，并且K2表示半导体衬底在第二方向上的热导率。
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公开(公告)号：CN110050349B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201780075779.5
申请日：2017-12-12
Abstract: 在保护环部中，通过在n‑型漂移层(2)的表层部形成电场缓和用的电场缓和层(40)，从而抑制电场进入p型保护环(21)之间。由此，电场集中得到缓和，由电场集中引起的层间绝缘膜(10)的击穿得到抑制，能够抑制耐压下降。因此，能够制成可得到所期望的耐压的SiC半导体装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111326417A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201911250102.8
申请日：2019-12-09
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工艺纤维大学
IPC: H01L21/368
Abstract: 本发明涉及氧化镓膜的成膜方法。提出一种成膜方法，其中能够形成表面光滑的氧化镓膜。一种氧化镓膜的成膜方法，其具有在加热基体的同时，向所述基体的表面供给包含镓原子和氯原子的原料溶液的雾，由此在所述基体的所述表面上形成所述氧化镓膜的工序。所述原料溶液中的氯的摩尔浓度为所述原料溶液中的镓的摩尔浓度的3.0倍以上且4.5倍以下。
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公开(公告)号：CN118610080A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410240748.2
申请日：2024-03-04
IPC: H01L21/263 , H01L21/02
Abstract: 半导体装置的制造方法进行以下工序：准备由β－氧化镓构成的半导体衬底；将半导体衬底(30)配置在配置于腔室(10)内的基座(20)上；将腔室(10)密闭；通过调整基座(20)的温度，进行通过传热而在使半导体衬底升温后使半导体衬底(30)降温的加热处理；将腔室(10)的密闭解除而设为能够从腔室(10)将半导体衬底(30)取出的状态。在准备半导体衬底(30)的工序中，准备一面(30a)或另一面(30b)相对于(100)面或(001)面处于45～90°的范围内的衬底，在加热处理中，通过以基座(20)的升温速率为100℃/min以下的条件使基座(20)升温，使半导体衬底(30)升温到300℃以上。能够使得使用β－氧化镓作为半导体衬底、即使进行了加热处理也难以断裂。
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公开(公告)号：CN110622320B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201880019440.8
申请日：2018-01-26
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 半导体装置具备：半导体基板，具有上表面和下表面；上表面电极，设置在半导体基板的上表面；及下表面电极，设置在半导体基板的下表面。在俯视观察时，半导体基板具有包含半导体基板的中心的第一范围和位于第一范围与半导体基板的外周缘之间的第二范围。在第一范围和第二范围分别设置内置有体二极管的MOSFET结构。MOSFET结构在第一范围与第二范围之间互不相同，以使相对于相同电流密度的体二极管的正向电压在第一范围中比在第二范围中高。
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公开(公告)号：CN107112360B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201580061372.8
申请日：2015-08-03
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 半导体装置(1)具备：在表面形成有沟槽(30)的半导体基板(10)；覆盖沟槽(30)的内表面的栅极绝缘膜(51)；及配置在沟槽(30)的内部并通过栅极绝缘膜(51)而与半导体基板(10)绝缘的栅极电极(52)。半导体基板(10)具备：与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的n型的源极区域(11)；形成在源极区域(11)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的p型的基极区域(12)；及形成在基极区域(12)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面(31、32)和底面(40)的栅极绝缘膜(51)相接的n型的漂移区域(15)。沟槽(30)的底面(40)以在短边方向上中心部(43)比周缘部(44)向上突出的方式形成。覆盖周缘部(44)的栅极绝缘膜(51)的厚度比覆盖中心部(43)的栅极绝缘膜(51)的厚度厚。
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公开(公告)号：CN110724935A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910644005.0
申请日：2019-07-17
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工艺纤维大学
IPC: C23C16/448 , C23C16/40 , C30B25/14 , C30B25/20 , C30B29/16
Abstract: 本发明涉及成膜方法和半导体装置的制造方法。提出适宜地形成由氧化物构成并具有导体或半导体的特性的氧化物膜的技术。提出在基板上形成掺杂有锗且具有导体或半导体的特性的氧化物膜的成膜方法。该成膜方法具有如下工序：一边加热上述基体，一边向上述基体的表面供给溶解有包含上述氧化物膜的构成元素的氧化物膜材料和有机锗化合物的溶液的雾。
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