公开(公告)号：CN108023018A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201711220163.0

申请日：2017-11-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 岳世忠 ,  刘孔 ,  孙阳 ,  王智杰 ,  曲胜春 ,  王占国

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/4213 ,  H01L2251/303

Abstract: 一种基于带隙连续可调控的倒置钙钛矿太阳电池的制备方法，该电池结构包括：阳极透明导电衬底、空穴传输层、钙钛矿有源层、电子传输层、电子修饰层和阴极电极，该制备方法包括以下步骤：步骤1：在阳极透明导电衬底上旋涂一层CuNiOx的前驱体溶液，烧结，形成致密的CuNiOx空穴传输层；步骤2：在CuNiOx空穴传输层上旋涂一层钙钛矿的前驱体溶液，退火，形成有源层；步骤3：在有源层上旋涂有机聚合物PC61BM溶液，形成电子传输层；步骤4：在电子传输层上旋涂乙酰丙酮锆溶液，制备电子修饰层；步骤5：采用热蒸发的方式在电子修饰层上制备金属电极作为阴极，完成太阳电池的制备。

公开(公告)号：CN100524622C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200710063705.8

申请日：2007-02-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 周慧英 ,  曲胜春 ,  金鹏 ,  徐波 ,  王赤云 ,  刘俊朋 ,  王智杰 ,  王占国

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/266

Abstract: 一种在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法，包含下列步骤：步骤1：取一半导体衬底和制备好的有序的阳极氧化铝通孔模板；步骤2：把制备好的有序的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上，阳极氧化铝通孔模板的作用是在半导体衬底上选择性注入金属离子；步骤3：将足够厚的阳极氧化铝模板的半导体衬底进行离子注入，目的是让金属离子通过阳极氧化铝通孔注入半导体衬底，在没有孔的区域，注入离子不会到达半导体衬底；步骤4：在饱和的NaOH溶液中清洗以剥离模板；步骤5：在分子束外延设备中沉积InAs量子点，通过应力调制的作用，量子点会优先成核在离子注入的区域，完成量子点的制备。