-
公开(公告)号：CN105603531B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201410658470.7
申请日：2014-11-17
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种具有强的红外倍频响应的非线性晶体材料、其制备方法和应用。其该非线性晶体材料具有如下所示的分子式：Ba4MGa4Se10Cl2其中，M为金属元素，选自IIB族金属元素、VIIB族金属元素、VIII族金属元素中的至少一种或M由IB族金属元素中的至少一种与IIIA族金属元素中的至少一种组成；该晶体属于四方晶系，空间群为材料的粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的59倍，可用于光电对抗、资源探测、空间反导和通讯等方面。
-
公开(公告)号：CN106119969A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610704761.4
申请日：2016-08-23
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C30B29/46 , C30B1/10 , G02F1/3551 , G02F1/37
Abstract: 本发明涉及光学晶体AZn4Ga5S12用作红外非线性光学材料的用途，其中，A为K或Rb。所述光学晶体具有优良的二阶非线性光学性质以及较宽的透光范围，具有强的红外倍频响应和高的激光损伤阈值，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的7～8倍且其激光损伤阈值是AgGaS2的36倍，可用于中红外探测器和激光器。此外，本申请所提供的制备红外非线性光学晶体的方法操作简单，得到的样品具有较高的结晶度和纯度。
-
公开(公告)号：CN105552202A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510894693.8
申请日：2015-12-08
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种晶体材料、其制备方法及含有该晶体材料的热电材料及其制备方法。该晶体材料分子通式为TmCu3(1-x)Te3，x代表Cu的空位含量，0＜x≤0.1。该晶体材料为纯相结构，具有较高的稳定性。采用该晶体材料热压制备的热电材料性能优异，热导率为0.86W/m·K，电导可达571S/cm，塞贝克系数可达108V/K。可通过调节TmCu3(1-x)Te3体系中Cu空位改变载流子浓度，从而优化其热电优值ZT，使ZT在850K时大于0.45，甚至可达0.65，比未优化的性能提高了44.4％，可与目前被广泛研究甚至商业化的高温热电材料相媲美。
-
公开(公告)号：CN102191556B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201010116364.8
申请日：2010-03-02
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种新型Zintl相热电化合物及其制备方法，属于无机材料领域。本发明采用一步合成法进行合成。合成条件：在530℃下反应6天。本发明中，化合物Rb16Cd25.39(3)Sb36的结构特征是含有沿着c轴方向的无限十二面体笼链，每四个相邻的笼链围成一个10元环的通道，而碱金属Rb填充在十二面体中心及通道中。本发明获得的缺电子Zintl相材料，具有化学纯度高，均匀性好，组分可控的优点。本发明制备的含无限笼链的缺电子Zintl相Rb16Cd25.39(3)Sb36，成功拓展了含Sb笼状化合物实验及理论研究范围。本发明中，未经掺杂的化合物Rb16Cd25.39(3)Sb36在466K的ZT值达到0.04，与方钴矿化合物相当，这表明通过结构修饰及掺杂，该化合物极有可能实现更大的热电优值，具有潜在的应用价值。
-
公开(公告)号：CN102912433B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201210421506.0
申请日：2012-10-26
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公布Ba3P3O10Br单晶及其制备方法。该材料分子式为Ba3P3O10Br，属于正交晶系，P212121空间群，其晶胞参数为a=7.1722(18)？,b =11.364(3)？,c=13.998(4)？,V=1140.9(5)？3,Z= 4。此化合物表现出良好的非线性光学性能，为相匹配化合物并且二阶倍频效应强度为KDP的0.5倍，同时其短波吸收边都能达到200nm以下，可能具有潜在的非线性光学应用价值。同时此化合物还表现出优异的热稳定性，经过综合热分析测试结果为此化合物为一致熔融化合物。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103050618A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201110315433.2
申请日：2011-10-17
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种热电材料及其制备方法，属于无机材料领域。本发明采用无机高温固相一步合成法进行合成。本发明合成的CsxRE2Cu6-xTe6化合物属六方晶系，空间群为P63/m。CsxRE2Cu6-xTe6(RE＝La，Ce，Pr)初步热电性能测试表明该系列化合物有相对高电导率，中等Seebeck系数和相对低热导，其ZT值：0.26(La，614K)，0.17(Ce，660K)和0.23(La，660K)。它们可能具有潜在的热电应用价值。
-
公开(公告)号：CN103022336A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210539358.2
申请日：2012-12-14
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及双掺杂In4Se3基热电材料In4-xPb0.01SnxSe3 (x = 0.02-0.05)、其制备方法及用途。采用高温固相两步法合成Pb、 Sn双掺杂In4Se3的粉体，将得到的粉体进行放电等离子烧结即可得到目标的块体材料。Pb、 Sn双掺杂的In4Se3基热电材料的热电优值最高达到1.4，比目前商业化热电材料体系的热电性能提高40%，因此可用于高效热-电转换器件制作。
-
公开(公告)号：CN102409407A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110353590.2
申请日：2011-11-09
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种一种红外非线性光学材料Ba3AGa5Se10Cl2及其制备方法。本发明通过高温固相合成法合成。合成条件：在850℃下反应100h。本发明中，新型红外非线性光学晶体Ba3AGa5Se10Cl2(A＝Cs，Rb和K)，属于四方晶系空间群。其中Ba3CsGa5Se10Cl2具有优异的非线性性能，初步测定，在2.05μm颗粒度为46-74μm下，其非线性系数为商用材料AgGaS2的13.6倍，可能具有潜在的非线性光学应用价值。
-
公开(公告)号：CN106653991B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201710035154.8
申请日：2017-01-18
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及三元稀土铜碲晶体材料用作热电材料的用途。该晶体材料分子通式为RECuTe2且空间群为RE为Tb或Dy。该晶体材料为纯相结构，具有较高的稳定性。采用该晶体材料热压制备的热电材料性能优异，在750K时热导率为0.44–0.49W/m·K，电导可达93–120S/cm，塞贝克系数可达226–248μV/K，ZT值为0.95–1.0，可与目前被广泛研究甚至商业化的中温热电材料相媲美。
-
公开(公告)号：CN105329862B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201510887234.7
申请日：2015-12-04
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C01B19/00
Abstract: 本发明公开了一种制备CsBi4Te6热电材料的方法。其将稀土元素RE、CsX、Bi和Te混合，在高温下制备得到CsBi4Te6材料。其中X为卤素。本发明所提供的方法摈弃了现有技术中采用价格昂贵的Cs单质或二元Cs2Te化合物，采用原料CsX提供Cs源，CsCl化合物不仅性能稳定，使得反应只需在真空密闭体系中进行即可，不需要特殊的装置，也不存在原料不稳定无法保存的问题，因此该合成方法操作非常简便，适合大规模应用。此外，原料CsX价格低廉，大幅度降低了成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
59
records
(took 0.036 seconds)
