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公开(公告)号：CN113568105B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202110673125.0
申请日：2021-06-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种波导层间耦合结构及其制备方法，涉及硅光器件技术领域，以解决现有耦合结构存在层间耦合损耗较大的技术问题。所述波导层间耦合结构包括：基底。形成在基底上的第一波导；其中，第一波导位于基底的第一区域。形成在基底上的第一介质层，且第一介质层覆盖第一波导。以及形成在第一介质层上第二波导，其中，第二波导位于基底的第二区域，第一波导在基底上的投影与第二波导在基底上的投影具有重合区域，以使从第二波导出射的光耦合地进入第一波导中。第二波导靠近第一波导的一端具有台阶状结构，且沿第一波导至第二波导的方向，台阶状结构中的台阶的厚度依次增大。
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公开(公告)号：CN116794771A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310084469.7
申请日：2023-01-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请提供了一种层间耦合结构及其制备方法，该结构包括：衬底；位于衬底上的第一波导；第一波导位于衬底上的第一区域；位于衬底上的第一介质层，第一介质层覆盖第一波导；位于第一介质层远离衬底一侧的过渡层；位于第一介质层远离衬底一侧的第二介质层；第二介质层覆盖过渡层；位于第二介质层远离衬底一侧的第二波导；第二波导位于所述衬底的第二区域；第一波导、过渡层和第二波导任意两者之间在衬底上的投影具有重合区域；第二波导靠近第一波导的一端具有斜面结构。从而本申请在第一波导和第二波导之间引入过渡层，在保证耦合效率的前提下，增大了第一波导和第二波导层间距离，有效减少高度集成时的层间串扰，降低了对器件性能的影响。
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公开(公告)号：CN112924143B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202110134591.1
申请日：2021-01-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种光子芯片晶圆级测试装置和方法，属于硅光子与光电子技术领域，解决现有测试方法不能经由端面耦合器件对光学器件进行测试并影响光学器件的尺寸减小的问题。该装置包括待测晶圆和L型透镜光纤，待测晶圆包括：半导体衬底；叠层结构设置在半导体衬底上方；多个沟槽包括第一方向和第二方向的多个平行沟槽，穿透叠层结构并穿过半导体衬底的部分厚度，用于放置L型透镜光纤，待测晶圆经由第一方向和第二方向的多个平行沟槽划分为多个光子芯片，待测光学器件设置在光子芯片中，L型透镜光纤的端部在光子芯片的相对侧处与待测光学器件水平对准，第一方向垂直于第二方向。L型光纤放置于沟槽中以通过水平方向光信号对光学器件进行测试。
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公开(公告)号：CN115639730A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211066906.4
申请日：2022-09-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20 , H01L21/762 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种电子束光刻方法、浅沟槽隔离及电极接触孔的形成方法。电子束光刻方法包括下列步骤：在衬底上涂覆电子束胶；在所述电子束胶上形成铝膜；对所述电子束胶进行电子束曝光；最后显影。利用上述方法形成浅沟槽隔离及电极接触孔。本发明解决了电子在衬底表面累积导致曝光效果差的问题。
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公开(公告)号：CN115360173A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211035171.9
申请日：2022-08-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/544 , G03F9/00
Abstract: 本申请公开了一种具有量测对准图形的晶圆。本申请实施例提供的具有量测对准图形的晶圆，晶圆的表面设置有投影曝光区域以及对应于投影曝光区域的量测对准图形，量测对准图形包括多个矩形单元，矩形单元包括矩形外轮廓以及位于矩形外轮廓内侧的多个线段，从而降低了矩形单元的线条面积占比，缩小了量测对准图形区域的线条密度与器件图形区域的线条密度之间的差距，有利于提高化学机械抛光后晶圆表面量测对准图形区域的平整度，降低后续对晶圆的处理难度，提高对晶圆的处理精确度，提高芯片制造的精度，满足对芯片的制造精度需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112987289B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110161344.0
申请日：2021-02-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B27/00
Abstract: 本公开提供一种波导结构的参数优化方法，方法包括：通过获取目标光刻工艺的特征尺寸；根据预设优化算法对波导结构的宽度渐变结构进行参数优化，得到优化结果，所述优化结果包括预设数量的优化点；根据所述特征尺寸调整所述预设数量，继续根据预设优化算法对所述宽度渐变结构进行参数优化，直至满足预设条件后结束参数优化；所述预设条件包括：优化结果中相邻优化点之间宽度差值大于等于所述特征尺寸，且优化点的数量大于等于预设阈值，相比于现有技术，采用本公开参数优化方法设计制作的波导结构，能够达到更小的插损和串扰，并且仅采用一层刻蚀，简化了制作工艺。
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公开(公告)号：CN113433615A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110540846.4
申请日：2021-05-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种芯片，涉及芯片技术领域，用于通过一个光栅耦合器实现在相同的出射角度下对不同波长的寻址激光进行衍射，提高芯片的大规模可扩展性。所述芯片包括：基底、以及设置在基底表面的表面离子阱电极；表面离子阱电极用于在基底上方的预设区域内囚禁离子；其中，基底具有多个光栅耦合器；光栅耦合器所包括的光栅部用于将多种不同波长的寻址激光以相同的出射角度衍射至同一离子处，以完成寻址。
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公开(公告)号：CN113380905A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110502234.6
申请日：2021-05-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开一种硅基光探测器以及制备方法、电子设备，涉及硅基器件技术领域，用于提供一种结构简单、光响应度和量子效率较高的硅基光探测器。包括：具有脊型顶层硅的SOI基底；其中，脊型顶层硅包括基部以及形成在所述基部上的脊部；形成在脊部中的N型掺杂区，以及至少形成在基部中的P型掺杂区；其中，N型掺杂区包括N型重掺杂区以及形成在N型重掺杂区两侧的N阱，P型掺杂区包括P阱以及形成在P阱两侧的P型重掺杂区，且N型重掺杂区域与P阱之间形成有超浅结；形成在P型重掺杂区上的阳极，以及形成在N型重掺杂区上的阴极。
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公开(公告)号：CN112964668A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110138043.6
申请日：2021-02-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供一种基于谐振器的物质浓度检测装置及方法，其中装置包括：偏振分束单元、光束谐振单元、置物单元和测量单元，光束谐振单元包括第一谐振器和第二谐振器；偏振分束单元用于将输入光束分成第一偏振光束和第二偏振光束；第一谐振器用于将接收到的第一偏振光束中的第一波长光束，耦合至第一谐振器中；第二谐振器用于将接收到的第二偏振光束中的第二波长光束，耦合至第二谐振器中；置物单元用于放置待测物；测量单元用于确定第一谐振器对应的第一漂移参数和第二谐振器对应的第二漂移参数；根据第一漂移参数和第二漂移参数确定待测物浓度，本公开通过两种模式的谐振器实现了光信号的大范围和高灵敏度测量，提高了物质浓度检测的准确性。
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公开(公告)号：CN112713084A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011599547.X
申请日：2020-12-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/28 , B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体结构的制造方法，包括：在衬底上依次形成第一光刻胶层、阻光层和第二光刻胶层；曝光所述第一光刻胶层，并显影所述第一光刻胶层和所述阻光层形成第一开口；曝光所述第一开口下方的所述第二光刻胶层，并显影所述第二光刻胶层形成位于所述第一开口下方的第二开口；填充所述第二开口和所述第一开口形成半导体结构。本发明提供的方法，用以解决现有的形成T型或其他重叠形状的半导体结构的工艺存在的适用性差的技术问题。提供了一种高适用性的半导体结构的制造方法。
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