公开(公告)号：CN102569567A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210075711.6

申请日：2012-03-21

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 梁萌 ,  李鸿渐 ,  姚然 ,  李志聪 ,  李盼盼 ,  王兵 ,  李璟 ,  伊晓燕 ,  王军喜 ,  王国宏 ,  李晋闽

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种氮化物LED外延结构的生长方法，包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，在MOCVD反应室里将衬底进行热处理后，降温；步骤2：在衬底生长一层氮化物成核层；步骤3：退火，使衬底表面形成成核层的结晶；步骤4：在结晶的氮化物成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；步骤5：在非故意掺杂氮化镓上生长氮化镓应力控制层；步骤6：在氮化镓应力控制层上生长依次生长N型氮化镓层、有源层、P型氮化镓层，得到完整LED外延结构。本发明可以提高发光二极管外延质量，调制外延层中因为晶格失配带来的应力，并有效的改善发光二极管的漏电和抗静电性能。